[发明专利]磁盘及其制造方法和相应的磁盘单元

权利要求书

1.一种磁盘，其特征是所述磁盘包括有一第一区和一第二区，所述第一区上形成有多个相互独立和具有预定高度的第一突起部分以及多个相互独立和具有短于所述第一突起部分的高度的第二突起部分，所述第二区上形成有多个相互独立和具有短于所述第一突起部分的高度的第三突起部分。

2.权利要求1中所述磁盘，其特征是所述第一区中的所述第一突起部分具有由15nm至30nm(含两者)的高度及10μm或更小的大小，由所述磁盘的一表面上的截面曲线得到的表明与位于所述截面曲线顶部和距其5nm高之间的磁头相接触的情形的荷载曲线的一部分具有0.1-10％的荷载比BR5，所述第二区中的第三突起部分具有由至少5nm至小于15nm的高度，所述第三突起部分具有10μm或更小的大小，和所述荷载比BR5小于所述第一区中的荷载比BR5。

3.权利要求1中所述磁盘，其特征是所述第一区中的所述第一突起部分具有由20nm到30nm(含两者)的高度和4μm或更小的大小，由所述磁盘的一表面上的截面曲线得到的表明与位于所述截面曲线顶部和距其5nm高度之间的磁头相接触情况的荷载曲线的一部分具有0.1-10％的荷载比BR5，所述第二区中的所述第三突起部分具有5nm至15nm(含两者)的高度，所述第三突起部分具有4μm或更小的大小，和所述荷载比BR5小于所述第一区中的荷比BR5。

4.权利要求1中所述磁盘，其特征是由对所述第一和第二区的表面粗糙度作平均得到的所述第一和第二区的突起部分的平均平面高度间之差为10nm或更小。

5.权利要求1中所述磁盘，其特征是由对所述第一和第二区的表面粗糙度作平均得到的所述第一和第二区的突起部分的平均平面高度间之差为4nm或更小。

6.一种用于制造磁盘的方法，其特征是所述方法包括有步骤：

将细微颗粒附着到一磁盘的主表面的至少一部分上；和

以所述细微颗粒用作掩膜对所述磁盘作蚀刻处理，

重复所述二步骤至少二次。

7.一种用于制造磁盘的方法，其特征是所述方法包括步骤：

在一基片上形成一背衬膜；

在所述背衬膜上形成一磁膜；

在所述磁膜上形成一保护膜；

将所述保护膜的表面划分为至少第一和第二区并有选择地将所希望大小的第一细微颗粒以所希望的密度附着到所述第一区上；

以所述第一细微颗粒用作为掩膜对所述第一和第二区进行蚀刻；

将所希望大小的第二细微颗粒以所希望密度附着到所述第一和第二区上；

以所述第一和第二颗粒用作为掩膜对所述第一和第二区进行蚀刻；

去除所述第一和第二细微颗粒；和

在所述保护膜上形成润滑膜。

8.一用于制造磁盘的方法，其特征是所述方法包括步骤：

在一基片上形成一背衬膜；

在所述背衬膜上形成一磁膜；

在所述磁膜上形成一保护膜；

将所述保护膜的表面划分成至少第一和第二区并有选择地将所希望大小的第一微细颗粒以所希望的密度附着到所述第一区上；

以所述第一颗粒用作掩膜对所述第一和第二区进行蚀刻；

有选择地将所希望大小的第二微细颗粒以所希望的密度附着到所述第一区上；

将所希望大小的的第三微细颗粒以所希望的密度附着到所述第一和第二区上；

以所述第一至第三颗粒用作为掩膜对所述第一和第二区进行蚀刻；

去除所述第一至第三微细颗粒；和

在所述保护膜上形成一润滑膜。