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[发明专利]制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法-CN200810115182.1无效
发明人：张兴旺;高云;屈盛;陈诺夫 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-06-18 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明一种制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用双亲嵌段共聚物PS-P4VP在甲苯中自组装成反胶束，然后将金属盐FeCl₃和H₂PtCl₆加入所述反胶束溶液中，形成金属盐负载的反胶束；步骤2：利用旋涂法在硅衬底上获得反胶束阵列，并通过氧等离子体和氢等离子体刻蚀而得到单分散性良好的FePt纳米颗粒阵列；步骤3：用磁控溅射法在FePt纳米颗粒阵列上覆盖一层SiO₂保护层；步骤4：保护气氛下对样品进行高温退火，完成平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的制作。
制备平行取向 fept 磁性纳米复合薄膜方法

[发明专利]铁酸钴磁性厚膜的制备方法-CN200910046943.7无效
发明人：翟继卫;莫伟锋;张玲 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种铁酸钴磁性厚膜的制备方法，为将铁酸钴分散在溶剂中制成浓度均匀的悬浮液，然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明制得的铁酸钴磁性厚膜具有较高的矫顽磁场和磁饱和强度，可应用于制备厚膜电容，移相器，而且具有设备简单、成本低、成膜快、组分易于控制的特点。
铁酸钴磁性制备方法

[发明专利]一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法-CN200710160238.0无效
发明人：严密;顾浩;马天宇;罗伟 -专利权人：浙江大学;横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法。它用乙酸锌、醋酸亚铁作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，并加入乙醇胺作为稳定剂，抗坏血酸作为抗氧化剂，搅拌得到溶胶，将溶胶经烘干、热处理后得到氧化锌掺铁稀磁半导体材料粉末，或者将溶胶滴加在衬底上，采用旋涂的方法得到氧化锌掺铁稀磁半导体材料薄膜。本发明中抗坏血酸在样品制备过程中起着关键的作用，它能够有效地保护Fe²⁺离子在空气环境中不被氧化，更易于进入ZnO晶格完成无序取代，使Fe的掺杂量得到提高，达到10％，超越了原来传统溶胶－凝胶制备工艺中所能达到的最高掺杂浓度7％。样品保持单一的ZnO纤锌矿结构，并表现出明显的室温铁磁性。
一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料制备方法

[发明专利]一种非铅铁电薄膜的低温制备方法-CN200510110554.8无效
发明人：翟继卫;徐金宝 -专利权人：同济大学
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明属于制备非铅系的铁电薄膜的制备方法技术领域。本发明所述的非铅铁电薄膜的制备方法是：将涂覆好的薄膜浸渍在90－350℃水热溶液中热处理10～30小时，然后溅射上电极即可。本发明所涉及的薄膜属非铅体系，如Ba(Zr，Ti)O₃(BZT)、Ba(Ti，Sr)O₃(BST)等，水热反应条件比较温和、能耗较低、适用性广，在水热环境中使薄膜的晶粒长大，可以通过对反应温度、时间和压力，溶液的组成以及溶液pH值等因素的调节有效的控制反应和晶体生长进程。由本发明所述的方法制备的铁电薄膜可用于制备非挥发性存储器、红外探测器件以及微波器件等。
一种铅铁薄膜低温制备方法

[发明专利]微细磁性元件及其电化学制造方法-CN200610096724.6有效
发明人：曲宁松;朱狄;曾永彬 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2006-10-12 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种微细磁性元件及其电化学制造方法，属于电铸制造领域。本发明的微细磁性元件特征在于：具有复合层与强磁性粒子层交替形成的叠层结构，且所述的复合层由金属与强磁性粒子组成。这样，显著提高磁性元件的最大磁能积，并且，在具有高最大磁能积的同时，显著降低磁性元件的尺寸。本发明的微细磁性元件的电化学制造方法，包括以下步骤：(1)、将掩膜板浸入含有强磁性粒子的电解液中；(2)、将电铸电源负极与所述掩膜板相连，正极与阳极相连；(3)、利用掩膜板上的掩膜限制沉积区域；(4)、在掩膜板后方放置一块磁铁；(5)、控制电铸回路有规律的导通和断开，使掩膜板上形成叠层结构的沉积层。
微细磁性元件及其电化学制造方法

