“C01B32/16”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果1070个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种无金属催化剂残留单壁碳纳米管的高效制备方法-CN202111538047.X有效
发明人：张莉莉;马瑞雪;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明涉及高纯度和高密度单壁碳纳米管可控制备领域，具体为一种无金属催化剂残留单壁碳纳米管的高效制备方法。采用化学气相沉积方法，以固溶体金属氧化物为催化剂前驱体，通过调控活性金属负载量、催化剂预处理条件和碳纳米管生长工艺参数，一方面利用高活性金属催化剂高效生长碳纳米管，另一方面通过调控催化剂‑载体相互作用调控催化剂的活性，在反应结束后使催化剂失活并脱离碳纳米管，最终获得无金属催化剂残留的高纯度单壁碳纳米管样品。同时，该固溶体催化剂具有可再生的特点，可以实现碳纳米管的多次生长，进一步提高产物生长效率。本发明通过利用金属催化剂的高活性及其与载体的相互作用，直接高效制备无催化剂残留的单壁碳纳米管。
一种金属催化剂残留单壁碳纳米高效制备方法

[发明专利]一种锰掺杂的二硫化钼-碳纳米管的制备方法-CN202111538401.9有效
发明人：谢延春;靳紫琪;郑静;张敏 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，尤其是涉及一种锰掺杂的二硫化钼‑碳纳米管的制备方法。本发明以MnSO4·H2O、KClO3和CH3COOK为原料，水热反应后后处理得到二氧化锰纳米线；然后将二氧化锰纳米线作为反应模板，加入吡咯单体、MoO3、硫脲，通过一步反应生成PPy@Mn‑MoS2纳米复合材料；最后将PPy@Mn‑MoS2纳米复合材料置于氮气气氛下煅烧，得到锰掺杂的二硫化钼‑碳纳米管：NCMTs@Mn‑MoS2纳米材料。本发明所述方法具有操作简单、分散性良好、适合规模化生产等优点，并且得到的NCMTs@Mn‑MoS2纳米材料具有良好的形貌结构、稳定性高。
一种掺杂二硫化钼纳米制备方法

[发明专利]一种Sigma相催化剂和高选择性合成单壁碳纳米管的方法-CN202310227411.3在审
发明人：何茂帅;林广义;武倩汝;韩朝阳;迟鑫;吕璇 -专利权人：青岛科技大学;青岛科技大学广饶橡胶工业研究院
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明提供了一种Sigma相催化剂和高选择性合成单壁碳纳米管的方法，涉及纳米材料合成技术领域，包括以下步骤：将碱式碳酸镁煅烧得到氧化镁；将煅烧得到氧化镁溶于去离子水中，分别加入三氯化铼和硝酸锰并搅拌均匀；将搅拌均匀的溶液进行烘干、研磨；将研磨后的粉末煅烧得到催化剂；通过CVD法利用催化剂催化生长SWNTs；以氧化镁作为基底和催化剂载体，具有容易制备、价格低廉、热稳定性好，比表面积大的优点，可通过与酸性较弱的盐酸反应去除，最小程度上降低了SWNTs的破坏。
一种 sigma 催化剂选择性合成单壁碳纳米方法

[发明专利]碳膜-CN202180077174.6在审
发明人：山岸智子;上岛贡 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明为包含碳纳米管集合体的碳膜。该碳膜的基于压汞法得到的、表示细孔径与Log微分细孔容积的关系的细孔分布曲线在细孔径为10nm以上且100μm以下的范围内具有log微分细孔容积为1.0cm3/g以上的至少一个峰。
碳膜

[发明专利]一种水平阵列碳纳米管的制备方法-CN202310402166.5在审
发明人：杨华春;闫春生;叶家铭;李小强;谢颂京;杨水利;杜玉峰;成华伟;许玉茜;王蒙 -专利权人：河南省氟基新材料科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管制备技术领域的一种水平阵列碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：1)选择石墨柱作为阳极和阴极，在阴极的侧壁开设浅槽；2)阴极的浅槽内装载催化剂，将阴极和阳极水平布置在密闭的反应容器内，阳极位于阴极上方，将阴极和阳极与放电设备连接；3)反应容器抽真空后，依次往反应容器内添加甲烷和氩气；4)通电反应，在反应容器内收集得到水平阵列碳纳米管。本发明可以简化水平阵列碳纳米管制备的工艺设备，降低水平阵列碳纳米管的制备成本。
一种水平阵列纳米制备方法

