[发明专利]具有再结晶织构的高导磁率耐磨合金的生产方法无效
| 申请号: | 90106546.3 | 申请日: | 1985-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN1019672B | 公开(公告)日: | 1992-12-30 |
| 发明(设计)人: | 增本量;村上雄悦 | 申请(专利权)人: | 财团法人电气磁气材料研究所 |
| 主分类号: | C22F1/10 | 分类号: | C22F1/10;C22C19/03;G11B5/127;H01F1/147 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 林柏楠 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 再结晶 导磁率 耐磨 合金 生产 方法 | ||
1、一种高导磁率耐磨合金的生产方法,该合金的基本组成如下(按重量):60-90%Ni、0.5-14%Nb,余量为Fe,该方法的特征在于:使合金熔融并浇铸成型,将成型工件在900-1200℃条件下热加工,以至少50%的加工率冷加工该工件,在不低于900℃并低于合金熔点的温度条件下加热冷加工了的工件,随后以100℃/秒-1℃/小时(取决于合金的成分)的冷却速率将加热了的工件从高于合金有序一无序转变点温度冷却到室温,借此获得具有至少3,000(0.3特斯拉/奥斯特)(在1千赫)的有效导磁率、至少4,000高斯(0.4特斯拉)的饱和磁通密度和{110}<112>+{311}<112>再结晶织构的合金。
2、一种高导磁率耐磨合金的生产方法,该合金的基本组成(按重量)为:60-90%Ni、0.5-14%Nb和余量的Fe,该方法特征在于:使合金熔融并浇铸成型,将成型工件在900-1200℃条件下热加工,以至少50%的加工率冷加工该工件,在不低于900℃并低于合金熔点的温度加热该冷加工了的工件,随后以100℃/秒-1℃小时(取决于合金的成分)的合适冷却速率从高于合金有序一无序转变点温度冷却加热了的工件,将冷却了的工件再加热到低于合金有序一无序转变点的温度,加热时间为1分-100小时(取决于合金成分),冷却再加热了的工件,借此获得具有至少3,000(0.3特斯拉/奥斯特)(在1千赫)的有效导磁率、至少4,000高斯(0.4特斯拉)的饱和磁通密度和{110}<112>+{311}<112>再结晶织构的合金。
3、一种高导磁率耐磨合金的生产方法,该合金的基本组成(按重量)为:60-90%Ni和0.5-14%Nb的主要成分,0.01-30%至少一种次要成分,该次要成分从下列各组元素中选择:各自不超过7%的Cr、Mo、Ge和Au,各自不超过10%的Co和V,不超过15%的W,不超过20%的Ta,各自不超过25%的Cu和Mn,各自不超过5%的Al、Si、Ti、Zr、Hf、Sn、Sb、Ga、In、Tl、Zn、Cd、稀土元素和铂系元素,各自不超过3%的Be、Ag、Sr和Ba,各自不超过1%的B和P,和不超过0.1%的S;以及作为主要成分的余量的Fe;该方法的特征在于,使合金熔融并浇铸成型,将成型工件在900-1200℃条件下热加工,以至少50%的加工率冷加工该工件,在不低于900℃但低于合金熔点温度加热冷加工了的工件,随后以100℃/秒-1℃/小时(取决于合金成分)的适当冷却速率将加热了的合金从高于合金有序一无序转变点温度冷却到室温,借此获得具有至少3,000(0.3特斯拉/奥斯特)(在1千赫)的有效导磁率、至少4,000高斯(0.4特斯拉)的饱和磁通密度和{110}<112>+{311}<112>再结晶织构的合金。
4、一种高导磁率耐磨合金的生产方法,该合金的基本组成(按重量)为:60-90%Ni和0.5-14%Nb的主要成分,0.01-30%至少一种次要成分,该次要成分从下列各组元素中选择:各自不超过7%的Cr、Mo、Ge和Au,各自不超过10%的Co和V,不超过15%的W,不超过20%的Ta各自不超过25%的Cu和Mn,各自不超过5%的Al、Si、Ti、Zr、Hf、Sn、Sb、Ga、In、Tl、Zn、Cd、稀土元素和铂系元素,各自不超过3%的Be、Ag、Sr和Ba,各自不超过1%的B和P,和不超过0.1%的S;以及作为主要成分的(带有微量不可避免杂质)余量的Fe;该方法的特征在于:使合金熔融并浇铸成型,将成型工件在900-1200℃条件下热加工,以至少50%的加工率冷加工该工件,然后在不低于900℃但低于合金熔点温度加热冷加工了工件,随后以100℃/秒-1℃/小时(取决于合金成分)的适当冷却速率将加热了的合金从高于合金有序一无序转变点温度冷却加热了工件,在不超过合金有序-无序转变点温度将冷却了的工件再加热1分-100小时(取决于合金成分)适当时间,再使此经再加热的工件冷却,借此获得具有至少3,000(0.3特斯拉/奥斯特)(在1千赫)的有效导磁率、至少4,000高斯(0.4特斯拉)的饱和磁通密度和{110}<112>+{311}<112>再结晶织构的合金。
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