[发明专利]相位改变光盘无效
| 申请号: | 99119752.6 | 申请日: | 1999-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN1249506A | 公开(公告)日: | 2000-04-05 |
| 发明(设计)人: | 李宰源;全廷基 | 申请(专利权)人: | 株式会社SKC |
| 主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 相位 改变 光盘 | ||
1、一种相位改变光盘,具有一第一介电层、一记录层、一第二介电层、一反射层和一保护层,其特征在于该反射层包括由具有1.9至3.0的负电性的一金属或其合金制成的一第一反射层和一由Cu、Ag或其合金制成的一第二反射层,该第一反射层与第二介电层紧密接触,且该第二反射层与第一反射层和该保护层紧密接触。
2、根据权利要求1的相位改变光盘,其中第一反射层的金属或合金是从由Al、Au、W、Mo、Ni、Ge、Si、Pd、Sn、Rh、Pt及其合金组成的一群中被选择的。
3、根据权利要求2的相位改变光盘,其中该合金包含从由Al、Au、Cu、Ag、W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、Sc、Rh、Pt、Mn和它们的组合物组成的一群中选择的一金属成分作为次要成分。
4、根据权利要求1的相位改变光盘,其中构成第二反射层的该合金包含从由Al、Au、Cu、Ag、W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、Sc、Rh、Pt、Mn和它们的组合物组成的群中选择的一金属成分作为次要成分。
5、根据权利要求1的相位改变光盘,其中该记录层是一Ag-In-Sb-Te合金,第一反射层是具有10埃或更大厚度的W,Si,或一Al合金且第二反射层是具有250埃或更大厚度的Ag或Ag合金。
6、根据权利要求5的相位改变光盘,其中第一反射层是具有100埃或更大厚度的Al合金且第二反射层是具有450埃或更大厚度的Ag或Ag合金。
7、根据权利要求1的相位改变光盘,其中该记录层是一Ge-Sb-Te合金,第一反射层是Al或Al合金且第二反射层是Cu或Ag。
8、根据权利要求7的相位改变光盘,其中第一反射层和第二反射层的组合厚度是2000埃或更小。
9、根据权利要求8的相位改变光盘,其中第一反射层的厚度是1300埃或更小且第二反射层的厚度是10埃或更大。
10、根据权利要求9的相位改变光盘,其中第二反射层的厚度是800埃或更小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社SKC,未经株式会社SKC许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/99119752.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





