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- [实用新型]封装基板及集成电路封装体-CN201620134223.1有效
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李顺强
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日月光封装测试(上海)有限公司
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2016-02-23
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2016-09-07
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H01L23/28
- 本实用新型是关于封装基板及集成电路封装体。本实用新型的一实施例提供一种封装基板,包含若干封装基板单元;其中每一封装基板单元包含:芯片承载区,经配置以承载芯片;塑封区域,环绕所述芯片承载区;及若干导电迹线,延伸于所述芯片承载区与所述塑封区域之间。该封装基板还包含若干注胶流道,延伸于所述若干封装基板单元之间;且若干注胶流道中每一者具有延伸至所述若干封装基板单元中对应者的所述塑封区域的注胶指部;所述注胶指部呈末端收窄状自所述塑封区域外延伸入所述芯片承载区与所述塑封区域之间。本实用新型提供的封装基板及集成电路封装体可有效避免注胶指部从封装基板上剥落,进而提高封装基板和集成电路封装体的可靠性及外观质量。
- 封装集成电路
- [实用新型]一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构-CN201521074463.9有效
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郭桂冠;王政尧
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苏州日月新半导体有限公司
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2015-12-22
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2016-07-06
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H01L23/28
- 本实用新型属于半导体封装技术领域,涉及一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构,包括金属屏蔽层、胶封体、阻焊层、镍或金层、单层基板、BT树脂层、封装元件、引脚,金属屏蔽层覆盖在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上,金属屏蔽层的厚度大于1 um;封装结构的单层基板的厚度为0.05-0.3 mm。本实用新型实现对超薄封装结构金属屏蔽层的有效涂覆,使封装结构达到良好的电磁屏蔽和电磁兼容性能,采用半切(Half cut)工艺,一次性对整条单层超薄基板封装产品进行金属屏蔽层涂覆,从而提高生产效率;并在后续的单层超薄基板封装产品的引脚处,植锡球或印刷锡膏,或者通过化学沉积工艺沉积Ni/Au,有效避免引脚电镀时短路的缺陷。
- 一种金属屏蔽单层超薄封装结构
- [实用新型]封装结构-CN201520608933.9有效
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王之奇;洪方圆
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苏州晶方半导体科技股份有限公司
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2015-08-13
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2016-02-24
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H01L23/28
- 本实用新型提供了一种封装结构,所述封装结构包括:芯片单元,所述芯片单元的第一表面包括感应区域;以及上盖板结构,所述上盖板结构的第一表面具有凹槽结构;其中,所述芯片单元的第一表面与所述上盖板结构的第一表面相对结合,所述感应区域位于所述凹槽结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内;所述上盖板结构还包括与第一表面相对的第二表面,且所述上盖板结构第二表面的面积小于第一表面的面积。本实用新型的封装结构可以减少入射至所述感应区域的干扰光线。
- 封装结构
- [实用新型]功率模块-CN201520466145.0有效
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平良哲
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三菱电机株式会社
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2015-07-01
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2016-01-27
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H01L23/28
- 本实用新型提供一种功率模块,该功率模块(10)具有基板(2)与安装在基板上的电子部件(4),所述基板(2)与所述电子部件(4)封装在树脂层(1)中,在所述基板(2)上设有覆盖所述电子部件(4)的隔离物质层(3)。采用本实用新型,由于隔离物质层(3)隔离电子部件(4)和树脂层(1),因而,能够避免在打开封装作业中、用激光切割等手段剖开树脂层(1)时误伤电子部件(4)。
- 功率模块
- [发明专利]半导体装置-CN201380074731.4在审
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山本圭;多田和弘;北井清文;芳原弘行
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三菱电机株式会社
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2013-12-26
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2015-12-09
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H01L23/28
- 本发明的目的是提供一种利用模塑树脂将引线框和控制电路基板一体地封装的可靠性高的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置(100)具有:金属部件(7),其在一个面搭载有半导体元件(11);金属板(9),其经由绝缘层(8)配置于金属部件(7)的另一面侧;印刷配线板(3),其搭载有与半导体元件(11)电连接的电气部件(4);以及封装树脂(10),其将金属部件(2)、印刷配线板(3)和金属板(9)一体地封装,在使用环境温度下的线膨胀系数为15~23×10﹣6(1/K)。
- 半导体装置
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