[其他]单晶连续生长装置无效
| 申请号： | 86200234 | 申请日： | 1986-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN86200234U | 公开（公告）日： | 1986-10-22 |
| 发明（设计）人： | 施仲坚;李惠章;刘金龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国科学院声学研究所专利办公室 | 代理人： | 崔茹华,夏秀英 |
| 地址： | 北京市中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连续 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种采用白金质坩埚提拉单晶的装置，其特征在于它由拉晶炉(7)，退火炉(8)，降温区(9)，(10)，晶体运输机械系统(15)，(16)，(17)，(18)，隔热堵头11-1，11-2，11-3，11-4，温度控制装置所构成。
2、按权利要求1所述的装置，其特征在于该装置由四个区Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ所组成，各级邻区分别由隔热堵头11－1，11－2，11－3，11－4连接。
3、按权利要求1所述的装置，其特征在于各区的温度由PID与程控仪所组成的温控系统控制。
4、按权利要求1所述的装置，其特征在于该装置的拉晶炉可以安置一个或多个坩埚（12），以及与此相对应的，可以有一个或多个加料管（14）。
5、按照权利要求2至4所述的装置，其特征在于该装置的晶转机械控制设备是在轨道（17）上完成晶体的转移，并且根据需要做到可止可行。
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