[其他]抗磁场干扰的横向电压型压力传感器无效
| 申请号： | 87211315 | 申请日： | 1987-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN87211315U | 公开（公告）日： | 1988-07-27 |
| 发明（设计）人： | 鲍敏杭;齐薇佳;于连忠 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01L1/00 | 分类号： | G01L1/00 |
| 代理公司： | 复旦大学专利事务所 | 代理人： | 陆飞,滕怀流 |
| 地址： | 上海市邯郸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场 干扰 横向 电压 压力传感器 | ||
【权利要求书】：
1、一种由两个四端半导体电阻器构成的消磁敏横向电压型压力传感器，其特征为两个四端电阻器的尺寸相同、位置和取向角不同，两个输出霍尔电压极性相同的两个电极相短接，其余两个输出端作为输出。
2、根据权利要求1的消磁敏压力传感器，其特征在于两个四端电阻器的位置和取向角根据不同晶向和形状的硅膜上应力分布规律设计：
（1）对（001）方形硅膜，两个四端电阻器位于膜边中点附近，关于x轴对称，都与膜边成45°角。
（2）对（001）长方形硅膜，有两种设计：①两个四端电阻器位于膜长边中点附近，关于x轴对称，且与膜边夹45°角。②两个四端电阻器位于膜中心区域，在y轴上，关于x轴对称，与膜边夹45°角。
（3）对（001）园膜，两个四端电阻器对称地位于与〔100〕和〔010〕都成45°夹角的半径两侧，互相垂直，并靠近园膜的边缘。
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