[其他]高导电性聚合体组成物及其制造方法无效

专利信息
申请号: 87108059 申请日: 1987-11-27
公开(公告)号: CN87108059A 公开(公告)日: 1988-06-22
发明(设计)人: 酒井敏幸;小林正雄 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: C08F34/00 分类号: C08F34/00;C08F2/52;H01B1/12
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 杨丽琴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 导电性 聚合体 组成 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种高导电性聚合体组成物,其特征在于该聚合体组成物是在中性化的具有π电子共轭结构的导电性聚合体上掺杂有阴离子性高分子电解质而成的。

2、根据权利要求1所述的高导电性聚合体组成物,其特征在于中性化的具有π电子共轭结构的导电性聚合体是聚乙炔、聚对苯撑、聚芘、聚甘菊环、聚芴、聚亚乙烯基苯撑、聚亚乙烯基萘、聚吡咯、聚噻吩、聚-3-甲基噻吩、聚噻嗯吡咯、聚亚乙烯基噻嗯、聚苯胺、聚异硫茚或上述聚合体单体衍生物的聚合体或者这些单体的共聚体。

3、根据权利要求1所述的高导电性聚合体组成物,其特征在于阴离子性高分子电解质是聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚乙烯硫酸、聚乙烯磺酸、聚苯乙烯磺酸、聚-α-甲基磺酸、聚亚乙基磺酸、聚谷氨酸、聚天冬氨酸、多磷酸、褐藻酸、果胶酸、含有磺(酸)基或羧(酸)基的氟系聚合体等。

4、根据权利要求2所述的高导电性聚合体组成物,其特征在于中性化的具有∏电子共轭结构的导电性聚合体是聚异硫茚。

5、根据权利要求4所述的高导电性聚合体组成物,其特征在于阴离子性高分子电解质是多磷酸。

6、一种高导电性聚合体组成物的制造方法,其特征在于该制造方法是在中性化的具有∏电子共轭结构的导电性聚合体上利用电化学法掺杂阴离子性高分子电解质。

7、根据权利要求6所述的高导电性聚合体组成物的制造方法,其特征在于中性化的具有∏电子共轭结构的导电性聚合体是聚乙炔、聚对苯撑、聚芘、聚甘菊环、聚芴、聚亚乙烯基苯撑、聚亚乙烯基萘、聚吡咯、聚噻吩、嗯聚-3-甲基噻吩、聚噻吡咯、聚亚乙烯基噻嗯、聚苯胺、聚异硫茚或上述聚合体单体的衍生物的聚合体或者这些单体的共聚体。

8、根据权利要求6所述的高导电性聚合体组成物的制造方法,其特征在于阴离子性高分子电子解质是聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚乙烯硫酸、聚乙烯磺酸、聚苯乙烯磺酸、聚-α-甲基磺酸、聚亚乙基磺酸、聚谷氨酸、聚天冬氨酸、多磷酸、褐藻酸、果胶酸含有磺(酸)基或羧(酸)基的氟系聚合体。

9、根据权利要求7所述的高导电性聚合体组成物的制造方法,其特征在于中性化的具有∏电子共轭结构的导电性聚合体是聚异硫茚。

10、根据权利要求9所述的高导电性聚合体组成物的制造方法,其特征在于阴离子性高分子电解质是多磷酸。

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