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[发明专利]一种白光发射长余辉荧光粉及其制备方法-CN200610131686.3无效
发明人：张霞;张家骅 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明属于发光材料技术领域，涉及一种白光发射长余辉荧光粉及其制备方法。该荧光粉表达式为ZnGa₂O₄:xLi，式中x取值0.3－1.5；其制备方法：按表达式中各物质的化学计量比分别称取氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga₂O₃)及碳酸锂(Li₂CO₃)或氧化锂(Li₂O)，充分研磨混合，放入坩埚中，加热至1180℃－1450℃，恒温2－5小时，自然冷却，研碎。本发明在ZnGa₂O₄中引入大量的Li离子，使镓酸锌(ZnGa₂O₄)中离子排列杂乱，结构发生变化，形成结构式为ZnGa₂O₄+LiGaO₂的荧光粉，在紫外光照射后，具有显著的长余辉发射特性，可用于暗环境等特定场合的显示标志或警示。
一种白光发射余辉荧光粉及其制备方法

[发明专利]纳米晶荧光体和被覆纳米晶荧光体及其制备方法-CN200710181160.0有效
发明人：两轮达也;斋藤肇 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明披露具有芯/壳结构的纳米晶荧光体，所述芯/壳结构由第13族氮化物半导体的芯和覆盖芯的壳层形成，所述壳层包括13族氮化物混晶半导体的壳膜。该纳米晶荧光体具有高的发光效率并具有优异的可靠性。本发明还披露被覆纳米晶荧光体，通过使改性有机分子与纳米晶荧光体结合和/或用改性有机分子被覆纳米晶荧光体制得该被覆纳米晶荧光体。该被覆纳米晶荧光体具有高的分散性。本发明还披露通过加热混合溶液制备被覆纳米晶荧光体的方法，所述混合溶液包含第13族氮化物半导体的芯、含氮化合物、含第13族元素的化合物和改性有机分子。
纳米荧光被覆及其制备方法

[发明专利]荧光体、其制造方法及其应用-CN200680006387.5有效
发明人：清水悦雄;吉野正彦;木岛直人 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明涉及荧光体、其制造方法及其应用，所述荧光体的特征在于，所述荧光体含有以下述通式[1]表示的化学组成的结晶相，并且以在波长420nm～480nm的范围内具有峰值的光激发时，由下述式[2]计算出的发光强度的变化率的平均值为1.3以下。式[1]中，Ln表示选自由Y、Gd、Sc、Lu和La组成的组中的至少一种元素，M表示选自由Al、Ga和In组成的组中的至少一种元素，a、b分别为满足0.001≤a≤0.3、0≤b≤0.5的数。式[2]中，I(λ)为激发波长λnm处的荧光体的发光强度，I(λ+1)为激发波长(λ+1)nm处的荧光体的发光强度。(Ln_1－a－bCe_aTb_b)₃M₅O₁₂...[1]发光强度的变化率＝[(I(λ+1)－I(λ))/I(λ)]²...[2]
荧光制造方法及其应用

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用。本发明能应用于超辐射发光管等需要宽光谱特性的半导体光电子器件有源区结构的设计和外延生长。
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]荧光材料、采用这种荧光材料的发光部件和图像显示装置-CN200610136510.7无效
发明人：笹栗大助 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：以下材料用作包含激活剂的荧光材料的基质：Sr_xBa_1－xGa₂S₄其中0＜x＜1，借此发出在可见范围具有高亮度和宽泛的颜色可再现范围的荧光。
荧光材料采用这种发光部件图像显示装置

[发明专利]发光体，及使用其的电子射线检测器、扫描型电子显微镜和质量分析装置-CN200580012145.2有效
发明人：内山昌一;高木康文;新垣实;近藤稔;水野到 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体，使用该发光体的电子射线检测器，扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体(10)中，形成在基板(12)的一个面(12a)上的氮化物半导体层(14)因电子入射发出荧光，至少该荧光的一部分透过基板(12)，从基板的另一个面(12b)射出荧光。该荧光的应答速度在μsec量级以下。另外，该荧光的发光强度，具有与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体(10)，具有适应扫描型电子显微镜和质量分析装置的充分的应答速度以及发光强度。而且，由于覆盖层(16)有利于提高氮化物半导体层(14)中的发光残存率，所以，该发光体(10)不仅实现高速应答以及高发光强度，还具有优异的残存率。
发光体使用电子射线检测器扫描电子显微镜质量分析装置

[发明专利]黄色硫化锌基无机发光材料，其制法和采用它的显示装置-CN03128442.6无效
发明人：李相爀;申尚勋;刘容賛;郑佐永 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2003-04-29 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种黄色ZnS基无机发光材料，它通过采用改进的激活剂和共活化剂改进了其颜色坐标和亮度以供中压和低压显示装置之用，当激活剂的用量增加时，其颜色坐标(x，y)转移至黄色发射区，所以，ZnS：(Au或Cu)，In无机发光材料能有利地用作各种显示应用，包括真空荧光显示器(VFD)和场致发射显示器(FED)。
黄色硫化锌无机发光材料制法采用显示装置

