[发明专利]信息记录介质无效
申请号: | 90102220.9 | 申请日: | 1990-04-17 |
公开(公告)号: | CN1018396B | 公开(公告)日: | 1992-09-23 |
发明(设计)人: | 进藤清孝;五十岚康一;水本邦彦;桥本英彦 | 申请(专利权)人: | 三井石油化学工业株式会社 |
主分类号: | G11B11/10 | 分类号: | G11B11/10 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 张恒康 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 | ||
本发明是关于具有金属层的信息记录介质,其特别之处是,信息记录介质具有极佳的耐腐蚀性或稳定性,且它的记录功率很少与线性速度有关。
对于由衬底和衬底上面的记录层和金属层构成、并具有重写信息能力像磁光记录盘一类的信息记录介质,都希望将记录功率与线性速度之间的依赖关系减小,以便使信息记录在所述的介质上的记录功率不会随着介质的内周边和外周边部分而有大的改变。
通常,在像磁光记录盘一类信息记录介质中,在衬底上除了磁光记录层之外还形成金属层。到目前为止在像磁光记录盘一类信息记录介质上所应用的金属层都是由镍合金、铝金属或含0.1-10%重量钛的铝合金所组成。但由铝金属或铝一钛合金构成的金属层有这样缺点,即它们耐腐蚀性很差,因而不能耐受长时间的使用。
由镍合金构成的金属层还有一些严重的缺点,即在将信息写入信息记录介质时所需的记录功率与所述介质的内周边部份和外周边部分有很大关系,因而使得记录功率与线性速度的关系仍然很大。
以开发有优良的耐腐蚀性或长期稳定性、而记录功率与线性速度的依赖关系小的信息记录介质为目的,本发明者进行了广泛的探索而找到了有至少含铪的铝合金所组成的金属层的信息记录介质,这种信息记录介质有优良的耐腐蚀性和较小的记录功率与线性速度的关系。这样,本发明便告完成。
本发明倾向于解决如上所述与先前技术有关的那些问题,发明的目的是提供信息记录介质,其有优良的耐腐蚀性,和较小的记录功率与线性速度关系。
在衬底上有记录层和金属层的本发明的第一种信息记录介质,其特征是,金属层由从铪(Hf)和铌(Nb)中选出的至少一种的铝合金所构成,铪和铌的量占构成铝合金层的所有原子中的0.1-10原子%。
在衬底上有记录层和金属层的本发明的第二种信息记录介质,其特征是,金属层是由含0.1-9.5原子%的铪和0.1-5原子%的铬的铝合金所构成。所述的铪和铬的总量小于10原子%。
在衬底上有记录层和金属层的本发明的第三种信息记录介质,其特征是,金属层是由含0.1-9.5原子%铪,0.1-5原子%铬和0.1-9.5原子%的钛的铝合金所构成,所述的铪、铬和钛的总量小于10原子%。
在衬底上有记录层和金属层的本发明的第四种信息记录介质,其特征是,金属层是由含0.5-5原米%铪,0.5-5原子%的钛的铝合金所构成,所述的铪和钛的总量为1-5.5原子%。
在衬底上有记录层和金属层的本发明的第五种信息记录介质,其特征是,金属层是由含0.1-10原子%的铪和0.1-10原子%镁的铝合金所构成,所述的铪和镁的总量小于15原子%。
在衬底上有记录层和金属层的本发明的第六种信息记录介质,其特征是,金属层是由含0.1-10原子%的铪,0.1-10原子%镁和0.1-10原子%钛的铝合金所构成,所述的铪、镁和钛的总量小于15原子%。
在衬底上有记录层和金属层的本发明的第七种信息记录介质,其特征是,金属层是由含0.1-10原子%的铪、0.1-10原子%的镁和不大于10原子%的铬的铝合金所构成,所述的铪、镁和铬的总量小于15原子%。
在衬底上有记录层和金属层的本发明的第八种信息记录介质, 其特征是,金属层是由含0.1-10原子%的铪、0.1-10原子%的镁和不大于10原子%的铬的铝合金所构成,所述的铪、镁和铬的总量小于15原子%。
如上面图示说明的本发明的信息记录介质-它每个都有铝合金构成的金属层,铝合金至少含铪-它有优良的耐腐蚀性,较小的记录功率与线性速度的关系和优良的保护记录层的特性。
图示的简单说明
图1是本发明的信息记录介质的一个实例的截面草图。
图2是本发明的信息记录介质的另一个实例的截面草图。
1…信息记录介质
2…衬底
3…记录层
4…金属层
5…保护膜
本发明的信息记录介质以图示详述如下:
图1是本发明一个实例的截面中信息记录介质的草图。图2是本发明另一个实例的截面中信息记录介质的草图。
在本发明的信息记录介质中,存贮在所述记录介质中的信息通过诸如激光束的光来读出。这类信息记录介质,具体说来,包括只读型光盘-它能作附加的记录但不能擦除记录的信息;重写入型光盘,例如磁光记录盘和相变型光盘,它能记录信息又能擦除和重写记录的信息。
例如从图1可知,在本发明的信息记录介质1中,记录层3和金属层4以那样的次序在衬底2上形成。
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