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[发明专利]一种基于斜率检测的死区时间产生电路-CN202210799433.2在审
发明人：方健;张益森;史清晨;杨曦禾;颜泠;唐玲丽;梁英东;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明属于功率集成电路技术领域，具体的说是涉及一种基于斜率检测的死区时间产生电路。本电路通过感应开关节点SW的变化斜率，检测SW节点电压发生变化的时间，生成相应的死区时间。通过感应计算出SW节点电压斜率经过两次零点的时间，就可以产生精确代表死区时间的窄脉冲，可以通过后续方法方便的处理这一窄脉冲，生成相应的带死区时间的信号。
一种基于斜率检测死区时间产生电路

[发明专利]改善降压电路切载瞬态响应的控制电路-CN202210726806.3在审
发明人：吴皓楠;郝军哲 -专利权人：骏盈半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本公开涉及一种改善降压电路切载瞬态响应的控制电路。该控制电路包括：上管导通控制单元，用于根据第一基准电压和降压电路的反馈电压获得延迟模式控制信号，并根据延迟模式控制信号和降压电路的占空比来获得上管导通信号，以控制上管的关断时间；下管导通控制单元，用于根据反馈电压、第二基准电压和延迟模式控制信号来获得下管导通信号，以控制上管的导通时间；控制信号输出单元，与上管导通控制单元和下管导通控制单元连接，用于根据上管导通信号和下管导通信号控制降压电路的上管和下管的导通和截止。通过本公开的方案，可以根据降压电路的占空比来改善降压电路切载时的瞬态响应。
改善降压电路瞬态响应控制电路

[实用新型]一种大电流低压降可控电路-CN202220166532.2有效
发明人：刘珺;章秀福;陈光涛 -专利权人：商洛市虎之翼科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大电流低压降可控电路，包括第一控制模块、第一PMOS管、第二控制模块和第二PMOS管。第一控制模块和第二控制模块通过分别对应控制第一PMOS管和第二PMOS管的开关状态，进而实现控制第一电路输入输出端和第二电路输入输出端之间的连接通路导通或截止，并控制导通电流的流向。利用PMOS管在截止的时候，电流可以从漏极流向源极的特性，将两个PMOS管的漏极相连，此时只需导通其中一个PMOS管，另一个即使在截止状态，电流也可以从导通状态的PMOS管的源极接电端流向截止状态的PMOS管的源极负载端，两个PMOS管的源极均可作为接电端或负载端，实现在任何场景下电流传输的双向可控；做到了低压大电流场景下，提升电路效率与电流载荷，降低了电路发热。
一种电流低压可控电路

[实用新型]一种死区时间产生电路-CN202221019783.4有效
发明人：高本峰 -专利权人：东科半导体（安徽）股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种死区时间产生电路，供电输入引脚接电源电压，两个分压电阻串联连接在供电输入引脚和地之间；两个分压电阻相接的第一电位点分别接双运算放大器的第一反相输入端和第二反相输入端，第一同相输入端串联第一电容接地；第二同相输入端串联第二电容接地；开关管S3、S5和开关管S6、S4分别串接在电源与地之间；开关管S3和S4由第一驱动信号控制，开关管S5和S6由第二驱动信号控制；第二驱动信号和第一输出端接入第一与门，第一与门的输出端输出第二半桥输出信号，第一驱动信号和第二输出端接入第二与门，第二与门的输出端输出第一半桥输出信号；两个半桥输出信号之间的死区时间与第一分压电阻和第二分压电阻之比具有相关性。
一种死区时间产生电路

[发明专利]同步工作模式下SiC MOSFET Boost变流器断续工作死区设置方法-CN202210649514.4在审
发明人：张雷;柏树根;吴典;钟健 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步工作模式下SiC MOSFET Boost变流器断续工作死区设置方法，包括：获取变流器的实际占空比D、输入侧电压Vi以及输出侧的电压Vo，将主开关管M1开通前的死区时间设置为Tahead；获取SiC MOSFET器件及其驱动电路的相关参数信息，将主开关管M1关断后的死区时间设置为Tafter。上述步骤在n个开关周期内完成，并以n个周期为一次循环时间执行本方法。本发明的死区设置方法既考虑了变流器工作在断续模式这一情形，又考虑了SiC MOSFET容性损耗和二极管的续流损耗，提高变流器在断续工作模式下的效率，无需额外的硬件电路，成本低，增强电路的稳定性。
同步工作模式 sic mosfet boost 变流器断续死区设置方法

