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[发明专利]有余辉的磷光复合材料-CN201710591320.2有效
发明人： D·伯纳;R·吉罗德;O·普杰尔;I·里戈蒂 -专利权人：劳力士有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种有余辉的磷光陶瓷复合材料，其是包含如下两个以上的相的烧结致密体：由至少一种金属氧化物组成的第一相以及由含至少一种经还原的氧化态的活化元素的金属氧化物组成的第二相。本发明还涉及一种用于制备前述权利要求中任一项所限定的磷光陶瓷复合材料的方法，所述方法包括以下步骤：制备金属氧化物和磷光体的混合物；由所述混合物制造生坯；以及将所述生坯在还原性气氛中热处理。
余辉磷光复合材料

[发明专利]一种荧光介质及包含其的发光元件-CN201710243412.1有效
发明人：秦海明;冯少尉;蒋俊;江浩川 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本申请公开了一种荧光介质材料，包括载体基元和荧光材料；所述荧光材料附着于所述载体基元的表面；所述载体基元的光子直线透过率为10％～95％。该荧光介质在入射光激发下可实现高效发光，能够广泛应用在大功率LED，高效发光照明器件和显示设备中。
一种荧光介质包含发光元件

[发明专利]高显色荧光转换型白光激光光源用荧光材料及其制备方法-CN202110103119.1在审
发明人：樊嘉杰;杜运佳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明属于荧光材料技术领域，具体为一种高显色激光白光光源用荧光材料及其制备方法。本发明荧光材料，包括YAG单晶基片和荧光玻璃膜层，荧光玻璃膜层是红色荧光粉和低熔点玻璃粉混合物的薄膜层；YAG单晶基片采用提拉法制备，且单面抛光、单面研磨粗糙；所述荧光玻璃膜层通过丝网印刷工艺将荧光玻璃浆料印刷在YAG单晶粗糙面上，然后进行热处理；红色荧光粉可以补充激光激发YAG单晶时缺少的红色光谱部分，优化其发光性能，在蓝色激光激发下可以得到高显色指数的白光。本发明制备的单晶‑PIG荧光材料在作为激光白光用荧光转换材料时具有热稳定性好、显色指数高等优势，具有广泛的应用前景。
显色荧光转换白光激光光源材料及其制备方法

[发明专利]用于正电子发射断层摄影（PET）的基于立方石榴石组合物的陶瓷闪烁体-CN202011114700.5在审
发明人：阿洛克·玛尼·斯利瓦斯塔瓦;塞奇·伊万诺维奇·多林斯基 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于正电子发射断层摄影(100)的闪烁体(102)。该闪烁体包括式A3B2C3O12的石榴石化合物和由铈组成的活化剂离子。A3为A2X。X由至少一种镧系元素组成。A2选自(i)、(ii)、(iii)以及它们的任意组合，其中(i)由至少一种镧系元素组成，(ii)由选自Na和K的至少一种I族元素组成，并且(iii)由选自Ca、Sr和Ba的至少一种II族元素组成。B2由Sn、Ti、Hf、Zr以及它们的任意组合组成。C3由Al、Ga、Li以及它们的任意组合组成。该石榴石化合物掺杂有活化剂离子。
用于正电子发射断层摄影 pet 基于立方石榴石组合陶瓷闪烁

[发明专利]一种蓝色荧光粉及其制备方法-CN202110114911.7在审
发明人：杨志平;刘学千;李璇璇;赵金鑫;王大伟;蒋丽涛;尤泳 -专利权人：河北利福光电技术有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：一种蓝色荧光粉及其制备方法，该荧光粉的化学通式为：A1‑xEuxBySi2O2N2+y，其中，A为Sr、Ca、Ba中的任意一种或两种元素，B为Al、Ga、In、Y、La中的任意一种或两种元素，且0.01≤x＜0.1，0＜y＜0.1。本发明还公开了上述荧光粉的制备方法，本发明在BaSi2O2N2结构荧光粉中加入少量Al、Ga、In、Y、La元素，能够调整荧光粉的波长，提高晶体结构的稳定性及成核的一致性，提高荧光粉的亮度，并增加其抗湿热性能；本发明应用特定的原料处理工艺及烧结方式，提高了产品颗粒的均匀性、可控性，同时降低对使用设备的要求，提高了生产效率。
一种蓝色荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种红色荧光粉及其制备方法-CN201810487967.5有效
发明人：贺明睿;王岩松;肖林久 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种红色荧光粉及其制备方法，解决了现有技术中红色荧光粉的吸收带很窄，不能很好的被LED芯片有效激发和显色性偏低的问题。该红色荧光粉的化学通式为：Y3‑XBXAl5O12:Mn，其中B为Er和Dy中的一种，0＜x≤0.05。并且该红色荧光粉采用燃烧‑溶胶‑凝胶的制备方法。本发明的红色荧光粉在紫外区存在较宽的激发带，且在该区域激发下发出630～700nm波长的红光，色纯度高。该制备方法易于操作，可控度高，得到荧光粉性能稳定，粒径均匀。
一种红色荧光粉及其制备方法

