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- [发明专利]支持写入命令的两阶段缓冲操作-CN202180090678.1在审
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谭华;周玲烨
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美光科技公司
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2021-03-01
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2023-09-08
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G06F12/02
- 描述用于支持写入命令的两阶段缓冲操作的方法、系统及装置。如果以非零多平面页面偏移开始将数据写入到存储器装置,那么针对所述数据的读取性能可由于裸片未对准而显著降低。为了避免裸片未对准,存储器系统可支持两个缓冲器用于写入数据:刷新缓冲器及临时缓冲器。所述存储器系统可基于数据传送大小及阈值大小来确定是否将接收到的数据添加到所述刷新缓冲器、所述临时缓冲器或其组合。如果所述临时缓冲器中的所述数据满足复制条件,那么将所述临时缓冲器中的所述数据复制到所述刷新缓冲器。如果所述刷新缓冲器中的所述数据满足刷新条件,那么以零多平面页面偏移开始将所述刷新缓冲器中的所述数据写入到所述存储器装置。
- 支持写入命令阶段缓冲操作
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