[其他]数据处理方法无效
| 申请号: | 86105632 | 申请日: | 1986-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN86105632A | 公开(公告)日: | 1987-04-22 |
| 发明(设计)人: | 东海龙男;阿部亨;光石知国;武居一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号: | G11C17/06 | 分类号: | G11C17/06;H01L21/70 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 胡伟炯,刘德辉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 数据处理 方法 | ||
1、一种由下述工序组成的数据处理方法:
(1)在电子器件的存贮器中贮存数据,该电子器件具有上述存贮器和将该存贮器注模的成型件;及
(2)在上述存贮器中擦除所存贮的数据,上述擦除工序包括X射线照射处理和热处理。
2、根据权项1所指数据处理方法,上述注模成型件包括树脂和封装上述的存贮器。
3、根据权项1所指数据处理方法,上述X射线照射处理是由上述注模成型件的外部施加的。
4、根据权项1所指数据处理方法,上述X射线照射处理是使用软X射线实现的。
5、根据权项1所指数据处理方法,上述X射线照射处理是使用波长大于几个埃()的X射线来实现的。
6、根据权项5所指数据处理方法,上述X射线的照射时间小于60分钟。
7、根据权项1到6中任一权项所指数据处理方法,上述X射线照射处理是通过对上述电子器件照射10至20分钟所述的X射线,这些X射线是由碰撞电子产生的,这些碰撞电子是在30千伏(KV)到40千伏(KV)电压和30毫安(mA)到40毫安(mA)电流条件下加速撞击到铬(Cr)靶,以产生所述的X射线。
8、根据权项1所指数据处理方法,上述热处理是通过在125℃到220℃范围内的一定温度实现对上述电子器件加热的,以使X射线照射上述存贮器引起空穴-电子对的空穴任何影响为最小。
9、根据权项8所指数据处理方法,上述热处理的实现至少需4小时。
10、根据权项8所指数据处理方法,上述热处理是在相对湿度从40%到50%的环境下进行的。
11、根据权项10所指数据处理方法,上述热处理是在非氧化环境下进行的。
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