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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种垂直型三维存储器的制备方法-CN202310636372.2在审
发明人：王孟磊;罗来青 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种垂直型三维存储器的制备方法。本申请通过预先形成部分暴露金属结构的上宽下窄的垂直沟槽，于垂直沟槽的内壁以及介质层的表面依次形成第一电极材料层、存储材料层、第二电极材料层及金属材料层，并采用化学机械研磨工艺去除垂直沟槽区域以外的金属材料层、第二电极材料层、存储材料层、第一电极材料层，形成金属膜层以及存储单元的第二电极层、存储层、第一电极层；垂直沟槽底部的第一电极层与金属结构相接触，金属膜层的表面与介质层的表面基本齐平、以用于外接电路。本申请通过采用工艺成熟、过程控制相对简单的化学机械研磨工艺替代控制难度较大的多层混合膜层的刻蚀，降低了整体工艺难度，改善了工艺流程，利于规模化推广。
一种垂直三维存储器制备方法

[发明专利]存储器及电子设备-CN202180042090.9在审
发明人：张敏;赵杰;张恒;杨喜超;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：一种存储器及电子设备，涉及存储技术领域，能够减小存储单元的面积，提高存储密度。该存储器包括位于前道工序的第一晶体管(T1)；第一晶体管(T1)的源极和漏极中一个为第一极，另一个为第二极；存储器中还包括第一电容(C1)以及字线(WL)；第一电容与第一晶体管的第一极电连接。字线(WL)与第一晶体管的金属栅极(G)为位于同层的一体结构。
存储器电子设备

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202310639150.6在审
发明人：杜雪珂;孟晋辉;郭秋生;丁甲;张继伟;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制造方法。本申请通过回刻蚀第一介质层形成部分暴露的第一连接结构，并形成包覆部分暴露的第一连接结构的三维立体结构的存储单元，增加器件极化面积，可以在占用相同平面面积的基础上，增大存储层及电极层的有效面积，从而提高极化电荷量，优化提升器件运行效率及可靠性。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]存储器单元阵列-CN201810948208.4有效
发明人：卡迈勒·M·考尔道;钱德拉·穆利;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：本发明揭示一种存储器单元阵列，其中个别所述存储器单元包括包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。
存储器单元阵列

[发明专利]存储器阵列-CN201880027812.1有效
发明人：山·D·唐;M·C·罗伯茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：一种存储器阵列包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级。所述存储器单元个别地包括晶体管及电容器。(a)所述晶体管的沟道区或(b)所述电容器的一对电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者正上方。揭示额外实施例及方面。
存储器阵列

[发明专利]半导体器件和电子系统-CN202211002748.6在审
发明人：孙仑焕;金亨珍;辛承俊;申重植;申旻树;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：下阶梯连接部，在衬底上位于第一竖直高度处；上阶梯连接部，在衬底上位于高于第一竖直高度的第二竖直高度处；下绝缘块，在第一竖直高度处接触多个下导电焊盘部中的每一个；上绝缘块，在第二竖直高度处接触多个上导电焊盘部中的每一个；中间绝缘膜，在第一竖直高度和第二竖直高度之间的第三竖直高度处在下绝缘块和上绝缘块之间；以及第一插塞结构，沿竖直方向延伸到下阶梯连接部、中间绝缘膜和上绝缘块中，其中，第一插塞结构在水平方向上的宽度在第三竖直高度处最大。
半导体器件电子系统

[发明专利]三维存储器及三维存储器的制备方法-CN202080101285.1在审
发明人：景蔚亮;王正波;崔靖杰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器和三维存储器的制备方法。三维存储器包括层叠结构、通道结构、存储结构。层叠结构包括交替堆叠的导体层和介质层。通道结构贯穿层叠结构。所述导体层中包括导电材料。所述存储结构在所述导体层中，形成于所述通道结构的表面，且处于所述通道结构和所述导电材料之间。三维存储器的存储结构位于导体层中，并且形成于通道结构的表面，从而制造三维存储器时，能够避免去除牺牲材料时由于工艺偏差对三维存储器的性能产生的影响。
三维存储器制备方法

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