[其他]帧缓冲器存储器无效
| 申请号: | 86102358 | 申请日: | 1986-04-05 |
| 公开(公告)号: | CN86102358A | 公开(公告)日: | 1986-10-01 |
| 发明(设计)人: | 戴维·L·尼里姆 | 申请(专利权)人: | 特克特朗尼克公司 |
| 主分类号: | G09G1/02 | 分类号: | G09G1/02;G11C8/02 |
| 代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 匡少波 |
| 地址: | 美国俄勒冈州比弗顿邮*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 缓冲器 存储器 | ||
本发明涉及到光栅显示用的帧缓冲器存储器系统,更具体地涉及到一种很容易使光栅显示沿垂直方向或水平方向快速卷绕的设备。
随着半导体存储器价格的日益降低,光栅扫描帧缓冲显示已经成为越来越大众化了。被显示的图象可在大型存储器内表示出来,大型存储器可使屏幕上免去亮度和(或)色彩或每个图象元或象素的数字式表示方法。依靠将数据适当地记录在存储器内,就能显示任何一种图象,而使显示硬件对图象的信息不敏感。帧缓冲存储器配上硬件后,能产生使显示更新的视频信号;同时配上存储器端口后,就可以在要求改变被显示的图象时,变更主计算机或显示处理器的帧缓冲存储器。
在相互作用的图影应用中,要求快速改变帧缓冲器存储器。虽然主显示处理器的速度对高性能至关重要,但同样也与存储器系统的特性、特别是更时新的带宽、主处理器或数据处理器对帧缓冲器存储器的存取速率是至关重要的。对已有的存储器技术而言,帧缓冲器存储器存取的隐几何结构也影响这个速率。
图象卷绕过程或者在屏幕图象一部份的卷绕过程包括从帧缓冲器存储器的一个区域内读出象素数据,並将它写入另一个区域内。在先有技术中,帧缓冲器存储器是这样编排的,以致使各扫描线上的象素组均可存入按顺序编址的存储器位置。通过为存储若干迅速从这种顺序存储器地址中读出的象素数据字配备先入先出(FIFO)缓冲器,就可改进卷绕速度;此时各地址的较低位是由计数器而不是由主机显示控制器来很快地增加的。存储在先入先出缓冲器内的数据随后以新的地址顺序再写回到存储器内,新地址顺序也是利用计数器使地址快速增加的。虽然本方法可改进卷绕速度,但还可要求进一步改进卷绕速度。
按照本发明的一个方面的内容,帧缓冲器存储器有一个随机存取存储器(RAM),用它存储各组组内的象素数据,包含象素数据的每一个组是与显示的水平光栅线上的好几个象素的单个集相对应的。每个组是单独地编址的。随机存取存储器构成瓦面状,每个瓦面组成一个象素数据组的行和列组成的阵列,象素数据组行和列是与水平及垂直相邻的显示象素的单独矩形子集对应的。随机存取存储器是通过顺序加上的行和列的地址来编址的。列地址的第一子集确定在每个瓦面内那一个象素组行被编址,而列地址的第二子集则确定在每个瓦面内那一个象素组列被编址。行和列地址的所有其他位则确定那一个瓦面被编址。在这种编排中,在随机存取存储器内共用一个公共的行地址而具有多个差异列地址的各位置均能以较高的速率顺序存取,其存取速率比具有差异行地址的位置的速率高。按照本发明的第二个方面的内容,先入先出缓冲器(由它存储从随机存取存储器读出的数据顺序)也包括一个园筒式移位器,它将按上述方法所存的数据组的位的位置进行移动,以便在水平卷绕操作时使其更容易和象素恰当地对准。
按照本发明的第三方面的内容,提供一种方法,以有选择性地增加或减少列地址的第一和第二子集而不会改变任何其他地址的位,这就能使所选瓦面的行或列之内的象素组可以按任意次序依次编址。这样就得到对显示象素的相邻行或列对应的象素数据的顺序进行快速编址的方法,同时很容易使显示窗口沿任何垂直或水平方向快速卷绕。
按照本发明最后一个方面的内容,提供一种可快速地改变从随机存取存储器读出的数据顺序的逻辑电路,並在重新将数据写入到随机存取存储器之前存储在缓冲器内,用这种方式可以快速变换象素属性。
本发明的一个目的是提供一种改进的帧缓冲器存储器系统,它可以快速地进行水平和垂直卷绕,並可变更象素数据。
本发明的主题是由这个说明书的结论部份中专门指出並提出明确的权项。但是,操作的组织和方法,以及它们的进一步优点和宗旨,都可参见下面的介绍,並参考附图就能很好地掌握。在附图中,类似的参考字母表示类似的元部件。
图1是使用本发明的帧缓冲器存储器系统的方框图。
图2是存储器瓦面编址图,
图3是图1的数据控制器的方框图,
图4是图3的光栅输出组合逻辑电路方框图,
图5是图2的先入先出控制电路的方框图,
图6是在图5中只读存储器的输入和输出关系的表格。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于特克特朗尼克公司,未经特克特朗尼克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/86102358/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:笔控电路
- 下一篇:稀土氧化物的金属热还原





