[发明专利]磁记录媒体及其制造方法

权利要求书

1.一种磁记录媒体，该磁记录媒体为磁通反转型，在其基体表面上通过金属衬层，形成至少由CoNiCr构成的强磁性金属层，上述强磁性金属层的氧浓度在100ppm(重量)以下，其特征在于，在形成强磁性金属层的晶粒之间具有非晶形结构构成的晶界层。

2.一种磁记录媒体，该磁记录媒体为磁通反转型，在其基体表面上通过金属衬层，形成至少由CoCrPt构成的强磁性金属层，上述强磁性金属层的氧浓度在100ppm(重量)以下，其特征在于，在形成强磁性金属层的晶粒之间具有非晶形结构构成的晶界层。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录媒体，其特征在于，上述晶界层是非磁性的。

4.根据权利要求1～3中任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，上述强磁性金属层包含作为第4元素的Ta。

5.根据权利要求1～4中任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，上述金属衬层是Cr。

6.根据权利要求1～5中任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，上述金属衬层的膜厚度是5nm～30nm。

7.一种权利要求1～4中任何一项所述的磁记录媒体，其特征在于，不通过金属衬层，在上述基体表面上形成上述强磁性金属层。

8.权利要求1～7中任何一项所述的磁记录媒体的制造方法，其中，上述金属衬层和/或上述强磁性金属层的形成方法为溅射法，其特征在于，形成上述金属衬层和/或上述强磁性金属层时的基体表面温度是60℃～150℃。

9.权利要求1～8中任何一项所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，在形成上述金属衬层和/或上述强磁性金属层时，对上述基体除由等离子体产生的自偏压外，不外加电偏压。