[其他]微电子电路的接合方法无效
| 申请号： | 87101985 | 申请日： | 1987-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN87101985A | 公开（公告）日： | 1987-10-21 |
| 发明（设计）人： | 马丁·伯克;德特勒夫·坦布林克 | 申请（专利权）人： | 舍林股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K3/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电子 电路 接合 方法 | ||
【权利要求书】：
1、电解淀积铝层在微电子电路的接合中的使用。
2、按照权利要求1所述的电解淀积铅层的使用，其特征在于：用上述铝层覆盖在导电层上并在覆盖了适合的保护层后进行腐蚀。
3、按照权利要求1所述的电解淀积铅层的使用，其特征在于：用敷镀金属、真空蒸发或阴极溅射的办法在电路基板上形成一层导电金属层，通过电镀工艺在金属层上淀积一层铝层，然后在覆盖上适合的保护层后进行腐蚀。
4、按照权利要求1所述的电解淀积铝层的使用，在产生了导体线路将焊区以外的硅片钝化，并用铝的电镀层加厚焊区。
5、按照权利要求1所述的电解淀积铝层的使用，其特征在于：用电镀铝层覆盖住中间基片，然后进行腐蚀。
6、按照权利要求1所述的电解淀积铝层的使用，其特征在于：在对基片化学敷镀金属之后，加一层具有光电结构的聚酰亚胺层，以使铝仅电解淀积在键合区和/或导体线路上需要焊料阻挡层的地方。
7、按照权利要求1至6所述的电解淀积铝层的方法制出的半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
