[发明专利]纠错电路

说明书

本发明涉及用于纠正记录在信息记录介质上的数据差错的纠错电路，更具体地讲是涉及用于纠正利用一种MFM-RZ编码系统记录在信息可写入的记录介质上(例如，光卡或类似物)的数据差错的纠错电路。

种种类型的编码系统，诸如NRZ(不归零)编码系统、MFM(改进调频)编码系统、MFM-RZ(改进调频归零)编码系统，作为在信息可写入的记录介质，诸如光卡或类似物上进行数据的记录和从其上进行数据的再生的一种编码系统业已公知。

为了读出以NRZ编码系统、MFM编码系统、MFM-RZ编码系统等等之一记录在信息记录介质上的数据，该数据被输入到一个纠错电路上以纠正数据的差错。如果出错位为“0”，则纠错将是成功的，并由此可获得精确的数据。另一方面，如果出错位为“1”，则纠错将是失败的。

图4是表示NRZ编码系统、MFM编码系统和MFM-RZ编码系统的编码定时图。

图4的第一层(最上层)(a)表示一个要记录的数据的比特序列，图4的第二层(b)用于该数据的NRZ编码系统的记录操作，图4的第三层(c)表示用于该数据的MFM编码系统的记录操作和图4的第四层(最下层)表示用于该数据的MFM-RZ编码系统的记录操作。

在NRZ编码系统中，要送去进行记录的电流极性是按照数据比特序列是变化的。例如，如图4的(a)层和(b)层所示，当要被记录的比特(下文称之为“记录目标比特”)是“1”时，记录电流向前(正向地)流动；另一方面，当记录目标比特是“0”时，电流反向(负向地)流动。因此，这种编码系统进行一种非周期的数据记录操作，对于该操作的电流是等于零的，从而改善了记录密度。

在MFM编码系统中，用于记录的磁化反向是按照数据比特序列受到控制的。例如，如图4的(a)和(c)层所示，当记录目标比特是“1”时，进行磁化反向，当记录目标比特是“0”和其后接着非“0”比特(也就是说，该比特紧接的记录目标比特不是“0”比特)时，不进行磁化反向，和当记录目标比特是“0”和其后接着至少是一个“0”(也就是说，至少该比特紧接的记录目标比特是“0”)时，进行磁化反向，从而改善了记录密度并可以再生自身同步时钟信号。

在MFM-RZ编码系统中，用于记录的电流馈送是按照在MFM编码系统中获得的比特的上升和下降受到控制的。例如，如图4的(a)和(b)层所示，当各比特上升和下降时，在该时刻对于一个预定的期间(比特宽度)电流流动。因此，当读出数据时，容易实现自同步时钟信号的再生。并能够容易实现数据读出定时的再生。在该系统中，当一个数据比特在一个数据的时间间隔的中心被读出的时候，当前沿存在于该数据时间间隔的中心时数据比特将被判为“1”，而当设有前沿存在于该数据时间间隔的中心时，该数据比特将被判为“0”。

在如上文所描述的纠错电路中，当信息记录介质出现被擦伤之类的情形时，由于擦伤干扰了边沿的检测，该介质可能被部分损坏。边沿检测的干扰产生一个丢失数据的区域，造成数据连续地丢失。图5是表示数据丢失的定时图。(a)到(d)层与图4的那些层是相同的，而图5的最下层(e)表示数据丢失。例如，如图5的最下层(e)所示在数据丢失区中数据被连续地丢失了，并且由纠错电路在这种数据丢失区无法进行数据纠错。

因此，在如上文所述的纠错电路中，当出现数据丢失区时，一般来说是通过在数据丢失区(在数据丢失期间)将所有数据都设置为“0”来执行纠错的，从而避免无法实现数据解码操作。

如前所述，设置所有丢失数据为“0”的方法，如果这些数据原来是“0”的话，则能够实现无差错地解码所有数据，然而，如果这些数据原来是“1”的话，则不能执行纠错。

也就是说，当由于擦伤使信息记录介质的数据丢失时，如果原来的数据是“0”，则可以减小误码率，然而，如果原来的数据是“1”，则增加误码率。因此，数据的误码率取决于原来数据的内容。

本发明的一个目的是提供一种纠错电路，该电路甚至在由于信息记录介质的擦伤或类似原因数据连续地丢失情况下，也能够防止在解码操作中随着按照原来数据内容变化的误码率。从而大大地改善了纠错性能。

为了达到上述目的，按照本发明，在预定的纠错系统中，用于以信息记录介质读出的解码数据的纠错电路包括定时再生单元，用于检测数据的前沿或后沿产生定时信号；

数据丢失时间间隔检测器，用于当至少一部分从信息记录介质上读出的数据丢失时，检测数据的丢失；