[发明专利]磁存储装置和磁头装置

说明书

本发明涉及同时实现高记录密度和高数据输送速度的磁存储装置和磁头装置，更具体地说涉及能抑制在高记录频率条件下的磁场强度衰减、达到高盘面记录密度的磁存储装置和磁头装置。

以往安装在磁盘装置上的感应型薄膜磁头的磁极所用的膜厚约为3μm左右的NiFe合金薄膜。由于这种NiFe合金膜的电阻率低(约为16μΩ·cm大小)，所以在高频区域的涡流损失增大，记录磁场强度下降。受这种涡流损失的影响，写不清的量或重写的值随着记录频率的变化而变化。在电阻率低的坡莫合金材料(NiFe合金等)中，由于产生涡流，使高频导磁率下降，所以重现特性(灵敏度)不足。(例如)在特开昭58-115612号公报中就谈到这样的例子。由于存在这样的问题，所以采用NiFe合金的薄膜磁头可使用的记录频率就被限制在30MHz左右。另一方面，由于磁盘装置的存储容量逐年增大，现在已能批量生产的3．5英寸装置的盘面记录密度最大已经高达350Mb／in²。在这种条件下的数据记录频率为27MHz左右，已接近使用NiFe合金薄膜的感应型薄膜磁头的性能极限。

本发明的目的是提供这样一种磁存储装置，其中所用的磁头能适应于高速存取和高速输送，且其写不清的量及重写的值不随记录频率的变化而变化。

达到上述目的的方法是在考虑到记录磁头的磁极磁性膜的涡流损失的条件下，设计膜的厚度、电阻率及相对导磁率，借以防止写不清的量或重写的值随记录频率的变化而变化，并且设定较高的数据记录频率，使磁盘能以适应于上述磁头的高速旋转。

(1)根据本发明提供一种磁存储装置，包括使媒体数据传输速率达到每秒15兆字节或其以上以及面数据记录密度达500Mb／平方英寸或其以上的装置和使关系式μd²／p≤500在记录频率45MHz下成立的装置，其中d(μm)是形成用于记录数据或用于记录／重现数据的磁头的记录磁极的磁膜厚度，ρ(μΩ·cm)为电阻率，μ为低频区域内的相对导磁率。

(2)以上(1)所述的装置，如果用直径为3．5英寸以下的圆盘状的磁盘进行信息记录时，记录重现时，该磁盘的转速要设定在4000rpm以上、记录频率要设定在45MHz以上。

(3)以上(1)所述的装置，最好是含有使用矫顽力在2KOe以上的金属磁性膜的磁盘的装置。

(4)以上(1)所述的装置，最好将记录电流的上升时间设定在5纳秒(ns)以下。

(5)以上(4)所述的装置，其中在磁盘媒体上进行信息记录的感应式磁头的记录用的线圈采用薄膜工艺形成，其端子数为3，各端子间的电感最好在1微亨(μH)以下。

(6)上述(5)所述的装置，其中，在磁盘媒体上进行信息记录的感应式磁头的记录用的线圈是双层结构，第1层线圈和第2层线圈的圈数最好相等，但线圈绕线的方向相反。

(7)以上(5)所述的装置，其中，在磁盘媒体上进行信息记录的感应式磁头的记录用的线圈是单层结构，最好在从起点(a)到终点(b)之间相当于圈数的一半的位置(c)上连接另一个端子，以使(c)-(a)之间及在(c)-(b)之间流动的电流的相位相反。

(8)根据本发明提供的一种磁头装置，包括使关系式μd²／ρ≤500在记录频率45MHz下成立的装置，其中d(μm)-是形成用于记录数据或用于记录／重现数据的磁头的记录磁极的磁膜厚度，ρ(μΩ·cm)为电阻率，μ为低频区域内的相对导磁率。

(9)以上(8)所述的装置，其中的数据记录或记录重现用的磁头中至少有一部分记录磁极是由磁性层和绝缘层交替重叠的多层结构构成的，膜的厚度最好在2．7μm以下。

(10)以上(8)所述的装置，其中的数据记录或记录重现用的磁头中至少有一部分记录磁极最好是采用Co系列非晶体合金或Fe系列非晶体合金。

(11)以上(8)所述的装置，其中的数据记录或记录重现用的磁头中至少有一部分记录磁极材料最好是在其金属磁性体中含有一定浓度分布的氧。

(12)以上(11)所述的装置，其中，在磁头的记录磁极材料内掺入了含氧量高的微粒，粒度最好在O．5nm以上、5nm以下。

(13)以上(11)所述的装置，在其磁头的记录磁极材料内掺入含氧量高的微粒，最好是至少含有Zr、Y、Ti、Hf、Al或Si之中的一种成分。

(14)以上(8)所述的装置，其数据记录或记录重现用的记录磁头的记录磁通势(即记录电流与线圈圈数的乘积)最好设定在0．5安培匝数(AT)以上。