[发明专利]磁存储装置和磁头装置

权利要求书

1．一种磁存储装置，其特征为：包括使媒体数据传输速率达到每秒15兆字节或其以上以及面数据记录密度达500Mb／平方英寸或其以上的装置和使关系式μd²／p≤500在记录频率45MHz下成立的装置，其中d(μm)是形成用于记录数据或用于记录／重现数据的磁头的记录磁极的磁膜厚度，ρ(μΩ·cm)为电阻率，μ为低频区域内的相对导磁率。

2．权利要求1所述的磁存储装置，其特征为：信息是存储在直径为3．5英寸或其以下的圆盘状的磁盘上，并且该磁盘在记录／重现模式下以4000rpm或其以上的转速旋转。

3．权利要求1所述的磁存储装置，其特征为：使用由矫顽力在2koe以上的金属磁性膜制成的磁盘。

4．权利要求1所述的磁存储装置，其特征为：记录电流的上升时间为5纳秒(ns)以下。

5．权利要求4所述的磁存储装置，其特征为：在磁盘媒体上进行信息记录的感应型磁头的记录用的线圈是利用薄膜工艺形成的，其端子数为3，各端子间的电感在1微亨(μH)以下。

6．权利要求5所述的磁存储装置，其特征为：在磁盘媒体上进行信息记录的感应型磁头的记录用的线圈为双层结构，第1层线圈和第2层线圈的圈数相等。但线圈的绕线方向相反。

7．权利要求5所述的磁存储装置，其特征为：在磁盘媒体上进行信息记录的感应型磁头的记录用的线圈是单层结构，在从线圈的起点(a)到终点(b)之间的相当于线圈圈数一半的位置(c)处连接另一端子，使(c)-(a)之间及(c)-(b)之间的电流的相位相反。

8．一种磁头装置，其特征为：包括使关系式μd²／ρ≤500在记录频率45MHz下成立的装置，其中d(μm)-是形成用于记录数据或用于记录／重现数据的磁头的记录磁极的磁膜厚度，ρ(μΩ·cm)为电阻率，μ为低频区域内的相对导磁率。

9．权利要求8所述的磁头装置，其特征为：在数据记录或记录／重现用的磁头中至少有一部分记录磁极是磁性层和绝缘层交替重叠的多层结构，该多层结构中的磁性层的厚度在2．7μm或其以下。

10．权利要求8所述的磁头装置，其特征为：在数据记录或记录重现用的磁头中至少有一部分记录磁极是采用Co系列非晶体合金、或Fe系列非晶体合金。

11．权利要求8所述的磁头装置，其特征为：在数据记录或记录重现用的磁头中至少有一部分记录磁极材料的金属磁性体中分布有一定浓度的氧。

12．根据权利要求11所述的磁头装置，其特征为：在磁头的记录磁极材料中掺入含氧量高的微粒，其大小在0．5nm以上、5nm以下。

13．权利要求11所述的磁头装置，其特征为：在磁头的记录磁极材料中掺入的含氧量高的微粒中至少包括Zr、Y、Ti、Hf、Al或Si中的一种成分。

14．权利要求8所述的磁头装置，其特征为：数据记录或记录重现用的记录磁头的记录磁通势(即记录电流与线圈圈数的乘积)设定在0．5安培匝(AT)以上。

15．权利要求8所述的磁头装置，其特征为：在数据记录或记录重现用的磁头中至少有一部分记录磁极的电阻率在40μΩ·cm以上、相对导磁率在500以上。

16．权利要求8所述的磁头装置，其特征为：在数据记录或记录重现用的磁头中至少有一部分记录磁极的相对导磁率在500以下，电阻率在40μΩ·cm以下。

17．权利要求8所述的磁头装置，其特征为：记录电流的上升时间在5纳秒(ns)以下。

18．权利要求17所述的磁头装置，其特征为：在磁盘媒体上进行信息记录的感应型磁头的记录用的线圈是利用薄膜工艺形成的，其端子数为3，各端子之间的电感在1微亨(μH)以下。

19．权利要求18所述的磁头装置，其特征为：在磁盘媒体上进行信息记录的感应型磁头的记录用的线圈是双层结构，第1层线圈和第2层线圈的圈数相等，但线圈的绕线方向相反。