[发明专利]一种铁电/铁磁两相复合薄膜及其制备方法-CN200610052569.8无效
发明人：杜丕一;董艳玲;宋晨路;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明公开的铁电/铁磁两相复合薄膜是在Si基板上原位生成的铁电相和铁磁相两相复合薄膜，其中铁电相为PbTiO₃相，铁磁相为NiFe₂O₄相。其制备方法：以醋酸铅，钛酸丁酯，醋酸镍和硝酸铁为溶质，乙酸和乙二醇甲醚为溶剂配制溶胶先驱体。然后用浸渍提拉法在Si基板上镀膜，在不同温度下热处理。本发明工艺简单，成本低廉；用sol－gel法原位形成铁电/铁磁相复合材料可以使两相在分子尺度上均匀复合，大大增加接触面积，使磁电系数更高；sol－gel法原位铁电铁磁薄膜的制备技术可与半导体集成电路技术相兼容，使得开发集半导体大规模集成电路与铁电铁磁复合薄膜诸功能于一体的多功能电路、器件和系统具有更好的应用前景。
一种两相复合薄膜及其制备方法

[发明专利]微细磁性元件的化学沉积及电化学沉积制造方法和系统-CN200610085359.9有效
发明人：曲宁松;朱荻 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：一种微细磁性元件的化学沉积及电化学沉积制造方法和系统，属化学沉积和电铸加工领域。本发明方法及系统的关键之处在于：在现有的微细化学复合沉积或电化学复合沉积制造方法及系统基础上，在掩膜板后方施加了一块外加磁铁，促进了电解液中的强磁性粒子向掩膜板的运动，并且运动到掩膜板表面的强磁性粒子由于磁力的吸引作用很难再脱离掩膜板表面，这样提高了强磁性粒子在复合沉积层中的含量，扩大了复合沉积层的磁能积，提高了微型磁性元件的磁力矩。在输出相同磁力矩的情况下，显著缩小了磁性元件的尺寸，拓展了微型磁性元件的应用范围。
微细磁性元件化学沉积电化学制造方法系统

[发明专利]具有磁性层结构的器件的制造方法-CN200480016087.6无效
发明人：雅各布斯·J·M·卢伊格罗克;约安内斯·B·A·D·范佐恩;弗雷德里克·W·M·范黑尔蒙特;威廉·J·A·热万 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-06-01 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：公开了一种具有磁性层结构的器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成磁性层结构(2)；用电流加热该磁性层结构，其中电流是具有一定持续时间的脉冲(3)，从而从该层结构向层结构的环境(4)基本上不发生热传递，因而所述环境的温度在电流脉冲之前和之后基本上相同。热量基本上消散在层结构中。因此这种方法允许选择层结构中的物理工艺，以便优化磁阻器件的磁或电特性，同时不干扰环境如相邻器件。该方法可以有利地用于在设置成惠斯登桥结构(16)的不同磁阻器件(12、13、14、15)的偏置层中设置不同的磁化方向(9、10)，或者用于减小所述惠斯登桥的输出特性的偏移。
具有磁性结构器件制造方法

[发明专利]非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件的制作方法-CN200610023898.X无效
发明人：周勇;丁文 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：一种微电子技术领域的非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件的制作方法，其制作方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体和引脚；去光刻胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；溅射FeCuNbCrSiB薄膜和刻蚀FeCuNbSiB薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀连接导体和引脚；去正胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀顶层线圈；去光刻胶和底层；磁场退火。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。
fecunbcrsib 薄膜螺线管电感器件制作方法