[发明专利]一种死区时间可调节的半桥驱动电路-CN202210464485.4在审
发明人：高本峰 -专利权人：东科半导体（安徽）股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种死区时间可调节的半桥驱动电路，包括：互补驱动信号发生电路和死区时间产生电路；互补驱动信号发生电路包括第一分压电路；死区时间产生电路包括第二分压电路；互补驱动信号发生电路输出组成互补脉冲宽度调制信号的第一驱动信号和第二驱动信号，并作为死区时间产生电路的逻辑控制信号，使得死区时间产生电路的输出第一半桥输出信号和第二半桥输出信号；第一/第二半桥输出信号的低电平输出随第一/第二驱动信号的信号翻转同时响应，第一/第二半桥输出信号的高电平输出随第一/第二驱动信号翻转延时响应；第一分压电路用以控制第一/第二驱动信号的翻转周期；第二分压电路用以控制延时响应的时间，即半桥驱动电路的死区时间。
一种死区时间调节驱动电路

[发明专利]一种HERIC逆变电路-CN202210796936.4在审
发明人：覃寨华;刘平;陈述 -专利权人：深圳市高斯宝电气技术有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种HERIC逆变电路，第一对角开关管驱动电路由第一PWM信号驱动，第二续流管驱动电路的驱动由第四PWM信号驱动，第一对角开关管驱动电路的电源输入端通过第四PWM信号钳位；第二对角开关管驱动电路的驱动由第二PWM信号驱动，第一续流管驱动电路由第三PWM信号驱动，第二对角开关管驱动电路的电源输入端通过第三PWM信号钳位；驱动电路输入的驱动信号信号低电平为有效，在输出电压的正半周，第一PWM信号与第四PWM信号逻辑互补，第二PWM信号为高电平，第三PWM信号为低电平；在输出电压的负半周，第二PWM信号与第三PWM信号逻辑互补，第一PWM信号为高电平，第四PWM信号为低电平。本发明可以防止开关管与逻辑互补的续流管同时导通，电路的安全性好。
一种 heric 电路

[发明专利]死区补偿方法及装置、存储介质、终端设备-CN202210550609.0在审
发明人：文建军;吕佩师;高秋英;陈光胜 -专利权人：上海东软载波微电子有限公司;青岛海尔洗衣机有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种死区补偿方法及装置、存储介质、终端设备，所述死区补偿方法包括：获取电机的实时负载；当所述实时负载达到预设负载时，获取输入所述电机的各个相电流，计算各个相电流的第一相位，并确定各个相电流的第一相位所处的目标扇区；或者，当所述实时负载未达到所述预设负载时，获取所述电机的转子电压的两相电压，根据所述转子电压的两相电压计算输入所述电机的各个相电压的第二相位，并确定各个相电压的第二相位所处的目标扇区；至少根据所述目标扇区对应的补偿方向对输入所述电机的电压进行死区补偿。使用上述技术方案能够根据电机的负载情况选择合适的方法进行死区补偿。
死区补偿方法装置存储介质终端设备

[发明专利]一种驱动信号互锁电路-CN202110461082.X有效
发明人：李伟明;吕奇颖;许巍;马聚坤 -专利权人：微山县微山湖微电子产业研究院有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明提出了一种驱动信号互锁电路，涉及电子电路技术领域。一种驱动信号互锁电路，其包括信号输入电路、信号处理电路、信号过渡电路和信号输出电路，信号处理电路的输入端接收输入信号，信号处理电路的输出端与信号过渡电路的输入端连接，信号过渡电路的输出端与信号输出电路的输入端连接，信号输入电路的输入端接收电源信号，信号输入电路与信号输出电路连接，信号输出电路的输出端发送输出信号。该驱动信号互锁电路采用了数字电路中的逻辑关系，通过输出信号的控制位于上下臂的MOS管可以交替导通，从而避免了由于位于上下臂的MOS管同时导通而造成MOS管短路的情况发生，也就避免了MOS管短路而引起MOS管损坏。
一种驱动信号互锁电路

[实用新型]一种H全桥数字逆变器的安全保护装置-CN202220826707.8有效
发明人：曾勇杰;徐洋;章治国;孙梅君 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及逆变器技术领域，公开了一种H全桥数字逆变器的安全保护装置，包括控制器、桥臂互锁保护电路、带载判断电路和带载控制电路，所述桥臂互锁保护电路用于防止逆变器中的H全桥的两组上下桥臂的驱动信号在同一时间为同相的高电平信号；所述带载判断电路用于检测并判断所述逆变器所在电路是否过载和/或短路，并将判断结果传输给所述带载控制电路；所述带载控制电路根据所述带载判断电路的判断结果发送不同的使能信号给所述桥臂互锁保护电路；所述控制器用于发出两路激活所述带载控制电路的时钟控制信号以控制所述带载控制电路发出重启所述桥臂互锁保护电路的使能信号。本发明使用两路可激活D触发器来实现重启功能。
一种数字逆变器安全保护装置

