[发明专利]二维光子晶体偏振器及制备方法无效

专利信息
申请号: 98110990.X 申请日: 1998-07-31
公开(公告)号: CN1093266C 公开(公告)日: 2002-10-23
发明(设计)人: 资剑;张淳;万钧 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 姚静芳
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 二维 光子 晶体 偏振 制备 方法
【说明书】:

发明涉及二维光子晶体偏振器。

偏振器是把非偏振光变成偏振光的器件。传统偏振器一般有:

1.利用二向色性。某些晶体对不同偏振方向的光有选择的吸收,光在透过这种晶体做成的偏振器后,会使某一偏振方向的光吸收较多,而另一偏振方向的光有较多透过,从而得到偏振光。如电气石就是典型的具有二向色性的晶体。这种晶体得到的偏振度不太高,透光率也比较低。

2.利用两种媒质分界界面上布儒斯特角下的反射得到偏振光。这种方法的主要缺点在于:入射角一定要是布儒斯特角,而且布儒斯特角对不同的波长是不同的。因此,严格说来,只有对一种波长的光有效;如果偏离布儒斯特角,偏振度是比较差的。

3.利用单轴双折射晶体对o光和e光折射率的差异,可获得沿不同方向出射的两种偏振光。典型的如尼科尔棱镜。它对入射角的范围有限制,超过这个范围就失效。

4.人工制造的具有二向色性的膜片。在处于拉伸状态下的聚合乙烯醇膜上蒸镀一层硫酸碘奎宁晶粒,使晶粒沿着膜的拉伸方向整齐地排列起来,这样制成的膜片具有很强的二向色性。基本原理与1相同。

本发明的目的是寻求一种透光率高、工作频率范围宽、偏振度高、尺寸小且制作方便的可以用在集成光学上的偏振器。

本发明基于光子晶体理论,完全不同于上述的各种原理。光子晶体是80年代末才提出来的新概念和新材料(J.Opt.Soc.Am.B10,1993),其基本思想是:同半导体中的电子一样,光在周期性的介电结构中传播时,由于周期结构带来的影响,也会形成频带结构;带与带之间可能存在带隙。如果光的频率正好处在带隙中,具有这种频率的光是无法在该种结构中传播的。这时,只有反射,没有透射。

非偏振光可以分解为电场平行于二维周期面(TE波)和电场垂直于二维周期面(TH波)的两个分量。二维周期结构的光子晶体具有特殊的性质:TE分量和TH分量互不耦合。TE波和TH波有各自的带结构和带隙。适当选取结构和介电材料,可以使TE波正好处在TH波的带隙里,这时,TE波有很大的透射,而TH波不能透射;或者可以使TH波正好处在TE波的带隙里,TH波有很大的透射,而TE波不能透射。这种产生偏振光的原理与传统方法的原理完全不同,是一种全新的产生偏振光的原理。如图1所示。

本发明基于如上所述原理,将介电棒放入另一种介电背景材料构成具有二维周期重复性的结构,如图2和图3所示。棒长为(2~20)a,a为重复周期单位长度,重复周期在二维面上重复2~30次,介电棒截面尺寸d和重复周期单位长度a之比,即d/a=0.2~1.5,介电棒的介电常数ε与背景介电材料的介电常数εb之比,即2<ε/εb<20和0.05<ε/εb<0.5两个范围之内,介电棒一端或两端固定即可。

需要指出的是,介电棒可以是空气,这时对应的是在一种介电材料上打上周期性的孔,如图7所示。介电棒的截面可以为不同形状,但从制作的角度,选取圆形或正方形更方便。图2和图3所示的结构是正方结构,但其它结构,如六角、长方多角也可。

本发明指出:可以选取合适的介电材料和合适的二维结构,例如取图2和图3所示的二维结构。介电棒为圆柱体,截面尺寸即直径为d,介电常数为ε,周围背景为介电常数εb的材料,体系在x和y方向具有周期性重复性,a为一个重复周期单位长度。介电棒的一端或两端用底版固定,如粘接、焊铆均可。

采取如图2和图3所示的结构,介电棒的介电常数ε取为14.0,背景材料的介电常数εb取为1.0,即空气;介电棒的直径d取为0.5a。光沿着y方向入射。沿x和y方向的周期重复10次,即沿x和y方向介电棒的数目都为10根。棒的长度选取要远大于重复周期长度a,这里选取棒长是10a根据光子晶体理论计算得到沿y方向入射光有如图4所示的带结构。图中频率采用约化单位c/a,其中c为真空中的光速。在约化频率0.20~0.34内TH波存在带隙。如果入射光的频率在这个范围内,TE波可以传播,而TH波将被完全反射,于是出射光将是很好的偏振光。

这个结构的光子晶体偏振器的偏振度和透射率如图5和图6所示。在约化频率0.2~0.34范围内,不仅偏振度很高,达99%以上,而且透射率也非常大,大部分在90%以上,最小的也有80%。

介电棒和背景材料可以是空气、无机材料和有机材料,如玻璃材料(有机或无机玻璃),半导体材料(硅、锗、砷化镓等),聚四氟乙烯,聚乙烯等。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98110990.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top