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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固体摄像器件及其制造方法-CN200610071958.5无效
发明人：山田彻 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L29/765 文献下载
摘要：本发明提供一种固体摄像器件，具有设置了光电转换部(11a)、垂直CCD(2)、垂直总线部(16)的半导体基板，垂直CCD(2)具有传送通道(2a)、第一垂直传送电极(6)、第二垂直传送电极(9)和遮光膜(13)，将第一传送电极(6)和第二传送电极(9)配置成，在没形成传送通道(2a)的区域上第二传送电极(9)位于第一传送电极(6)的上面，在形成有传送通道(2a)的区域上，第一传送电极(6)和第二传送电极(9)相邻接，形成有第二传送电极(9)的传送通道(2a)的区域上的部分在上述半导体基板的厚度方向不与第一传送电极(9)重合。
固体摄像器件及其制造方法

[发明专利]电荷耦合装置及固体摄像装置-CN200610004894.7无效
发明人：大乡尚彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L29/765 文献下载
摘要：在相应于最终级传输电极(56－2)及OG(76)各自的沟道区域(60)的位置上形成朝水平方向突出的凸部，仅在该部分上使两电极间的重叠产生。在设置凸部以外部位上OG(76)和传输电极(56－2)之间形成间隙。特别是在将OG(76)、传输电极(56－2)分别面向配线(78)、(54)而比较长地拉伸延长了的部分上，两电极相互不重合。这样缓和两电极间的电容耦合。由此，解决了在CCD移位寄存器的输出端，通过输出栅电极(OG)和最终级传输电极的电容耦合，使OG的电位相应于传输时钟而变动的结果，在输出信号上容易产生噪音的课题。
电荷耦合装置固体摄像

[发明专利]固体摄像元件-CN200410095087.1无效
发明人：浜田稔;东堤良仁 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-11-23 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L29/765 文献下载
摘要：提供一种固体摄像元件，在电荷存储期间，将1组传送电极(24)中的3个传送电极(24－2～24－4)变为ON状态并在其传送电极(24－2～24－4)下的沟道区域中形成势阱(30)，将产生的信息电荷存储。另一方面，在非电荷存储期间，将1组传送电极(24)中用遮光膜覆盖的1个传送电极(24－3)变为ON状态并在其传送电极(24－3)下的沟道区域中形成势阱(31)，将在电荷存储期间所存储的信息电荷原样保持。由此，能够解决测距传感器用固体摄像元件在电荷存储期间和非电荷存储期间之间的灵敏度差较小，算出距离时的误差变大等问题。
固体摄像元件

[发明专利]信号处理装置-CN200410077046.X无效
发明人：松山久;渡边透 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L29/765 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在光学黑体区域或受光像素区域中存在缺陷像素，也可以得到正确的再生图像数据的信号处理装置。首先，开始摄像动作之后生成黑色数据B(n)，并从已生成的黑色数据B(n)中检测出缺陷黑色像素候补。并且，进行多个画面的摄像，每次摄像都检测出缺陷黑色像素候补。若结束跨越多个画面的缺陷黑色像素候补的检测，则从多个画面的缺陷黑色候补中判断出真正的缺陷黑色像素。之后，生成判断为真正的缺陷黑色像素的黑色像素的位置信息，并存储在位置存储器(78)中。并且，在以后的摄像动作中，根据存储在位置存储器(78)中的位置信息，生成箝位脉冲CLP。
信号处理装置

[发明专利]电荷耦合器件及其制造方法-CN03107500.2无效
发明人：笹田一弘;沖川滿;泉誠 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-03-21 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L29/765 文献下载
摘要：本发明涉及电荷耦合器件及其制造方法。采用本发明能够得到具有单层的栅极构造，而且性能良好的电荷耦合器件。该电荷耦合器件是具有单层的栅极构造的电荷耦合器件，具备：形成于半导体基板的栅极绝缘膜、由形成于栅极绝缘膜上的绝缘物构成的多个隔片、以及配置于相邻的隔片间，具有沿隔片的侧部形成的侧面的凹状的栅极。这样，如果以光刻下限尺寸以下的宽度形成隔片，则相邻的栅极间的间隔小于光刻下限尺寸。
电荷耦合器件及其制造方法

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