专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种1,4-环己烷二甲酸的制备方法-CN201210264797.7无效
  • 邱志刚 - 江苏恒祥化工有限责任公司
  • 2012-07-30 - 2012-10-24 - C07C61/09
  • 本发明公开了一种1,4-环己烷二甲酸的制备方法,包括以下步骤:(1)将1,4-环己烷二甲酸二甲酯原料与氢氧化钠、水混合搅拌,加热至60-110℃,水解反应4-12h,反应结束,溶液冷却降温至20~30℃;(2)将(1)冷却后的溶液,缓慢滴加盐酸进行酸解,至溶液pH值小于3时结束,抽滤并水洗,烘干后得到白色粉末状的1,4-环己烷二甲酸。本发明的优点在于:以1,4-环己烷二甲酸二甲酯为原料,通过加碱溶液水解、盐酸酸化合成1,4-环己烷二甲酸,产品收率和纯度高,其收率可大于90%,纯度大于99%。
  • 一种环己烷甲酸制备方法
  • [发明专利]反式-1,4-环己烷二羧酸的生产方法-CN200610071816.9无效
  • 远藤浩悦;中村宏文;田中真一 - 三菱化学株式会社
  • 2002-10-24 - 2007-03-28 - C07C61/09
  • (1)一种用于生产反式-1,4-环己二羧酸(t-CHDA)的方法,该法包括加热粗CHDA至180℃或更高,并保持粗CHDA在180℃或更高和低于t-CHDA熔点范围的温度下,以沉淀在熔融的顺式-1,4-环己二羧酸(c-CHDA)中的异构化所形成的t-CHDA;(2)一种t-CHDA的生产方法,其中粉末或颗粒的粗CHDA在不低于c-CHDA熔点到低于t-CHDA熔点的温度下进行热处理,以使顺式异构体异构化成反式异构体,同时保持粉状颗粒的状态;(3)一种t-CHDA的生产方法,其中保持粗CHDA在不低于c-CHDA熔点和低于t-CHDA熔点的温度下,同时使粗CHDA保持流动,以制备粉状颗粒的t-CHDA;和(4)一种净化粗CHDA的方法,其中使通过氢化TPA等的步骤制得的粗CHDA在惰性气体下加热,通过蒸发除去杂质。上述方法可使用于通过使用简单和容易的方法以有良好效率生产高纯度的t-CHDA的c-CHDA异构化。
  • 反式环己烷二羧酸生产方法
  • [发明专利]反式-1,4-环己烷二羧酸的生产方法-CN02824302.1有效
  • 远藤浩悦;中村宏文;田中真一 - 三菱化学株式会社
  • 2002-10-24 - 2005-04-20 - C07C61/09
  • (1)一种用于生产反式-1,4-环己二羧酸(t-CHDA)的方法,该法包括加热粗CHDA至180℃或更高,并保持粗CHDA在180℃或更高和低于t-CHDA熔点范围的温度下,以沉淀在熔融的顺式-1,4-环己二羧酸(c-CHDA)中的异构化所形成的t-CHDA;(2)一种t-CHDA的生产方法,其中粉末或颗粒的粗CHDA在不低于c-CHDA熔点到低于t-CHDA熔点的温度下进行热处理,以使顺式异构体异构化成反式异构体,同时保持粉状颗粒的状态;(3)一种t-CHDA的生产方法,其中保持粗CHDA在不低于c-CHDA熔点和低于t-CHDA熔点的温度下,同时使粗CHDA保持流动,以制备粉状颗粒的t-CHDA;和(4)一种净化粗CHDA的方法,其中使通过氢化TPA等的步骤制得的粗CHDA在惰性气体下加热,通过蒸发除去杂质。上述方法可使用于通过使用简单和容易的方法以有良好效率生产高纯度的t-CHDA的c-CHDA异构化。
  • 反式环己烷二羧酸生产方法

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