[发明专利]曝光用光掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种用于将所需图形传递到具有台阶的要曝光材料上的曝光掩模，所说曝光掩模为一单体，其构成使通过位于所说曝光掩模的第一区的孔图形的曝光光线的焦点与通过位于不同于所说第一区的第二区的孔图形的曝光光线的焦点彼此不同。

2.根据权利要求1的曝光掩模，其特征在于，所说第一和第二区间的焦点差对应于所说位于要曝露于所说曝光光线的材料上的台阶高度。

3.根据权利要求1的曝光掩模，其特征在于，所说要曝光材料是半导体衬底。

4.根据权利要求1的曝光掩模，其特征在于，所说曝光掩模包括两个区，其中的一个区包括透明基片、和其上具有预定孔图形且叠于所说透明基片上的半透明膜；另一区包括透明基片、其上具有预定孔图形且叠于所说透明基片上的半透明膜、和其上具有与所说半透明膜的相同的预定孔图形且叠于所说半透明膜上的遮光膜。

5.根据权利要求1的曝光掩模，其特征在于，所说曝光掩模包括两个区，其中的一个区包括透明基片、和其上具有预定孔图形且叠于所说透明基片上的半透明膜；另一区包括透明基片、其上具有预定孔图形且叠于所说透明基片上的半透明膜、和其上具有与所说半透明膜的相同的预定孔图形且叠于所说半透明膜上的透光膜。

6.根据权利要求1的曝光掩模，其特征在于，通过调节通过位于形成于所说透明基片上的所说区之一上的孔图形的曝光光线的相位，与通过除所说孔图形外且位于形成于所说透明衬底上的所说同一区中的所说半透明膜或所说半透明膜和所说透光膜的曝光光线的相位之间的光程差，可以改变所说焦点。

7.根据权利要求6的曝光掩模，其特征在于，通过改变所说半透明膜的厚度或所说透光膜的厚度，可以调节所说曝光光线的所说相位。

8.根据权利要求5的曝光掩模，其特征在于，通过调节通过位于所说区之一上的所说孔图形的所说曝光光线的相位，与通过形成于所说区上且除所说孔图形外的所说半透明膜和所说透光膜的所说曝光光线的相位之间的光程差，可以改变所说曝光光线的所说焦点。

9.根据权利要求7的曝光掩模，其特征在于，所说光程差可以设为选自0-180度的值，或选自180-360度的值。

10.根据权利要求2的曝光掩模，其特征在于，位于所说曝光掩模上的所说孔图形尺寸可以根据将要在要曝光材料上形成的预定图形的所说台阶和所需尺寸确定。

11.一种用于将所需图形传递到具有台阶的要曝光材料上的曝光掩模，所说曝光掩模包括：

由遮光膜形成的第一区；及

由半透光膜形成的第二区，

通过所说半透明膜的曝光光线与通过完全透明部分的曝光光线之间的理想光程差及理想掩模图形尺寸根据将要曝光的所说材料的所说台阶和所需图形的尺寸确定，所说图形根据所说理想光程差和理想掩模图形尺寸形成。

12.根据权利要求11的曝光掩模，其特征在于，所说半透明膜的厚度设为使通过所说半透明膜的曝光光线与通过完全透明部分的曝光光线之间的光程差等于欲要曝光的所说材料中的台阶高度。

13.一种用于将所需图形传递到具有台阶的要曝光材料上的曝光掩模，所说曝光掩模包括：

由透光膜形成的第一区；及

由半透光膜和透光膜构成的两层结构形成的第二区，

其中，所说曝光掩模利用所说理想光程差和理想掩模图形尺寸形成，根据将要曝光的所说材料的所说台阶和所需图形的尺寸，获得通过由所说完全透明部分和所说半透明膜形成的区的曝光光线间的光程差，和通过由所说完全透明部分形成的区的曝光光线与通过所说由半透明膜和所说透光膜构成的两层结构区的曝光光线间的光程差，由此确定所说理想光程差和理想掩模图形尺寸。

14.根据权利要求13的曝光掩模，其特征在于，所说半透明膜的厚度设为使通过所说半透明膜的曝光光线与通过完全透明部分的曝光光线之间的光程差等于欲要曝光的所说材料中的台阶高度，另外，所说透光膜的厚度设为使通过所说半透明膜和所说透光膜的曝光光线与通过完全透明部分的曝光光线之间的光程差为180度左右。