[发明专利]半导体器件制造方法无效

申请号：	92105500.5	申请日：	1992-07-07
公开（公告）号：	CN1031436C	公开（公告）日：	1996-03-27
发明（设计）人：	李相忍;洪正仁;朴钟浩	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/90;H01L23/52
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	杨国旭
地址：	南朝鲜京***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制造方法
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【权利要求书】：

1.用于制造具有布线层的半导体器件的方法，包括下列步骤：

在半导体衬底(31、51、71、91和111)上形成绝缘层(32、52、72、92和112)；

为所述的绝缘层提供开口(33、53、73、93和113)，暴露所述绝缘层的底层的表面的一部分；

在所述的绝缘层(32、52、72、92和112)之上形成在随后的热处理步骤中不产生Si沉淀第一导电层(35和36、55和56、75、95和96、115和116)；以及

对所述的第一导电层(35和36、55和56、75、95和96、115和116)进行适当时间的热处理使所述的开口充满所述第一导电层的物质。

2.如权利要求1的方法，其中所述的开口延伸到所述半导体衬底(31、51、71、91和113)的表面，从而暴露出所述半导体衬底的表面的一部分；所述的第一导电层形成步骤包括在所述绝缘层，所述开口的内表面，及所述半导体衬底的暴露的表面上形成所述第一导电层(35和36、55和56、75、95和96、115和116)。

3.如权利要求1的方法，其中所述的第一导电层(35和36)是通过相继沉积具有Si成分的第一金属形成第一金属层(35)和不具有Si成分的第二金属形成第二金属层(36)而得到的。

4.如权利要求3的方法，其中所述的第一导电层(35和36)处理步骤是在0.8Tm-Tm的温度范围内进行1分钟或以上，Tm是第一金属的熔点。

5.如权利要求3的方法，其中所述的第一金属为具有Si成分的铝合金，第二金属为从包含纯铝，铝合金的一组不含Si成分的金属中选出的任一种金属。

6.如权利要求5的方法，其中具有Si成分的铝合金是从包含Al-Si合金和Al-Cu-Si合金的集合中选出的任一种合金，而所述的不具有Si成分的铝合金是从包含Al-Cu合金和Al-Si合金的一集合中选出的任一种合金。

7.如权利要求3的方法，其中所述的第一导电层(35和36)的厚度大约为所述布线层的预定厚度的1/3-2/3。

8.如权利要求3的方法，其中所述的第一金属层(35和36)的厚度不大于所述布线层厚度的1.4，而所述的第二金属层的厚度不少于所述布线层厚度的5/12。

9.如权利要求3的方法，其中所述的第一金属层和第二金属层是在真空中在低温下沉积的。

10.如权利要求9的方法，其中所述的低温为低于150℃的温度。

11.如权利要求1的方法，其中所述的第一导电层(54和55)是通过在所述的绝缘层(52)所述开口(53)的内表面以及所述的底层的暴露的表面部分相继形成硅层(54)，及在所述硅层(54)上沉积不含Si成分的金属形成金属(55)而达到的。

12.如权利要求11的方法，其中所述的金属层(55)由从包含有纯铝，Al-Gu合金和Al-Ti合金的集合中任选的一种合金构成的。

13.如权利要求11的方法，其中所述的金属层(55)是在真空中低温下通过沉积不含Si成分的金属而形成的。

14.如权利要求13的方法，其中所述的低温为低于150℃的温度。