[发明专利]通过真空紫外线激发的用于发光元件的无机发光材料-CN03138205.3无效
发明人：槐原隆义;宫崎进;矶部敏典 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 2003-05-23 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种通过真空紫外线激发的用于发光元件的无机发光材料，其即使在等离子体曝光后也具有高的亮度。本发明的目的通过下述完成：一种含有式M11－aM211－bMna+bO18－(a+b)/2表示的化合物的无机发光材料(其中M1表示至少一种选自La、Y和Gd的材料，M2表示至少一种选自Al和Ga的材料，a表示范围不小于0至小于1的数，b表示范围不小于0至小于1的数，a和b的和大于0)，含有上述无机发光材料的通过真空紫外线激发的发光元件。
通过真空紫外线激发用于发光元件无机材料

[发明专利]氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置-CN03110256.5无效
发明人：玉置宽人;龟岛正敏;佐藤义孝 -专利权人：日亚化学工业株式会社;双叶电子工业株式会社
申请日： 2003-04-08 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供发光特性优良的氮化镓荧光体及其制造方法，进而提供使用该荧光体的显示装置。通过将氮化镓荧光体粉末在实质上不含H2和H2O气的气氛中进行热处理或微波照射，得到在真空中加热荧光体时H2、H2O气的释放量相对于荧光体各为0.2cm3/g以下、2.0cm3/g以下的氮化镓荧光体。
氮化荧光制造方法使用显示装置

[发明专利]荧光体薄膜、其制造方法以及EL面板-CN02801297.6在审
发明人：矢野义彦;大池智之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-04-19 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供一种高辉度、且由于色纯度良好而不需要采用滤波片、并且辉度寿命长、特别适用于全色EL面板用的RGB的各元件的荧光体薄膜。本发明的荧光体薄膜，包含母体材料和发光中心，母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)、进而也可以含有Al的硫化物，或者除此之外进一步含有氧(O)的氧硫化物，在母体材料中，当碱土类元素以A表示，Ga、In和Al以B表示时，原子比B/A为B/A＝2.1～3.5。
荧光薄膜制造方法以及 el 面板

[发明专利]荧光体薄膜、其制造方法以及EL面板-CN02801296.8无效
发明人：矢野义彦;大池智之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-04-19 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供一种高辉度、且由于颜色纯度良好而不需要采用滤波片、并且辉度寿命长、特别适用于全色EL面板用的RGB的各元件的荧光体薄膜。本发明的荧光体薄膜包含母体材料和发光中心。母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)和氧(O)的氧硫化物。在母体材料中，相对于氧和硫的总和的氧的原子比0/(S+O)为0.1～0.85。
荧光薄膜制造方法以及 el 面板

[发明专利]白色发光荧光体-CN02119849.7无效
发明人：浜田拓哉;北川和典;土岐均 -专利权人：双叶电子工业株式会社
申请日： 2002-05-15 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供镉含量低、白色的纯度及辉度高的白色发光荧光体。按0.2∶9.8－9.8∶0.2的比例范围混合ZnO∶Zn荧光体、和作为补偿青色成分的荧光体的ZnGa2O4荧光体,然后相对于所形成的混合荧光体,按照9.5∶0.5－5∶5的范围混合黄色系荧光体Zn0.4Cd0.6S∶Ag。将其安装在荧光显示管中,然后进行发光。空心圆表示的试料(2)－(4)、(6)－(8)、(10)、(11)、(14)和(15),在荧光显示管中得到荧光体白色发光之实用上良好的色度范围X=0.32±0.07,Y=0.36±0.07。
白色发光荧光

[发明专利]氮化镓荧光体及其制造方法-CN02105608.0无效
发明人：玉置宽人;龟岛正敏;佐藤义孝 -专利权人：日亚化学工业株式会社;双叶电子工业株式会社
申请日： 2002-04-15 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：采用含有P和Sb的至少一种覆盖荧光体表面的氮化镓荧光体。
氮化荧光及其制造方法

[发明专利]磷光体及其制备方法-CN97104854.1无效
发明人：伊藤茂生;土岐均;片冈文昭;蟹江寿 -专利权人：双叶电子工业株式会社
申请日： 1997-02-28 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种磷光体，它能够在制备过程中不受氧的影响，通过电子激发进行激发光，根据所选择的原材料能够可选择地得到各种不同的发光颜色，并具有令人满意的发光度和寿命。该磷光体由化学式Ga1-xInxNA(0≤x＜0.8，A＝Zn或Mg)表示，并且通过将含有至少一种无氧镓化合物和一种无氧掺杂物质的原料进行混合而得到一种混合物并在含氮气氛下加热该混合物而制得的。
磷光体及其制备方法

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