[发明专利]使用光敏材料的电子照像法无效
| 申请号: | 95118314.1 | 申请日: | 1995-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN1131285A | 公开(公告)日: | 1996-09-18 |
| 发明(设计)人: | 辻田充司;田中作白;寺田幸史;寺田卓司;山里一郎;宫本荣一 | 申请(专利权)人: | 三田工业株式会社 |
| 主分类号: | G03G15/06 | 分类号: | G03G15/06 |
| 代理公司: | 北京市中原信达知识产权代理公司 | 代理人: | 张天舒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 光敏 材料 电子 照像法 | ||
1.一种电子照像法,包括将光敏材料充电,将其对载像光曝光形成静电潜像,并在施加显影偏压的状态下将该静电潜像显影,所说显影偏压采用与该光敏材料电荷极性相同之电势,其值高于光衰减特性曲线中,接近大曝光量区的曲线与接近小曝光量区的曲线相交之点的相应电势(EH)。
2.根据权利要求1的电子照像方法,其中光敏材料是有机光敏材料。
3.根据权利要求1的电子照像方法,其中光敏材料是将产生电荷物质分散于含有转移电荷物质的树脂介质中所获得单分散层光敏材料。
4.根据权利要求1的电子照像方法,其中光敏材料是其光衰减特性由下述式(1)表示之有机光敏材料,
V=Vo{A·exp(-B·I)+C·exp(-D·I)}…… (1)其中,I是曝光量(lux·Sec),V是当曝光量为I时,光敏材料表面电势的绝对值(Volts),Vo是光敏材料表面初始电势绝对值(Volts),A和C分别为0.7-1和0-0.3之数值,其条件是二者之和为1,B是0.1-1.5lux-1·sec-1的系数,而D是0.01-0.2lux-1·sec-1的系数。
5.根据权利要求4的电子照像方法,其中采用的显影偏电压(EB)满足下述公式(2),
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