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[发明专利]生长锗晶体的方法-CN201480046070.9在审
发明人：王国剑;梅东明 -专利权人：南达科他州评议委员会
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：根据本发明，教导的是在钢熔炉内部使用石英屏障的高纯度锗晶体生长方法。所述石英屏障不仅适用于引导惰性气体的流动，也防止锗熔体受到隔热材料、石墨坩埚、感应线圈和不锈钢室的污染。称重传感器提供了晶体直径的自动控制，并且有助于确保锗熔体的耗尽。所述方法方便且有效地由相对低水平熟练的操作者制造高纯度锗晶体。
生长晶体方法

[发明专利]一种单晶SiC及其制作方法-CN201410523794.X在审
发明人：段兴 -专利权人：段兴
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：一种单晶SiC及其制作方法，尤其是有完整单晶SiC结构特性，可以用作面材、薄膜、线材的以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成的单晶及其制作方法，其制作方法由二步组成：网格状、集束状的单晶SiC复合体生成与二次补偿单晶SiC生成。该单晶有完整单晶结构特性，以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成，设备简单，不需要特别条件，成本低、产量大；可二次补偿，缺陷容易控制，质量成品率高；晶圆尺寸不受限制，长度可控，可连续生成，适宜大批量生产。
一种 sic 及其制作方法

[发明专利]一种含钛晶须的制备方法-CN201410240661.1在审
发明人：张绘;齐涛;王硕;杨轩;杜志华;郭九吉;薛天艳;王丽娜 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明属于无机功能材料制备技术领域，具体地，涉及一种含钛晶须的制备方法。本发明的含钛晶须的制备方法，包括以下步骤：(1)将含钛原料与氯化物盐混合，升温至氯化物盐熔化，反应一段时间后冷却；(2)产物经水洗去除可溶成分，剩余固体经过滤、烘干，即得到含钛晶须。与现有的技术相比，本发明原料廉价易得，可采用多种含钛元素的矿物，而且不需要传统的价格高昂的碱金属碳酸盐或者氢氧化物，显著降低了生产成本。
一种含钛晶须制备方法

[发明专利]单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途-CN201080060438.9有效
发明人： P·韦贝尔;V·贝拉斯克斯;J-P·沙米纳德;O·维拉潘蓬 -专利权人：国立科学研究中心
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及采用高温助熔剂生长技术制备块状或薄膜的掺杂有正三价镧系元素离子的钪、钇或者稀土金属的立方倍半氧化物单晶（空间群No.206,Ia-3）的方法，以及根据该方法获得的所述单晶的各种应用，特别是在光学领域中的应用。
立方氧化物制备方法及其用途

[发明专利]制造碳化硅单晶的方法-CN201180009847.0无效
发明人：石井伴和 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：提供一种制造SiC单晶的方法，其中通过将第一籽晶浸在坩埚中的原料熔体中，在保持在籽晶保持器下端处的所述第一籽晶上生长SiC单晶；制造SiC单晶的该方法的特征在于在所述第一籽晶之外的区域中实施促进多晶生长的处理。
制造碳化硅方法

[发明专利]铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法-CN201210032188.9在审
发明人：何超;龙西法;李修芝;王祖建;刘颖 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明设计一种铁电单晶铌铟酸铅-钛酸铅的制备方法，属于晶体生长领域。本发明提供的制备方法，包括原料混合、化料、生长过程等，即采用顶部籽晶法成功生长了PIN-PT晶体。通过X-射线粉末衍射、铁电、介电和压电测量，分析了其结构、铁电、介电和压电性。优选组分0.655PIN-0.345PT晶体具有高的居里温度和三方-四方相变温度，并且具有优异的压电性能和机电耦合性能，具有广泛的应用前景。本方法设备简单，操作方便，能稳定提供高质量大尺寸的PIN-PT晶体，适合于批量生长。
铁电单晶铌铟酸铅钛酸铅制备方法

[发明专利]制备n-型Ⅲ族氮化物单晶的方法、所述单晶、和晶体基板-CN201110254068.9有效
发明人：岩田浩和 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及制备n-型III族氮化物单晶的方法、所述单晶、和晶体基板。制备n-型III族氮化物单晶的方法包括将至少包括包含III族元素的物质、碱金属、和氧化硼的原料放入反应容器中；通过将反应容器加热到氧化硼的熔点使氧化硼熔融；通过将反应容器加热到III族氮化物的晶体生长温度在反应容器中形成包括所述III族元素、所述碱金属、和所述氧化硼的混合熔体；通过使含氮气体与所述混合熔体接触将氮溶解到所述混合熔体中；和由溶解在混合熔体中的III族元素、氮、和氧化硼中的氧生长以氧作为给体掺杂的n-型III族氮化物单晶。
制备氮化物方法述单晶晶体

[发明专利]大规模氨热制备氮化镓晶棒的方法-CN200980134876.2无效
发明人：马克·P·德伊夫林 -专利权人： SORAA有限公司
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大规模制备氮化镓晶棒的方法。将大面积单晶籽晶板悬挂在架中，与氨和矿化剂一起置于大直径高压釜或内部加热的高压装置中，并以氨热方式生长。籽晶取向和装配几何形状选择为提供籽晶板及高压釜或高压装置内体积的有效利用。所述方法可放大至非常大的量且成本有效。
大规模制备氮化镓晶棒方法

