[发明专利]具有反型复制表面的陶瓷复合体制品的生产方法及其所得制品无效

专利信息
申请号: 87105222.9 申请日: 1987-07-30
公开(公告)号: CN1028511C 公开(公告)日: 1995-05-24
发明(设计)人: 马克·S·纽克尔克 申请(专利权)人: 兰克西敦技术公司
主分类号: C04B35/65 分类号: C04B35/65;C04B35/10;C22C29/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 段承恩,徐汝巽
地址: 美国特*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 复制 表面 陶瓷 复合体 制品 生产 方法 及其 所得
【权利要求书】:

1、一种生产自承陶瓷复合体的方法,该复合体具体有反型复制母体金属阳模的阴模,该母体金属为至少一种选自铝、硅、钛、锡、锆和铪的金属,上述的复合本包括(1)一陶瓷基体,由母体金属氧化形成一种多晶材料得到,其中含有(i)上述的母体金属与氧化剂的氧化反应产物,含有至少一种选自氧、氮、卤素、硫、磷、砷、碳、硼、硒、碲、甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、乙炔、丙烯、二氧化硅、空气、H2/H2O和CO/CO2以气、固或液态存在的物质,和,任意地(ii)一种或多种金属组分组成;以及(2)被上述基体埋置的填充物,本方法包括以下步骤:

(a)提供具有(1)一个供反型复制用的阳模部分和(2)一个非复制部分的母体金属体;

(b)至少把上述母体金属体的所述阳模部分放置在与合适的填充物床中使两者相配合,在控制生长的条件下促进从上述阳模部分生长的上述的氧化反应产物进入所述填料之中,并防止在上述的非复制部分发生这类生长,上述合适的填充物(i)至少当在步骤(c)中需要上述的氧化剂与熔融母体金属接触时,对上述的氧化剂是可渗透的,和(ii)对氧化反应产物经过上述合适的填充物生长是可以渗透的;

(c)把母体金属前体加热到高于其熔点而低于上述的氧化反应产物熔点的温度范围,以形成熔融的母体金属,并且在上述的温度下,

(1)使熔化母体金属与上述的氧化剂反应生成上述的氧化反应产物

(2)至少保留一部分上述的氧化反应产物与上述的熔融金属体和上述的氧化物相接触并处于它们之间,以进一步使熔化的金属经过氧化反应产物从上述的熔融金属体中排出并在上述的填充物床内与所述氧化剂接触;同时随着新鲜氧化反应产物在上述的氧化剂和先形成的氧化反应产物之间的界面上不断形成,在上述的填充物床中形成上述的阴模,以及

(3)上述的反应持续一段时间,足以将上述合适的填充物床至少部分地埋置上述的氧化反应产物中,由于氧化反应产物的生长进入所述的填料从而形成具有上述阴模的上述的复合体;以及

(d)将得到的自承陶瓷复合体从剩余的填充物和未反应的母体金属,如果有的话,中分离出来。

2、如权利要求1所述的方法,包括放置上述母体金属前体与上述与上述合适填充物相配合,以使所述母体金属体的所述非复型部分不与所述的填充物床相接触。

3、如权利要求2所述的方法,该方法包括所提供覆盖至少一部分所述母体金属的所述非复型部分的方法,以防止所述氧化反应产物从所述非复制部分生长。

4、如权利要求3所述的方法,其中所述氧化剂呈气相,所述的防止生长装置在步骤(c)的反应条件征对所述气相氧化剂是可渗透的。

5、如权利要求4所述的方法,其中所述氧化剂包括一气相氧化剂,和所述用来防止生长的装置包括一熟石膏层。

6、如权利要求1或2所述的方法,其中所述的生长控制条件包含所述阳模部分上施加掺杂剂。

7、如权利要求1所述的方法,其中所述的合适填充物是自粘合的,至少当需要抵抗由于所述氧化反应产物的生长而形成的经过所述氧化反应产物形成的压力的时候。

8、如权利要求1所述的方法,其中所述生长控制条件至少部分是通过将一种固体氧化剂和一种流体氧化剂中的至少一种放入所述的合适填充物床中某一接近阳模部分来提供的。

9、如权利要求中任一项所述的方法,其中所述的氧化剂包括一种气相氧化剂。

10、如权利要求9所述的方法,其中所述的氧化剂包括一种含氮气体或一种含氧气体。

11、如权利要求中任一项所述的方法,其中所述母体金属选自铝、硅、钛、锡、锆和铪。

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