专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]信用卡数据读取用磁头-CN201080011951.9有效
  • 金弼镛 - 唯一电子株式会社
  • 2010-03-03 - 2012-02-15 - G11B5/29
  • 本发明涉及信用卡数据读取用磁头以读取信用卡的各数据轨道,该信用卡的磁条内具备有互相维持间距的3个数据轨道。此磁头包括:第一本体单元,把复数个磁芯收纳并固定在对称的两个壳体内并具备第一、第二磁性轨道,第一、第二磁性轨道之间具有和信用卡的第一数据轨道及第二数据轨道之间维持的间距相同的间距;第二本体单元,把复数个磁芯收纳并固定在对称的两个壳体内并具备一个第三磁性轨道且与第一本体单元相邻;复数个软磁性构件,在第一本体单元及第二本体单元的一侧面或两侧面安装在壳体周缘,下端形成有可以和电路及金属材料的框架进行接地的朝下突出的接地连接部;第一本体单元及第二本体单元以维持着和上述信用卡的第二数据轨道及第三数据轨道之间维持的间距相同间距地互相组合,在信用卡磁条内的3个数据轨道读或写数据。本发明提供分割的本体单元,不必使用螺丝就可牢靠地将磁芯固定在对称的两个壳体而使两个壳体不分离,并且可以在国际标准化组织所指定的信用卡的各数据轨道之间所维持的窄间距内配置防止信号相互干涉的软磁性构件,可以按照和规格化的信用卡的数据轨道之间的间距相同的间距来组合各本体单元,即使信用卡的作为磁记录介质的磁条部位发生弯曲或变形,各本体单元的磁性轨道也可以独立地接触磁条的变形表面而得以更加准确地读取记录在磁条内的各数据轨道的数据。
  • 信用卡数据读取磁头
  • [发明专利]多磁头并行读写硬盘及硬盘多磁头并行读写方法-CN03118149.X无效
  • 谢建全 - 谢建全
  • 2003-03-07 - 2004-09-08 - G11B5/29
  • 本发明属于计算机存储设备技术领域,涉及一种多磁头并行读写硬盘及硬盘多磁头并行读写方法。该多磁头并行读写硬盘包括磁头臂、磁头、存储盘片,在每片存储盘片上的每个存储面上安装多个读写磁头,并让这些读写磁头并行工作连接到读写电路。由于它是由多个磁头同时对同一片磁盘进行并行读写,在不依赖主轴转速的提高、磁头寻道速度的提高以及存储密度的提高的前提下,使用多磁头进行并行读写的新式硬盘的内部数据传输度将与并行读写磁头的数量成正比,因此内部传输速度可成倍提高。硬盘多磁头并行读写方法,是让多个盘面上的磁头同时进行读写,或者一个盘面上安装多个磁头并且让这些磁头同时进行读写,使用多磁头并行读写后,在同一时刻读写多个磁单元的内容,成倍提高内部传输速度。
  • 磁头并行读写硬盘方法
  • [发明专利]头装置的制造方法-CN00803460.5无效
  • 冈那哲也;藤木三久;山林悟志;小笠原真也 - 松下电器产业株式会社
  • 2000-11-29 - 2002-03-06 - G11B5/29
  • 头相对高度Y对于Y’的头装置、在研磨量ΔGD进行ΔGD’的加工的情况下,对于与头相对高度Y’大致相同的头装置,利用预先求出的、研磨前后的头前面曲面顶点与头间隙的距离Bo、与间隙深度尺寸GD之关系求出对应于研磨后Bo目标值的Bo1,将其作为上述头相对高度Y’的头装置之Bo1。由于这一点,由于预先求出对应于目标值的Bo1而进行头芯片前面的研磨,故可效率良好地制造把研磨后Bo纳入到规格值内的头装置,可使成品率提高。
  • 装置制造方法
  • [发明专利]稳定性提高的磁阻传感器-CN97182159.3无效
  • D·麦肯;A·B·约翰斯顿 - 西加特技术有限公司
  • 1997-09-04 - 2000-05-24 - G11B5/29
  • 磁性存储装置(10)中的换能器(56)包括具有有效区(65)的细长磁阻元件(64)。第一和第二电触点(66)在有效区(65)的两侧耦合到细长磁阻元件(64)。底部感应写磁极和共享屏蔽(72)靠近于细长磁阻元件(64)且包括主体区(122)和靠近有效区(65)的磁极尖端区(120)。共享屏蔽(72)包括在磁极尖端区(120)和主体区(122)之间限定的凹槽(124),从而提高磁极尖端区(120)中的磁稳定性。顶部感应写磁极(79)与底部感应写磁极和共享屏蔽(72)隔开以形成磁隙缝,磁极尖端区(120)由于感应地写信息。
  • 稳定性提高磁阻传感器

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