[发明专利]一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法-CN200810072362.6无效
发明人：陈伟;江爱栋 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长LBO(LiB3O5，三硼酸锂)晶体的新工艺技术。尤其是能够生长大尺寸高质量LBO单晶的技术。为了克服LBO晶体在生长过程中溶质较难输运的问题，本发明提供了一种特殊的溶液强制对流工艺，并改进溶剂成份，有效地解决了溶质输运困难的问题。本发明在晶体生长的溶液中增加6搅拌叶片，如图所示，6搅拌叶片随着晶体的转动而转动，带动整个溶液的流动，从而加快溶质的输运。本发明在溶液中除加入B2O3作为熔剂外，还加入大量的LiF作为助熔剂。由于F-具有断键作用，它可以有效地破坏硼氧网络结构，极大地降低了溶液的粘滞度，让晶体在生长过程中能迅速而有效地进行排杂，极大减少了缺陷的形成。
一种生长尺寸质量 lbo 晶体特殊工艺方法

[发明专利]氮化镓晶体和晶片-CN200780049761.4无效
发明人：马克·P·德维林;朴东实;史蒂文·F·勒布厄夫;拉里·B·罗兰;克里斯蒂·J·纳兰;洪慧聪;斯蒂芬·D·阿瑟;彼得·M·桑德维克 -专利权人：莫门蒂夫性能材料股份有限公司
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：披露了一种氮化镓晶体。该晶体具有至少一个晶粒，该晶粒的至少一个尺寸大于2.75mm，具有小于约10⁴cm^-2的位错密度，且基本不含倾斜晶界。
氮化晶体晶片

[发明专利]用于形成氮化物晶体的方法-CN200780037599.4无效
发明人：史蒂芬·艾佛烈德·泰索;东-斯尔·帕克;约翰·托马斯·勒曼;马克·德艾芙琳;克里斯蒂·纳拉恩;慧聪·洪 -专利权人：迈图高新材料公司
申请日： 2007-10-05 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：提供用于生长氮化物晶体的方法和选自AlN、InGaN、AlGaInN、InGaN和AlGaNInN中的一种的结晶成分。所述成分包括真的单晶，其从直径至少1mm的单核生长，没有横向应变和倾斜晶界，具有低于约10⁴cm^-2的位错密度。
用于形成氮化物晶体方法

[发明专利]块状单晶含镓氮化物及其应用-CN200580018822.1无效
发明人：罗伯特·德维林斯基;罗曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄;罗伯特·库哈尔斯基 -专利权人：阿莫诺公司
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：块状单晶含镓氮化物，其在晶种上沿至少基本垂直于晶种生长方向的方向生长，基本不扩展存在于晶种中的结晶缺陷，其位错密度不超过10⁴/cm²并显著低于晶种的位错密度，和具有大的晶格曲率半径，优选大于15m，更优选大于30m，最优选为约70m，其显著大于晶种的晶格曲率半径。
块状单晶含镓氮化物及其应用

[发明专利]Ⅲ族元素氮化物结晶制造装置以及Ⅲ族元素氮化物结晶制造方法-CN200580008118.8有效
发明人：森勇介;峯本尚;北冈康夫;木户口勋;川村史朗;佐佐木孝友;梅田英和;高桥康仁 -专利权人：松下电器产业株式会社;森勇介
申请日： 2005-04-27 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
元素氮化物结晶制造装置以及方法

[发明专利]生产单晶Cu(In,Ga)Se₂粉末和含有所述粉末的单粒膜太阳能电池的方法-CN200480037535.0无效
发明人：沃克尔·戈耶;马瑞·阿托萨尔;安·麦利卡尔;简·拉多加 -专利权人：绍于腾玻璃集团公司
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产含有Cu(In，Ga)Se₂化合物粉末的方法，所述方法包括下述步骤：将Cu和In和/或Cu和Ga铸成Cu为亚化学计量部分的CuIn和/或CuGa合金，生产含有所述CuIn和/或CuGa合金的粉末，向粉末中加入Se和Kl或NaI，将混合物加热至生成熔体，熔体中Cu(In，Ga)Se₂再结晶，与此同时，待生成的粉末颗粒生长，以及将熔体冷却，中断颗粒的生长。本发明还涉及一种由一个静合触点、一层单粒膜、至少一层半导体层和一个动合触点构成的单粒膜太阳能电池，所述太阳能电池的特征在于其单粒膜含有根据本发明方法生产的粉末。
生产 cu in ga se sub 粉末有所单粒膜太阳能电池方法

[发明专利]一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备-CN200510012053.6有效
发明人：高永亮;惠峰;王文军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器。方法过程如下：采用的温控设备和加热炉体用于对生长完的晶锭与PBN坩埚进行升温、恒温、降温；根据三氧化二硼(B₂O₃)的特性，温度降至室温，在晶锭和坩埚壁间依然会有残留，所以取出晶锭和坩埚，放入盛有甲醇的超声波发生器箱体内，进行超声处理，即可去除残留B₂O₃，顺利分离晶锭与PBN坩埚。
一种氮化坩埚脱离方法设备