[发明专利]构成半导体器件栅极的方法无效
| 申请号： | 95115891.0 | 申请日： | 1995-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1123465A | 公开（公告）日： | 1996-05-29 |
| 发明（设计）人： | 白忠烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 构成 半导体器件 栅极 方法 | ||
1.一种制造半导体器件氮化钛(TiN)栅极的方法，包括以下步骤：
(a)在半导体基片上形成一个栅极隔离层；
(b)在不低于200℃不大于800℃的温度下以溅射方法在所述栅极隔离层表面上形成TiN层。
2.如权利要求1的所述一种制造半导体器件TiN栅极的方法，其中所述的步骤(b)进一步包括以下步骤：
以溅射方法在不低于200℃不大于800℃的温度下以第一生成率在所述栅极隔离层上形成第一TiN层；以及
以溅射方法在不低于200℃不大于800℃的温度下以第二生成率在第一TiN层上形成第二TiN层。
3.如权利要求2所述的一种制造半导体器件TiN栅极的方法，其中所述的第二生成率高于第一生成率。
4.如权利要求2所述的一种制造半导体器件TiN栅极的方法，其中所述的第一TiN层在氮气气氛中沉积，所述第二TiN层在氩气和氮气混合气氛中沉积。
5.如权利要求2所述的一种制造半导体器件TiN栅极的方法，其中，沉积所述第二TiN层以后，具有较低电阻率的金属材料进一步地形成在其上，由此形成一个包括所述第一和第二TiN层以及所述金属材料的栅极。
6.如权利要求5所述的一种制造半导体器件TiN栅极的方法，其中所述金属材料是选自钨(W)、硅化钨(WSiX)和铜(Cu)中的一种。
7.如权利要求1-6中任一权利要求所述的一种制造半导体器件TiN栅极的方法，其中所述的溅射是优选在温度为600℃下进行的。
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