[发明专利]荧光体及使用了该荧光体的半导体发光装置-CN202011048595.X在审
发明人：丰田庆;秋山真之介;森山莉穗 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：荧光体及使用了该荧光体的半导体发光装置。本发明提供一种荧光体，其以Lu(3‑x－z)MgxZnyAl(5‑y)O12：Cez的化学式表示，在z的范围为0.01≤z≤0.03的情况下，0＜x≤1.4并且0＜y≤1.4，在z的范围为0.03＜z≤0.06的情况下，y＜0.2并且0.1≤x≤1.4、或x＜0.2并且0.1≤y≤1.4、或x＝0.2并且y＝0.2，在z的范围为0.06＜z≤0.09的情况下，y＜0.2并且0.1≤x＜1.4、或x＜0.2并且0.1≤y＜1.4，在z的范围为0.09＜z≤0.12的情况下，y＜0.2并且0.1≤x＜0.9、或x＜0.2并且0.1≤y＜0.9。
荧光使用半导体发光装置

[发明专利]一种小粒径YAG:Ce荧光粉的制备方法-CN201910657381.3有效
发明人：尹良君;陈泓任;张胜辉;王萌;简贤 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：一种小粒径YAG:Ce荧光粉的制备方法，属于稀土发光材料技术领域。首先，采用化学气相沉积法对荧光粉进行碳包覆，使得YAG:Ce荧光粉表面包覆碳层；然后，对碳包覆后的YAG:Ce荧光粉进行二次高温处理，碳层与YAG:Ce荧光粉反应生成CO气体，使得荧光粉内部变为疏松多孔结构乃至裂解，从而有效地减小了YAG:Ce荧光粉的粒径。本发明通过碳包覆与二次高温处理，在减小Y3Al5O12:Ce荧光粉颗粒粒径的同时不影响其荧光性能，扩展了该荧光粉的应用范围。
一种粒径 yag ce 荧光粉制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂钪铝酸钡上转换发光材料及其制备方法-CN201911161894.1有效
发明人：付浩;黄政虎;胡俊山;王若男;熊汇雨;伍风翼;罗勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂钪铝酸钡上转换发光材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。本发明涉及的上转换发光材料的结构式为Ba2Sc1‑x‑yYbxEryAlO5，其中x＝0.1～0.6，y＝0.01～0.07。制备方法为高温固相法：采用碳酸钡、氧化钪、氧化镱、氧化铒和氢氧化铝作为原料，用无水乙醇将原料混合均匀并烘干，将其压制成片后在氢炉中1500℃～1700℃高温固相烧结。本发明制备的稀土掺杂钪铝酸钡上转换发光材料具有优异的发光性能，其发光的相对强度最高可达8701.14，对应的红光波长为665nm，并且可通过调整所掺稀土的比例实现对发光强度的调控。同时本发明制备方法重复性好、产率高、制备流程简单易行，制备过程更加节能环保，适合工业推广。
一种稀土掺杂钪铝酸钡上转换发光材料及其制备方法

[发明专利]一种深红色荧光粉及其制备方法和应用-CN201810488356.2有效
发明人：贺明睿;王岩松;肖林久 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种深红色荧光粉及其制备方法和应用，该荧光粉的化学分子式为Y3‑XLaXAl5O12:Mn，其中0＜x＜3。本发明公开的深红色荧光粉的制备方法为溶胶‑凝胶法，制得的荧光粉可被280～400nm波长范围的紫外光激发，发射出630～750nm的红光，应用于LED植物生长灯，弥补现有LED植物生长灯在深红光区域发光缺失，促进植物生长，有效缩短植物的生长周期，且制备方法简单，易于操作，可控度高，得到荧光粉性能稳定，原料易得且成本低廉，易于产业化生产。
一种深红色荧光粉及其制备方法应用