[发明专利]一种用于钠离子电池的碳纳米管修饰硬碳负极材料的制备方法-CN202310397352.4在审
发明人：杨志韬;魏余款;刘刚;黄腾飞 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：一种用于钠离子电池的碳纳米管修饰硬碳负极材料的制备方法。本发明利用无烟煤里少量Fe、Ca等元素作催化剂，在制备煤基钠电负极活性物质的同时制备出均匀分散的碳纳米管，将其用作导电剂，提升了硬碳负极材料的电化学性能。本方法如下：一、混合油酸与酒精，放入无烟煤粉，搅拌均匀。二、将步骤一所得物放入反应釜中，80～350℃保温1～3h。三、从反应釜中倒出，回流至酒精挥发。四、将步骤三所得物放入管式炉，在氮气环境下烧结，自然降温。五、酸洗除去金属元素、水洗至中性，干燥后即得高克容量的碳纳米管修饰硬碳负极材料。本发明制备负极材料，均匀分散的碳纳米管起导电剂作用，提升负极材料的可逆容量、循环稳定性等电化学性能。
一种用于钠离子电池纳米修饰负极材料制备方法

[发明专利]一种氮氟共掺杂的改性活性炭的制备方法及其产品和应用-CN202310420738.2在审
发明人：杨化超;薄拯;张剑;王亚萌;张亚楠 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司;浙江大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮氟共掺杂的改性活性炭的制备方法：S1、将碳源在包含氟化铵盐的浸泡液中进行浸泡预处理，得到浸泡样；S2、将浸泡样离心、烘干和煅烧，得到煅烧样作为改性活性炭。本发明还提供了通过上述制备方法得到的改性活性炭及其在制备超级电容器上的应用。该制备方法可以制备得到高倍率性能的改性活性炭，从而克服活性炭材料的低导电性和较差离子传输速率的问题，使其应用在活性炭基超级电容器上具有低阻抗和优异的倍率性能。
一种氮氟共掺杂改性活性炭制备方法及其产品应用

[发明专利]一种铁镍钼合金催化丙烯生长碳纳米管阵列的方法-CN202310579124.9在审
发明人：简贤;付兴光;邹大为;刘一凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明属于新材料领域，涉及碳纳米管制备技术，具体提供一种铁镍钼合金催化丙烯生长碳纳米管阵列的方法，包括以下步骤：步骤1、以铁镍钼合金为催化剂，将铁镍钼合金放置于CVD旋转炉中，并通入惰性气体以排除炉中空气；步骤2、以丙烯气体为碳源，将CVD旋转炉升温至650～750℃，再以20～150ml/min的气体流速通入丙烯气体反应5～60min，并随炉冷却至室温，最后进行纯化以去除催化剂，得到碳纳米管阵列。此技术也可以拓展应用到其他Fe基合金。本发明以丙烯为碳源、铁镍钼合金为催化剂，并利用催化化学气相沉积法实现碳纳米管阵列的高效批量生产，反应条件温和，工艺流程简单，碳源利用率高，为碳纳米管阵列的大批量、低成本生产奠定重要的应用基础。
一种铁镍钼合金催化丙烯生长纳米阵列方法

[发明专利]高分散性的碳纳米管及其制备方法、二次电池-CN202111385468.3有效
发明人：王建兴;曹礼洪;方波;谢冬冬;肖敏 -专利权人：广东一纳科技有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明涉及一种高分散性的碳纳米管，该高分散性的碳纳米管满足下述(1)、(2)及(3)条件：(1)包括单壁碳纳米管和多壁碳纳米管，所述单壁碳纳米管和所述多壁碳纳米管的质量比为1：30‑50；(2)所述多壁碳纳米管的平均外径为40nm以下，并且所述多壁碳纳米管的外径的标准偏差为4nm以下；(3)所述多壁碳纳米管的长径比不低于2000。本发明还涉及制备上述高分散性的碳纳米管的方法。本发明还涉及二次电池，二次电池包括正极极片和负极极片，正极极片和负极极片均含有上述高分散性的碳纳米管。
分散性纳米及其制备方法二次电池

[发明专利]一种PVC催化裂解制取富氢气体和碳纳米管的工艺及装置-CN202310276048.4在审
发明人：焦明鑫;杨宇;余浩;张晟基;何鹏泽 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVC催化裂解制取富氢气体和碳纳米管的工艺及装置，涉及PVC催化应用技术领域。本发明包括螺旋给料机和热解气化仓，螺旋给料机的顶端连接有引射器，引射器的一端设置有固氯组件，固氯组件的一侧连接有热解气化仓，热解气化仓的顶端连接有旋风分离器。本发明通过将引射器与螺旋给料机相连，使螺旋给料机内PVC处于负压状态，其脱氯化氢温度降低，且氯化氢缓慢通过表面形成氧化钙滤饼的滤袋，反应充分，能有效提高HCl的去除效率，且通过对镍基催化剂进行气化、燃烧处理，去除镍基催化剂表面沉积的无定形积碳，保留纤维状积碳，用于制作碳纳米管，实现催化剂的高值化利用。
一种 pvc 催化裂解制取氢气纳米工艺装置

