[发明专利]高密度并联式只读存储器

权利要求书

1、一种高密度并联式只读存储器，其包括有：

(1)字元线，其为至少一个呈横向相互平行的多晶硅构成；

(2)位元线，其为至少一个呈纵向相互平行的埋层N⁺构成，并与字元线垂直交叉而成只读存储器单元矩阵；

(3)金属导线，设置于每相隔一条埋层N⁺的上层平面并连结金属接触区；

(4)选择线，由多晶硅所构成，并设置于只读存储器单元矩阵基体的上、下方，可作为该只读存储器区块的选择；

(5)埋层延伸区，设于该金属接触区的下方，并延伸至该选择线上；

(6)离子植入区，将该选择线上不必要的选择门或转换门以埋层P+的离子植入方式达到绝缘状。

2、如权利要求1所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述单元矩阵上、下方分别各设置有二条选择线。

3、如权利要求1所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述埋层N⁺位元线亦包括有一延伸区，且每隔一条埋层N⁺位元线分别向上延伸至所述选择线。

4、如权利要求3所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述每一条埋层N⁺位元线仅设一向上的延伸区。

5、如权利要求1所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述埋层延伸区仅延伸至一条选择线上。

6、如权利要求1所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述埋层延伸区延伸至二条选择线上。

7、如权利要求1所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述离子植入区的埋层P⁺的离子植入仅植入至所述单一条选择线不必要的选择门或转换门内。

8、如权利要求1所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述离子植入区的埋层P⁺的离子植入至所述二条选择线不必要的选择门或转换门内。

9、如权利要求1所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述埋层N⁺位元线亦包括有一延伸区，且每隔一条埋层N⁺位元线分别向下延伸至所述选择线。

10、如权利要求4所述的高密度并联式只读存储器，其特征在于，所述每一条埋层N⁺位元线仅设一向下的延伸区。