[其他]化合物薄膜形成装置无效
| 申请号: | 87107161 | 申请日: | 1987-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN87107161A | 公开(公告)日: | 1988-05-11 |
| 发明(设计)人: | 伊藤弘基 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;H01L49/02;H01L27/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 叶凯东,吴秉芬 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化合物 薄膜 形成 装置 | ||
1、一种化合物薄膜形成装置,包括:保持有所定真空度的真空槽,设置在该真空槽内的衬底,向这衬底喷出蒸镀物质的蒸气、并产生上述蒸镀物质的块状原子团的蒸气发生源,设置在该蒸气发生源与所说衬底之间并使上述原子团的至少一部分电离的电离机构,设置在该电离机构与所说衬底之间并将通过上述电离机构而被电离了的原子团以及设有电离的蒸镀物质的原子团及蒸气向上述衬底碰撞的加速电极,其特征在于,该化合物薄膜形成装置备有:设置在所说真空槽内的内部槽,设置在该内部槽的内侧、用以喷射反应性气体的气体喷射喷嘴,设置在该气体喷射喷嘴的反应性气体的喷射方向上、用以引出电子束的电子束引出电极,设置在该电子束引出电极的反应性气体的喷射方向上、用以放出电子束的电子束放出机构,在上述的内部槽中,设置在所说电子束引出电极及所说电子束放出机构的外侧、用以对所说电子束引出电极和电子束放出机构进行电位屏蔽的电场屏蔽板,设置在该电场屏蔽板与所说衬底之间、用以对上述电子束引出电极及所说电子束放出机构进行正电位偏置、并且将上述反应性气体加速的加速电极。
2、权利要求1的化合物薄膜形成装置,其特征在于,所说电场屏蔽板与电子放出机构的电位相同或被偏置,使它对于电子束放出机构呈负电位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/87107161/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:取代苯骈异噻嗪羧酸乙酯的合成工艺
- 下一篇:冷室
- 同类专利
- 专利分类





