[发明专利]编码微孔防伪标识制造方法及其检验装置无效
| 申请号: | 99100515.5 | 申请日: | 1999-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN1262497A | 公开(公告)日: | 2000-08-09 |
| 发明(设计)人: | 孟武 | 申请(专利权)人: | 孟武 |
| 主分类号: | G09F3/02 | 分类号: | G09F3/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 102600 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 编码 微孔 防伪 标识 制造 方法 及其 检验 装置 | ||
1、一种编码微孔防伪标识的制造方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
①以预定图形(2)在厚度均匀固体材料上刻出漏膜成为准直母版(1);
②将准直母版(1)叠在薄膜状固体径迹探测材料上,放在重带电粒子辐射源(3)中辐照,或以准直母版(1)为掩膜版,利用光刻或微电子工艺形成微孔型损伤,经紫外光照射、化学蚀刻、清洗、中和和烘干等处理后成为微孔母版(4);
③将准直母版(1)和微孔母版(4)放入至少有两孔的辐射掩版盘(5)的两个孔中,然后将辐照掩版盘(5)放在重带电粒子辐射源(3)与欲形成核孔膜的塑料膜(23)之间,转动辐射掩版盘(5),将版盘(5)上的孔(1,4)对准辐射源;
④旋转辐照掩版盘(5),使装有微孔母版(4)的一个孔对准重带电粒子辐射管道,打开安放在掩版盘上的微孔母版(4)与辐射源之间的快门(13),完成一次照射,按防伪标识所需塑料膜的尺寸大小步进一次膜,然后进行下一次照射;
⑤辐射后的塑料膜按照常规工艺制成标识,常规工艺包括紫外光照射、化学蚀刻、清洗、中和、烘干、印刷、涂胶、分切等。
这种编码微孔防伪标识,可利用专用的检验装置微观识别真伪,即通过识别防伪标识的微孔分布特征,达到识别真伪和提高防伪力度的效果。
2、如权利要求1所述的制造方法,其特征在于所述薄膜状固体径迹探测材料为聚碳酸脂、CR39、云母、玻璃等;微孔母版(4)厚度和辐射源(3)粒子能量的选择,应遵循下述原则:辐射源(3)粒子能穿透微孔母版(4),但制作防伪标识时用的辐射源的粒子不能穿透微孔母版(4),例如用CR39作微孔母版(4),用氩离子作辐射源,氩离子能量选用120Mev,CR39厚30μm,用聚碳酸脂作防伪标识,用硫32离子,选用离子能量100Mev,厚10μm。
3、如权利要求1所述的制造方法,其特征在于预定图形(2)也可以是文字、条码或符号;重带电粒子为Ar40、C12、S32等。
4、一种实施权利要求1的方法所用的编码微孔防伪标识的检验装置,由检测头和处理器(22)组成,检测头由成像系统(20)和光电转换单元(21)构成;成像系统(20)的输出与光电转换系统(21)的输入相连,光电转换系统(21)的输出与处理器(22)的输入相连;处理器(22)由微机和控制单元组成,装置由识别程序控制。
5、如权利要求4所述的检验装置,其特征在于成像系统(20)为摄像头,型号为MTV-241、MTV-368等;光电转换系统为D501采集卡等。
6、一种核径迹防伪标识的制备方法,其特征在于在同一枚防伪标识上改变辐射带电粒子能量,或使用两种不同的带电粒子进行辐照,通过对微孔分布模糊识别达到鉴别真伪的目的,以进一步提高防伪力度。
7、如权利要求6所述的防伪标识的制备方法,其特征在于在同一枚防伪标识上改变辐射带电粒子能量,即用二种能量不同的粒子辐照防伪标识,制成由较高能量粒子打出的大孔径随机微孔分布和由较低能量粒子打出的小孔径随机微孔分布,其具体步骤包括:
①由真空室(6)中的真空度和K252源(9)到PC膜(10)的距离计算出K252源(9)在低、高两位置时入射PC膜(10)时的能量,如分别为E1和E2;
②根据用户作标识的面积确定收卷盘(12)步进尺寸,如每步走1厘米,然后根据所需微孔密度和K252源(9)的强度确定辐照时间,如1分钟,然后关闭快门(13);
③电磁装置(7)通电,使K252源(9)下降,下降尺寸由E1和E2差别决定,一般为1厘米,在E2状态下再辐照1分钟,然后关闭快门(13)。
④对高分子薄膜进行紫外光照射、化学蚀刻、中和、清洗、烘干。
8、如权利要求6所述的防伪标识的制备方法,其特征在于使用两种不同的重带电粒子进行辐照,然后进行蚀刻处理而形成两种不同孔径和形态的微孔分布,利用微孔对某一波长的光折射率递级匹配原理进行检测,即截面小于光波波长的微孔可使光学反射大为降低,利用共振吸收进行分级鉴别真伪,其具体步骤包括:
①将辐照掩版盘(5)旋转使准直母版(1)对准加速器的重带电粒子管道;
②使用能量为120Mev的硫离子照射12μm厚的聚碳酸脂薄膜,时间为1秒;
③再在反应堆的热中子束中照射u235靶,使u235靶上飞出裂变碎片辐照 聚碳酸脂膜,照射1-2小时,经过两次照射的聚碳酸脂膜放在70℃、6NNaOH的水溶液中蚀刻2小时,用水冼净、烘干。
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