[发明专利]亚四分之一微米级硅－绝缘体的MOS场效应晶体管

权利要求书

1、一种半导体薄膜结构，其特征在于它由源/漏极区域和通道区域构成，其通道区域位于源/漏极区域之间；所述的半导体薄膜结构在绝缘体层的表面上直接延伸并与之接触；在所述的源/漏极区内至少有一处区域的构成是：从绝缘层直接延伸出来并与之接触的半导体材料层，并且在其上面直接延伸出来并与之接触的难熔金属的硅化物层；这里所述的难熔金属的硅化物层的第一厚度与所述通道区域的第二厚度之半几乎相等或略厚一点；并且所述的难熔金属的硅化物层的第一厚度要比源/漏极区内至少一处的第三厚度要薄很多，从而保证难熔金属的硅化物层的至少大部分底部表面与源/漏极区内半导体材料的至少一处构成结合界面。

2、根据权利要求1所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的第二和第三层的厚度不大于50纳米。

3、根据权利要求2所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的第二和第三层厚度是相互一致的。

4、根据权利要求2所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的第二和第三层厚度是相互不同的。

5、根据权利要求1所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的半导体薄膜是由单晶硅形成的硅-绝缘体薄膜。

6、根据权利要求1所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的半导体薄膜是由多晶硅形成的硅-绝缘体薄膜。

7、一种半导体薄膜结构，其特征在于它由第一导电型的第一/第二区域和第二导电型的第三区域构成，其第三区域位于第一/第二区域之间；所述的半导体薄膜结构在绝缘体层的表面上直接延伸并与之接触；在所述的第一/第二区内至少有一处区域的构成是：从绝缘层直接延伸出来并与之接触的半导体材料层，并且在其上面直接延伸出来并与之接触的难熔金属的硅化物层；这里所述的难熔金属的硅化物层的第一厚度与所述第三区的第二厚度之半几乎相等或略厚一点；并且所述的难熔金属的硅化物层的第一厚度要比第一/第二区内至少一处的第三厚度要薄很多，从而保证难熔金属的硅化物层的至少大部分底部表面与第一/第二区内半导体材料的至少一处构成结合界面。

8、根据权利要求7所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的第二和第三层的厚度不大于50纳米。

9、根据权利要求8所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的第二和第三层厚度是相互一致的。

10、根据权利要求8所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的第二和第三层厚度是相互不同的。

11、根据权利要求7所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的半导体薄膜是由单晶硅形成的硅一绝缘体薄膜。

12、根据权利要求7所述的半导体薄膜结构，其特征还在于所述的半导体薄膜是由多晶硅形成的硅一绝缘体薄膜。

13、一种硅-绝缘体MOS场效应晶体管，其构成如下：

半导体基片；

在基片上面延伸的绝缘体层；

在绝缘体层上面直接延伸并与之接触的硅-绝缘体薄膜，其中硅-绝缘体薄膜由源/漏极区域和通道区域构成，后者位于源极和漏极之间，而源极和漏极都分别由在绝缘体层上面直接延伸并与之接触的半导体区域和在其上直接延伸并与之接触的难熔金属硅化物所构成；

在硅-绝缘体薄膜的通道区域上面的栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上面的栅极电极；

和在栅极电极侧壁的侧壁绝缘膜；

这里所述的难熔金属的硅化物层的第一厚度与所述通道区域的第二厚度之半几乎相等或略厚一点；并且所述的难熔金属的硅化物层的第一厚度要比源/漏极区内至少一处的第三厚度要薄很多，从而保证难熔金属的硅化物层的至少大部分底部表面与源/漏极区内半导体材料的至少一处构成结合界面。

14、根据权利要求13所述的硅-绝缘体MOS场效应晶体管，其特征还在于所述的第二和第三层的厚度不大于50纳米。