[发明专利]磁光记录体

说明书

本发明涉及基体和磁光记录膜之间粘附性良好、耐氧化性以及磁光记录特性良好的磁光记录体。

众所周知，包括过渡金属（诸如铁、钴等）以及稀土元素（诸如铽（Tb）、钆（Gd）等）的磁光记录膜具有一与薄膜垂直的易磁化轴，并能通过与薄膜磁化作用反平行的磁化而形成小的反向磁畴。通过使该反向磁畴的存在或不存在对应于“1”或“0”，有可能将数字信号记录在上述磁光记录膜上。

作为由该上述过渡金属和稀土元素构成的磁光记录膜，例如，在日本专利公告第20691/1982号中揭示了那些包含15-30原子%Tb的Tb-Fe系磁光记录膜。还有人采用Tb-Fe-Co、Gd-Tb-Fe和Dy-Tb-Fe-Co系磁光记录膜。

尽管这些磁光记录膜具有良好的记录和复制特性，从实际观点来看，它们仍存在有严重的问题，即它们在通常使用过程中容易氧化，并且其性能随着时间推移而变化。

譬如，在日本应用磁学协会杂志（Journal    of    Applied    Magnetism    Society    of    Japan），卷9，No.2，PP33-96杂志中，讨论了包含上述过渡金属和稀土元素的磁光记录膜的氧化变劣机理，该文章报道，可将所述氧化变劣机理分成下述三种类型。

a）点蚀

点蚀是指在磁光记录膜存在有小孔，该腐蚀主要在高湿度环境下发展，例如，它在诸如Tb-Fe、Tb-Co等系列记录膜中显著地发展。

b）表面氧化

表面氧化物层在磁光记录膜上形成，由此使薄膜的克耳旋转角θk随时间而变化，并最终变小。

c）稀土元素的选择氧化

存在于磁光记录膜中的稀土元素被选择氧化，由如使薄膜的矫顽力Hc随时间而显著变化。

迄今为止，已作了各种努力来抑制上述磁光记录膜的氧化变劣。例如，提出了一种方法，其中将磁光记录膜设计成具有三层结构，其中所述薄膜被夹在抗氧化保护层（诸如Si₃N₄、SiO、SiO₂、Al N等）之间。

另外，人们已作了各种尝试，通过将第三组分金属结合入Tb-Fe、Tb-Co等系列记录膜中来改善磁光记录膜的耐氧化性。

例如，上述Journal    of    Applied    Magnetism    Society    of    Japan杂志中揭示了一种改善Tb-Fe或Tb-Co系磁光记录膜耐氧化性的尝试，它是通过将数量为不大于3.5原子%的第三金属组分（诸如Co、Ni、Pt、Al、Cr、Ti和Pd）结合入膜膜中来进行的。

为了改善磁光记录膜的耐氧化性，在Proceedings    of    The    Ninth    Conference    of    Applied    Magnetism    Society    of    Japan（1985.11月）的第209页中揭示了通过将数量为不超过10原子%的Pt、Al、Cr和Ti加入Tb-Fe或Tb-Fe-Co中而获得的磁光记录膜。

日本专利公告号255546/1986揭示了耐氧化性能改善的磁光记录膜，它是通过将贵金属（诸如Pt、Au、Ag、Ru、Rh、Pd、Os和Ir）加入包括稀土元素和过渡金属的磁光记录膜中来达到的，所述贵金属的含量范围应保证复制所必要的克耳旋转角。

如上所述，那些通过将第三金属（诸如Co、Ni、Pt、Al、Cr、Ti和Pd）加入常规Tb-Fe系或Tb-Co系而制得的磁光记录膜是已知的。通过将由聚碳酸酯构成的常规基片与上述磁光记录膜进行层压而制得的磁光记录体仍不具有充分的耐氧化性和磁光记录特性长期稳定性。所述磁光记录体具有低的C/N比和高的噪音水平，这是由于其基片的高双折射率而引起的，它还表现出磁光记录膜和基片之间的粘附不充分。因此，由聚碳酸酯制得的基片要求热处理，以使其基本不含水。它们还要求等离子体表面处理，以改善与磁光记录膜的粘附性。

本发明人已进行研究来改善上述磁光记录体的性能，发现磁光记录体的氧化劣化不仅是由磁光记录膜的组成引起的，而且还由与磁光记录膜层压的常规基片本身引起，常规基片（诸如聚碳酸酯基片）与磁光记录膜的不充分粘附引起磁光记录膜不能充分地防止氧化。