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- [发明专利]反式-1,4-环己烷二羧酸的生产方法-CN200610071816.9无效
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远藤浩悦;中村宏文;田中真一
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三菱化学株式会社
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2002-10-24
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2007-03-28
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C07C61/09
- (1)一种用于生产反式-1,4-环己二羧酸(t-CHDA)的方法,该法包括加热粗CHDA至180℃或更高,并保持粗CHDA在180℃或更高和低于t-CHDA熔点范围的温度下,以沉淀在熔融的顺式-1,4-环己二羧酸(c-CHDA)中的异构化所形成的t-CHDA;(2)一种t-CHDA的生产方法,其中粉末或颗粒的粗CHDA在不低于c-CHDA熔点到低于t-CHDA熔点的温度下进行热处理,以使顺式异构体异构化成反式异构体,同时保持粉状颗粒的状态;(3)一种t-CHDA的生产方法,其中保持粗CHDA在不低于c-CHDA熔点和低于t-CHDA熔点的温度下,同时使粗CHDA保持流动,以制备粉状颗粒的t-CHDA;和(4)一种净化粗CHDA的方法,其中使通过氢化TPA等的步骤制得的粗CHDA在惰性气体下加热,通过蒸发除去杂质。上述方法可使用于通过使用简单和容易的方法以有良好效率生产高纯度的t-CHDA的c-CHDA异构化。
- 反式环己烷二羧酸生产方法
- [发明专利]反式-1,4-环己烷二羧酸的生产方法-CN02824302.1有效
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远藤浩悦;中村宏文;田中真一
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三菱化学株式会社
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2002-10-24
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2005-04-20
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C07C61/09
- (1)一种用于生产反式-1,4-环己二羧酸(t-CHDA)的方法,该法包括加热粗CHDA至180℃或更高,并保持粗CHDA在180℃或更高和低于t-CHDA熔点范围的温度下,以沉淀在熔融的顺式-1,4-环己二羧酸(c-CHDA)中的异构化所形成的t-CHDA;(2)一种t-CHDA的生产方法,其中粉末或颗粒的粗CHDA在不低于c-CHDA熔点到低于t-CHDA熔点的温度下进行热处理,以使顺式异构体异构化成反式异构体,同时保持粉状颗粒的状态;(3)一种t-CHDA的生产方法,其中保持粗CHDA在不低于c-CHDA熔点和低于t-CHDA熔点的温度下,同时使粗CHDA保持流动,以制备粉状颗粒的t-CHDA;和(4)一种净化粗CHDA的方法,其中使通过氢化TPA等的步骤制得的粗CHDA在惰性气体下加热,通过蒸发除去杂质。上述方法可使用于通过使用简单和容易的方法以有良好效率生产高纯度的t-CHDA的c-CHDA异构化。
- 反式环己烷二羧酸生产方法
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