[发明专利]液氮温区超导薄膜及其制备方法无效
| 申请号: | 87102739.9 | 申请日: | 1987-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN1004951B | 公开(公告)日: | 1989-08-02 |
| 发明(设计)人: | 赵柏儒;王会生;陆勇;史引焕;赵玉英;李林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;C22C29/12 |
| 代理公司: | 中国科学院物理研究所专利办公室 | 代理人: | 张爱莲 |
| 地址: | 北京6*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液氮 超导 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1、一种超导薄膜的制备方法,其特征是压铸成型高温烧结的化合物靶,直流(或射频)磁控充氩溅射和热处理工艺过程,并制成液氮温区超导薄膜。
2、根据权利要求1所述的方法,其特征是化合物靶按AxB5-xCu5O5(3-y)体系或按AxB1-xCuO3-y体系的四元氧化物制成,其中A=Ca,Sr,Ba,B=Sc,Y,La,X=0.5-0.6,Y-0.5-1,后者体系X=0.3-0.7,选用市售纯度的原料混合研磨,在700-850℃预烧3-8小时,取压强为1-2吨/cm2,压铸成型,再经850-1000℃烧结10-15小时,化合物靶呈黑色,尺寸为直径60-65毫米,厚度为3-5毫米。
3、根据权利要求1所述的方法,其特征是溅射条件:
(1)溅射室的背景真空度为1×10-5乇,
(2)Ar气氛压强为(2-8)×10-2乇,可附加充氧,调节膜的氧含量,
(3)基片材料为白宝石(Al2O3)或石英片或氧化锆,基片加温范围200-600℃,
(4)直流溅射电压为200-500V或射频溅射电压为1.5-2KV,
(5)溅射时间为0.5-2小时。
4、根据权利要求1所述的方法,其特征是在700-900℃温度范围内对膜进行热处理。
5、根据权利要求1所述的方法所制备的薄膜,其特征在于用该方法所制备的薄膜厚度为0.5-1μm,并在液氮温区呈现超导。
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