[发明专利]静磁波器件及其原材料无效
| 申请号： | 96102214.0 | 申请日： | 1996-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1099718C | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 藤野优 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01P1/218 | 分类号： | H01P1/218;H01F10/24;C30B29/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘哓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静磁波 器件 及其 原材料 | ||
1.一种静磁波器件，由通式为R3-xCaxMa5-2y+xZryMby-xO12的磁石榴石单晶薄膜组成，其中R为选自Y、La、Bi、Gd、Lu和Sc组成的元素群的起码一个元素，Ma是Fe或Fe和Ga和Al组成的元素群的起码一个元素的组合，Mb为选自Mg和Mn组成的元素群的起码一个元素，且满足以下不等式的条件：0≤x≤1，0.1≤y≤1，且x＜y。
2.如权利要求1所述的静磁波器件，其特征在于，x为0。
3.如权利要求1所述的静磁波器件，其特征在于，x为0.05至1。
4.如权利要求1所述的静磁波器件，其特征在于，所述磁石榴石单晶膜是形成于由选自Gd3Ga5O12、Sm3Ga5O12和Nd3Ga5O12组成的材料群的一种材料制成的衬底上。
5.如权利要求4所述的静磁波器件，其特征在于，所述x为0，且所述衬底为Sm3Ga5O12和Nd3Ga5O12。
6.如权利要求4所述的静磁波器件，其特征在于所述x为0.05至1，所述衬底为Gd3Ga5O12。
7.静磁波器件的一种材料，由通式为R3-xCaxMa5-2y+xZryMby-xO12的磁石榴石单晶薄膜制成，其中R为选自Y、La、Bi、Gd、Lu和Sc组成的元素群的起码一个元素，Ma为Fe或选自Fe和Ga和Al组成的元素的起码一个元素的组合，Mb为选自Mg和Mn组成的元素群的起码一个元素，且满足下列不等式的条件：0≤x≤1，0.1≤y≤1，且x＜y。
8.如权利要求7所述的材料，其特征在于，x为0。
9.如权利要求7所述的材料，其特征在于，x为0.05至1。
10.如权利要求7的所述的材料，其特征在于，磁石榴石单晶薄膜在一种选自Gd3Ga5O12、Sm3Ga5O12和Nd3Ga5O12组成的材料群的一种材料制成的衬底上形成。
11.如权利要求10所述的材料，其特征在于，x为0，且所述衬底是Sm3Ga5O12和Nd3Ga5O12。
12.如权利要求10所述的材料，其特征在于，x为0.5至1，且所述衬底是Nd3Ga5O12。
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