[发明专利]基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法-CN200610023896.0无效
发明人：周勇;丁文 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：一种微电子技术领域的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜和刻蚀FeCuNbSiB磁性薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀连接导体；去正胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀顶层线圈和引脚；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；磁场退火。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。
基于 fecunbcrsib 磁性薄膜螺线管电感器件制作方法

[实用新型]共模滤波器改良结构-CN200420089266.X无效
发明人：谢明谚 -专利权人：西北台庆科技股份有限公司
申请日： 2004-09-27 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种共模滤波器的改良结构，其主要将一第一平面导线与第二平面导线以互呈平行直线印刷于下料片，将数组第一导线与第二导线印刷于下料片，由数组绝缘膜面分别盖覆数组第一平面导线及第二平面导线，再以上料片盖合后，再由第一平面导线及第二平面导线延伸至上料片与下料片侧缘形成外部电极。
滤波器改良结构

[发明专利]柔体磁性材料-CN200410038082.5无效
发明人：洪振宁 -专利权人：洪振宁
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：一种柔体磁性材料，由柔性材料、磁性粉末材料复合制得。属磁性材料加工技术领域，主要解决现有技术制得的磁性材料均为刚体结构。在需柔性等强磁场应用场合困难的问题。由于柔体磁性材料可有效的解决上述难题，使得本发明在医疗、保健、家居生活、防电磁辐射等领域有极大应用前景。
磁性材料

[发明专利]垂直各向异性铁基软磁薄膜的制备方法-CN200310109546.2无效
发明人：袁望治;李晓东;阮建中;赵振杰;杨燮龙 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：一种垂直各向异性铁基软磁薄膜的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，用射频磁控溅射方法在基片上制备铁基软磁薄膜，完成制备后在适当温度退火，不加外磁场或在垂直于膜面的外磁场内冷却，得到垂直各向异性铁基软磁薄膜，基片为载玻片或硅片，靶材为铁基软磁合金：Fe_70+xCu₁Nb₃Si_17－xB₉或Fe_68+xCu₁Cr₂V₄Si_16－xB₉，x为0～5，有制备工艺简单，效率高，成本低的优点，本发明制备的产品性能优良和稳定：薄膜附着力强，膜层厚度均匀，薄膜成分相对靶材成分变化小，重复性好，这对高密度垂直磁记录及磁光存储等技术领域具有很大的应用价值。
垂直各向异性铁基软磁薄膜制备方法

[发明专利]纳米磁性网络结构薄膜的制作方法-CN200310122815.9无效
发明人：沙健;勇本收;杨德仁;张年生;牛俊杰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-12-21 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。1)把99.99％的铝箔退火；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化；3)清洗；4)二次氧化；5)除去未被氧化的铝；6)清洗；7)沉积铁、镍；8退火。本发明的优点是：1)制备简单，费用低廉；2)纳米孔道氧化铝模板的制备技术成熟。早在上个世纪60年代末，70年代初的时候氧化铝模板的制备研究已经开始，到现在，人们已经可以制备出孔道排列的更加有序的模板；3)沉积铁、镍容易。使用磁控溅射法很容易把铁或镍以原子、分子状态溅射下来，均匀沉积到氧化铝模板上；4)应用前景广泛。纳米磁性网络结构薄膜比平面磁性薄膜在高密度光和磁信息贮存方面具有更加广泛的应用前景。
纳米磁性网络结构薄膜制作方法

[发明专利]复合导磁体、复合导磁板及其制造方法-CN00130056.3无效
发明人：小野典彦;吉田荣吉 -专利权人：株式会社东金
申请日： 2000-10-25 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：在一种制造复合导磁体的方法中，内部应变已被消除的扁平软磁粉和由溶解在一种溶剂之中的粘合剂组成的浆状磁涂料通过压模涂覆、影印涂覆或反向涂覆而被形成在一个平板中，该粘合剂含有一种氯乙烯树脂，其玻璃化转变温度不低于50℃。
复合磁体导磁板及其制造方法