[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.制造半导体器件的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：

制备含溶解或分散在液体中的物质的溶液，所述物质含促进硅的晶化过程的催化剂，所述溶液含表面活性剂；

令所述溶液与绝缘表面上含硅的半导体膜接触；

形成含所述催化剂的连续层，使之与所述半导体膜接触；然后

加热，使所述半导体膜晶化，在上述晶化工序之后，所述半导体膜含浓度等于或低于1×10¹⁹原子/立方厘米的所述催化剂。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化剂含选自由Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As和Sb组成的元素群中的一种物质。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述物质选自由溴化镍、醋酸镍、草酸镍、碳酸镍、氯化镍、碘化镍、硝酸镍、硫酸镍、甲酸镍、乙酰丙酮化镍、4-环己基丁酸、氧化镍和氢氧化镍组成的物质群。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述物质为选自自由乙酰丙酮化镍的2-乙基己酸镍组成的化合物群的化合物。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化剂含选自由元素周期表VIII、IIIb、IVb和Vb各族元素组成的元素群中的一种物质。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体膜是非结晶的。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，它还包括在上述加热工序之后用选自激光束或强光束的光照射所述半导体膜的步骤。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体选自由水、醇、酸和铵组成的液群。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体选自由苯、甲苯、二甲苯、四氯化碳、氯仿和醚组成的液群。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体为极性溶剂。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体为非极性溶剂。

12.制造半导体器件的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：

制备含溶解或分散在液体中的物质的溶液，所述物质含促进硅的晶化过程的催化剂；

在绝缘表面上形成含硅的半导体膜；

形成薄氧化膜，与所述半导体膜接触；

令所述溶液通过所述薄氧化膜与所述这半导体膜的至少一部分接触；

形成含所述物质的连续层，与所述半导体膜接触；然后

加热，使所述半导体膜晶化，在所述晶化工序之后，所述半导体膜含浓度等于或低于1×10¹⁹原子/立方厘米的所述催化剂。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述薄氧化膜的厚度等于或小于100埃。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述催化剂含选自由Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As和Sb组成的元素群中的一种物质。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述催化剂含选自由元素周期表VIII、IIIb、IVb和Vb族元素组成的元素群中的一种物质。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述半导体膜为非结晶的。

17.如权利要求12所述的方法，其特征在于，它还包括在所述加热工序之后用选自激光束或强光束的光照射所述半导体膜的步骤。

18.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述液体选自由水、醇、酸和铵组成的液群。

19.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述液体选自由苯、甲苯、二甲苯、四氯化碳、氯仿和醚组成的液群。

20.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述液体为极性溶剂。

21.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述液体为非极性溶剂。