[发明专利]一种Ti4+-CN202011335727.7在审
发明人：张乐;张永丽;邵岑;康健;甄方正;申冰磊;罗泽;陈东顺;陈浩 -专利权人：新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ti4+/Mn4+共掺的远红光荧光粉及其制备方法，该荧光材料的化学式为：CaYAl(1‑x‑y)O4:xTi4+,yMn4+，其中0＜x≤0.01，0＜y≤0.01。此种荧光材料以价格相对稀土元素成本低的过渡金属Ti4+为敏化剂，以Mn4+离子作为激活剂，利用Ti4+/Mn4+能量传递增强Mn4+发射的远红光。本发明还提供了上述材料的制备方法，采用高温固相法制备，该方法工艺简单，生产成本低，适合工业化生产。
一种 ti base sup

[发明专利]一种光学防伪材料的制备方法-CN202011428662.0在审
发明人：王婷;马潜锐;余雪;李子洋;郭龙超;王少卿;修亮;郭海宏 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学防伪荧光粉及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。这种光学防伪荧光粉为固溶体，通式为La3‑x‑yMyGa5O12:xSm3+，(0.001≤x≤0.1,0.001≤y≤2.999)，其中M为Gd3+,Lu3+,Y3+的至少一种离子。本发明所述方法首先是将原料La2O3、Ga2O3、Sm2O3、M2O3混合均匀并研磨成粉末；再将混合的原料放入坩埚，通过管式炉加热到1250℃～1400℃并保温4‑8小时；待其冷却到室温，将烧结成块的固溶体再次研磨成粉便得到La3‑x‑yMyGa5O12:xSm3+单相粉末。本发明所述方法成本低，工艺简单。采用本发明的制备方法可避免本荧光粉在合成过程中产生杂质相，通过该发明的制备工艺处理后，不仅不影响的荧光特性，还使该荧光粉具有一种特殊荧光效应——在254nmUV探照灯下，通过不同的发光中心(基质材料和Sm3+都作为发光中心)之间明显的写入时间差，可以使La3‑x‑yMyGa5O12:xSm3+荧光粉在辐照过程中先呈现Sm3+离子的红光发射，间隔0.5‑1s时间后，呈现La3‑x‑yMyGa5O12基质材料和Sm3+离子的混合光。此外，也可以通过利用遮挡物挡住局域荧光粉，在撤掉遮挡物的瞬间，能清楚地看到这部分被遮挡荧光粉发出明显的红光，随后间隔0.5‑1s,再次呈现La3‑x‑yMyGa5O12基质材料和Sm3+离子的混合光。本发明的发光材料可以广泛应用于光学防伪、光纤通信指示、光信息存储、红外成像等多学科领域。
一种光学防伪材料制备方法

[发明专利]一种LED荧光粉前驱体以及用液相法制备其的方法-CN201810535670.1有效
发明人：蒋留扣 -专利权人：江苏天洋稀土有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明涉及荧光剂制备领域，特别涉及一种LED荧光粉前驱体以及用液相法制备其的方法。一种LED荧光粉前驱体，液态的氯化镥60%‑70%，液态的硝酸铈1%‑2%，浆状的铝粉30%‑40%。一种用液相法制备LED荧光粉前驱体的方法，具体步骤如下：S1、配制氯化铝液体和硝酸铈液体；S2、将氯化铝液体和硝酸铈液体、以及溶解后浆状的铝粉进行共沉；S3、将共沉物进行固液分离，对分离出的固体进行清洁；S4、对清洁后的固体进行高温灼烧，获得前驱体。本发明最终产品荧光粉的相对亮度可提高3%。本发明通过铈离子可更好地激发镥离子的发光性能。本发明前驱体的制备方法，过程简单，控制方便，可以有效控制生成的粉粒粒度。
一种 led 荧光粉前驱以及用液相法制方法

[发明专利]一种适应常低温的长余辉黄绿色发光材料-CN202011282753.8在审
发明人：张乐;陈东顺;杨顺顺;邢钰培;张永丽;邱凡;甄方正;陈浩 -专利权人：新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种适应常低温的长余辉黄绿色发光材料，通过加强电子隧穿效应对长余辉的贡献，突破了现有长余辉发光材料在低温下效果不佳的情况，使得长余辉发光材料可以在较大的温度范围内使用，使其可以适应室外中的大温度落差，这有效拓展了长余辉发光材料的应用范围。
一种适应低温余辉黄绿色发光材料

[发明专利]一种Ba2-CN202011436193.7在审
发明人：汲长艳;文瑾;田修营;彭秧锡 -专利权人：湖南人文科技学院
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明提供一种Ba2YGaO5基质荧光粉的制备方法，一种Ba2YGaO5基荧光粉，其化学组成为Ba2Y1‑xGaO5:xRe，其中Re元素为Bi3+、Eu3+中的一种，x=0.005‑0.60。
一种 ba base sub