[发明专利]变换器的死区时间处理方法、装置及变换器-CN202210289687.X在审
发明人：於昌虎;曾正球;温镓俊 -专利权人：深圳南云微电子有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种变换器的死区时间处理方法、装置及变换器。其中，该方法包括：获取在变换器的主开关管关断后副边电流第一次减小的变化斜率，基于副边电流的变化斜率，获取变换器的原边的励磁电感电流的过零点时刻，获取过零点时刻与变换器的钳位管的关断时刻之间的时间差，基于时间差确定变换器的原边的死区时间，其中，死区时间为钳位管的关断时刻到变换器的主开关管开通的时间段。本发明解决了相关技术中，在变换器由DCM模式向CCM模式转变时，存在死区时间突变所导致的变换器环路稳定性差，以及主开关管无法在开关节点电压降至最低点时开通的的技术问题。
变换器死区时间处理方法装置

[发明专利]一种同步降压转换器的自适应死区时间控制-CN202280000418.5在审
发明人：沈德诺;胡小勇;程雨榭 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：开关模式电源(SMPS)在启动过程中逐渐增加占空比，同时将初始死区时间减少到正常运行的最终最佳死区时间。较大的初始死区时间提高了可靠性，在启动过程早期的低电压条件下减少了开关晶体管的振铃。当电压接近工作水平时，通过减少最佳死区时间，效率得到提高。初始死区时间是作为输入电压和初始占空比的函数预先计算的。最佳死区时间是作为输出电压和输出电流的函数预先计算的。最佳死区时间在第二循环的每次迭代中被调整，该第二循环也增加占空比，直到达到目标工作输出电压。预先计算的死区时间是基于SMPS电路中开关晶体管的寄生漏极‑到‑源极电容完全充电和放电所需的时间。
一种同步降压转换器自适应死区时间控制

[实用新型]集成于双通道栅极驱动芯片的死区时间控制电路-CN202123135918.1有效
发明人：柳婧;傅俊寅;黄辉;王伟;汪之涵 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成于双通道栅极驱动芯片的死区时间控制电路，包括检测延时单元及逻辑处理单元。所述检测延时单元包括用于输入第一控制信号的第一输入端、用于输入第二控制信号的第二输入端及用于控制死区时间模式的第三输入端。所述检测延时单元用于根据第三输入端的不同连接方式输出死区模式信号，以及用于对两路控制信号延时处理，以输出两路延时控制信号，所述逻辑处理单元对上述信号进行逻辑处理，以输出不同死区时间模式的双路驱动控制信号；其中，所述第三输入端具有三种连接方式：连接电源、悬空、通过电阻接地。本申请仅复用单个引脚就能切换不同死区时间模式，以满足不同的应用场景，从而降低成本。
集成双通道栅极驱动芯片死区时间控制电路

[发明专利]集成于双通道栅极驱动芯片的死区时间控制电路-CN202111525066.9在审
发明人：柳婧;傅俊寅;黄辉;王伟;汪之涵 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成于双通道栅极驱动芯片的死区时间控制电路，包括检测延时单元及逻辑处理单元。所述检测延时单元包括用于输入第一控制信号的第一输入端、用于输入第二控制信号的第二输入端及用于控制死区时间模式的第三输入端。所述检测延时单元用于根据第三输入端的不同连接方式输出死区模式信号，以及用于对两路控制信号延时处理，以输出两路延时控制信号，所述逻辑处理单元对上述信号进行逻辑处理，以输出不同死区时间模式的双路驱动控制信号；其中，所述第三输入端具有三种连接方式：连接电源、悬空、通过电阻接地。本申请仅复用单个引脚就能切换不同死区时间模式，满足不同的应用场景，降低成本。
集成双通道栅极驱动芯片死区时间控制电路

[实用新型]一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路-CN202122265003.6有效
发明人：肖龙;詹荣花;李岩;连和谬;吴正炀;周秀敏 -专利权人：闽南理工学院
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子领域，尤其是涉及的是一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路，该上桥臂电路包括第一驱动电路、第一低阻抗桥臂串扰抑制电路，该下桥臂电路包括第二驱动电路、第二低阻抗桥臂串扰抑制电路。该电路从减小处于关断状态的GaN HEMT门级关断回路阻抗的角度出发，在不影响GaN HEMT正常关断速度和不采用负压关断增加反向过压的前提下，抑制了门级反向过冲的产生。
一种抑制 gan hemt 半桥串扰导通驱动电路