[其他]数据处理方法

说明书

本发明涉及一种数据处理方法，这种方法处理已存入电子器件存储器中的数据。特别是，本发明涉及一种将存入如EPROM（可编程擦除只读存储器）非易失性存储器中的数据擦除的方法。

数据一旦存在用MOSFET（绝缘栅场效应半导体）制成的EPROM中，便可以用紫外线通过装在封装表面的窗口照射到芯片上的办法加以擦除。但是，装有玻璃窗口的陶瓷封装生产起来很昂贵，因此，可以用树脂（塑料）封装来降低生产成本。其典型产品为日立公司所生产的HN482764    P-3。尽管这种ROM能够以低成本进行生产，但其存储的数据却不能用紫外线照射的办法加以擦除。这种ROM被称之为“OTP（一次性电改写可编程）ROM”。对这种数据不能擦除型的ROM而言，最大的问题是，在产品的最终检测工序中得不到令人满意的可靠性。换句话说，尽管最好是在这种情况下，即存储器中没有任何数据写入，用户可以自由地写入数据的情况下将产品出厂，但是在这种情况下却不能进行如数据的写特性那样的可靠性试验。因此，为了提高测试的可靠性，通常的做法是对每批产品抽出予定数量的试样，然后对试样进行实际读或写测试，如果试样中即使有一个证明是不合格品，则就要报废这一批产品。

也就是说，为了保证产品的可靠性，简单地只要因为抽出的试样被证实有不合格品，无论在这批产品中还有多少合格的产品，所有这批产品均被视为不合格的，并且全部报废。按照这种测试方法，就存在着一种可能性，即在要报废的这批产品中，还有大量合格的产品，这对于半导体器件制造厂家来说是一个极大的损失。

为了解决这个问题，有一个先有技术实例已由日本专利公开号75496/1984所披露。这个先有技术所涉及的是属于一种用塑料注模成型材料密闭封装的EPROM数据擦除装置。这种数据擦除装置的特征在于，用一最佳数量的X射线照射在用塑料注模成型材料所注模成型的EPROM上，以擦除EPROM中的数据。这个装置装有一个快门，当EPROM中的数据擦除完毕的时刻，切断照射在EPROM上的X射线。

本发明人在开发可靠地擦除先前写入ROM内的数据的技术方面作了进一步研究。这种技术既能把芯片上部完全用一种对紫外线不透明的注模成型件完全密封起来的ROM（如OTROMS）中已写入的数据擦掉，又不需要如EEPROM那样复杂的电子擦除机理，并且能够改善如写特性及数据保持特性那样的器件特性。本发明就是基于这些研究而完成的。

有关本发明的研究说明如下。要是采用仅仅依靠照射X射线的擦除方法，在一定程度上可以将存在存储单元中的数据加以擦除，但擦除特性令人不满意。而且重写特性及数据保持特性也令人不满意。其原因之一可以归结为，由于X射线的照射，设想使存储器单元的栅氧化膜中及存储器单元的栅氧化膜与硅衬底的界面中存在损伤而引起的。由于X射线的照射，当存储器单元栅氧化膜及硅衬底中所产生的空穴-电子对中的空穴（正电荷）被俘获到栅氧化膜能级或者栅氧化膜与硅衬底边界的能级时，可以推测，这种损伤会进一步发展。

因此，本发明的目标在于提供一种数据处理的技术，它能够可靠地擦除OTPROM或类似存储器中的数据，并且能够改善重写特性和数据保持的特性。

下面所公开的就是本发明的一个具有代表性的例子。

按照本发明进行数据处理的方法，包括一个向存储器存入数据的工序和擦除已存入存储器中的数据的工序，在数据擦除工序中，包括X射线照射处理及热处理。

换言之，在数据存储工序之后，为了可靠地擦除事先写入存储器单元中的数据，要从注模成型件的外部照射进具有合适能量的X射线，并且进行热处理（退火），而按照惯例，是不进行这种热处理的。（退火也可以与X射线照射同时进行）。

用于X射线照射的X射线的品质及其照射时间与所引起存储单元损伤的数量密切有关。因此，本发明采用具有某种品质的X射线在一定的时间内照射，这样做，X射线能够穿透注模成型件，但又不会给存储单元以过度的损伤。进而，与本发明的数据处理方法中最重要因素之一的热处理（退火）工序有关的退火必要性，适当的温度范围，退火的时间以及退火的环境（例如湿度）都将在下面加以说明。