[发明专利]一种易分散的碳纳米管及其加工工艺-CN202310295769.X在审
发明人：王昭云;陈亮;黄智杰 -专利权人：内蒙古信敏惠纳米科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明涉及一种易分散的碳纳米管及其加工工艺，特别涉及一种表面覆盖有聚合物的易分散的碳纳米管及其加工工艺。本发明将碳纳米管粉末与聚合物预聚液混合，在高速搅拌下将混合物均匀搅拌，以形成分散的混合物；将分散的混合物置于热解炉中处理；从热解炉中取出样品，并将其冷却至室温；将样品进行超声波处理，以获得易分散的碳纳米管。本发明中，聚合物覆盖的易分散碳纳米管具有良好的分散性和稳定性，可以有效地防止碳纳米管之间的团聚，加工工艺简单，操作方便，可以大规模生产易分散的碳纳米管，由于采用了可溶性的硅氧烷单元和疏水基团组成的聚合物，聚合物在碳纳米管表面的修饰稳定性更高，相比传统的表面修饰方法更为可靠。
一种分散纳米及其加工工艺

[发明专利]一种碳纳米管复合材料及其制备方法和应用-CN202211082081.5有效
发明人：梁慧;汤浩;袁乔乔;朱俊翔;沈鑫慧;曹本亮 -专利权人：徐州工程学院
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明涉及储氢材料技术领域，尤其涉及一种碳纳米管复合材料及其制备方法和储氢应用。本发明提供了一种碳纳米管复合材料，包括改性碳纳米管和负载在所述改性碳纳米管表面的纳米粒子或PLLA；所述改性碳纳米管的改性基团为羟基和酰胺基；所述纳米粒子包括过渡金属元素和/或稀土金属元素。根据实施例的记载，本发明所述的碳纳米管复合材料具有优良的储氢性能。
一种纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高纯度、高结晶性双壁碳纳米管的宏量制备方法-CN202310228918.0在审
发明人：侯鹏翔;石超;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管结构控制制备领域，具体为一种高纯度、高结晶性双壁碳纳米管的宏量制备方法。采用浮动催化剂化学气相沉积法，通过在反应体系中通入适量氮气促进催化剂形核、调节催化剂数量和尺寸、制备粒径均匀催化剂，结合生长动力学工艺调控可提升双壁碳纳米管形核比例，通过优化管式反应炉内碳源供给速率，提升双壁碳纳米管生长速度和产量。碳纳米管的结晶性高，氧化分解温度范围为700～920℃，催化剂含量低于6wt％，在6.5厘米管径管式反应炉内每小时产500立方厘米双壁碳纳米管宏观体。本发明实现高纯度、高结晶性双壁碳纳米管的宏量制备，对推动双壁碳纳米管在结构功能纤维、复合材料、多功能编织物、电子器件等领域的实际应用具有重要意义。
一种纯度结晶性双壁碳纳米宏量制备方法

[发明专利]一种以甲烷为碳源、高熔点金属氧化物辅助催化生长窄直径分布的单壁碳纳米管的制备方法-CN202310335431.2在审
发明人：汪镭;霍琴梅;舒颖 -专利权人：中国科学院成都有机化学有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明提供一种以甲烷为碳源、高熔点金属氧化物辅助催化生长窄直径分布的单壁碳纳米管的制备方法，以甲烷为碳源，氮气作为保护气体，氧化镁作为催化剂载体，通过浸渍法以过渡金属为活性相、高熔点金属钨为掺杂第二金属来制备双金属催化剂，使用常压化学气相沉积法制备窄直径分布的单壁碳纳米管。本发明制备的单壁碳纳米管的直径分布较窄，单壁碳纳米管的手性以金属性为主，且非晶碳较少。
一种甲烷碳源熔点金属氧化物辅助催化生长直径分布单壁碳纳米制备方法

[发明专利]一种高效的碳纳米管垂直阵列杂化剥离方法-CN202310378224.5在审
发明人：侯旭;虞乐建;王苗;王贻兰;罗淳译;樊漪 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效的碳纳米管垂直阵列杂化剥离方法，首先通过化学反应在基底上沉积垂直取向结构的碳纳米管阵列，在沉积结束切断碳源供给后，在反应腔室的前端放置含杂原子的前驱体，加热至指定温度保持一定时间实现碳纳米管垂直阵列杂化，之后，降温至指定温度，将反应腔室敞开在空气中，并保持一定时间，即可实现碳纳米管垂直阵列的原位完整剥离。本发明提供的方法，操作简单，绿色节能，不产生废气废料，适用于工业机械自动化过程，可以高效实现大面积的碳纳米管垂直阵列的剥离，对于任意几何结构沉积出的碳纳米管垂直阵列的基底均能实现剥离且无损伤，在碳纳米管基功能器件、柔性电子器件、电化学电极材料、催化等领域具有广泛的应用前景。
一种高效纳米垂直阵列剥离方法