[其他]绝缘体结构上的硅互联埋层

权利要求书

1、用于在一绝缘层上形成一半导体层的一工艺中，其中所说的绝缘层是形成在衬底之上，所说的半导体层是形成在所述的绝缘层之上，以及各器件在所述的半导体层内形成，用于在衬底上形成一互联的改进，所述器件其特征在于包括以下几个步骤：

在所述的衬底上形成一掺杂区，之后在所述的绝缘层上淀积半导体层，

在所述掺杂区上面，通过所述绝缘层形成一窗口，

在所述掺杂区上面，在所述窗口上形成所述半导体层，

因此所述的掺杂区形成一互联，用于所述的器件。

2、在一绝缘层上用于形成一半导体层的工艺中，其中所述绝缘层是形成在一衬底上，所述的半导体层通过绝缘层内的几个窗口再结晶，允许衬底的晶状结构扩散到所述的半导体层，在所述的半导体层内形成各器件，用于在衬底上形成一互联的改进，该器件其特征包括下面几个步骤：

在所述衬底上形成一伸长的扩散区之后，在所述的绝缘层上淀积所述的半导体层，

在所述的衬底上形成一掺杂区之后，在所述的绝缘层上淀积所述半导体层，

在所述的掺杂区上面，通过所述的绝缘层形成一窗口，

在掺杂区上面所述的窗口上再结晶所述的半导体层，

因此所述的掺杂区形成所述各器件的一互联。

3、在一绝缘层上面用于形成一半导体层的一工艺中，其中在一衬底上形成所述的绝缘层，通过在绝缘层内的几个窗口被再结晶成所述的半导体层，允许所述衬底的晶状结构扩散到所述的半导体层，在所述的半导体层内形成各器件，在所述的衬底内用于形成所述器件互联的改进其特征包括以下几个步骤：

在所述衬底内形成掺杂区之后，在所述绝缘层内淀积所述的半导体层，

在所述的绝缘层内通过窗口淀积的半导体层，联结所述的掺杂区，

在所述的掺杂区上面，在上述窗口再结晶上述的半导体层，

因此上述掺杂区形成上述各器件的互联。

4、在绝缘层上用于形成一半导体层的工艺中，其中在一衬底上形成一所述的绝缘层，以及在所述绝缘层中通过几个窗口被再结晶半导体层，允许所述衬底的晶状结构扩散到所述的半导体层，并在所述的半导体层内形成各器件，在所述衬底内用于形成所述器件互联的改进其特征包括以下几个步骤：

在衬底形成一掺杂区之后，在所述绝缘层上淀积所述的半导体层;

至少在上述掺杂区的部分上面形成一氮化硅;

在上述氮化硅适当的位置上生长场氧化区;

去除上述氮化硅部分;

在上述绝缘层上面淀积半导体层，该半导体层通过在绝缘层中的窗口联接上述的掺杂区，该窗口安置在上述被去除氮化硅的位置上，

通过上述窗口再结晶上述的半导体层，

因此上述掺杂区形成用于上述各器件的互联。

5、由权利要求4所限定的改进措施包括一所述衬底表面的平面工艺步骤，随后生长所述场氧化区的步骤。

6、用于从多晶硅层中形成一硅外延层工艺中，其中一多晶硅层是形成在一二氧化硅层上面，以及在一硅衬底上面形成所述的二氧化硅层，所述的工艺包括在二氧化硅层内通过几个窗口再结晶多晶硅，允许上述硅衬底的晶状结构扩散到多晶硅层，形成上述的外延层，并在上述的外延层上形成各器件，在上述衬底中用于形成所述器件互联的改进其特征包括以下几个步骤：

在上述衬底形成一掺杂区之后，在上述二氧化硅层上淀积所述的多晶硅层，

在上述的掺杂区上面，通过二氧化硅层形成一窗口，

淀积所述的多晶硅层，

通过窗口再结晶所述的多晶硅层，

因此所述掺杂区形成用于各器件的一互联。

7、从一多晶硅层中形成一硅外延层工艺中，其中多晶硅层是形成在一二氧化硅层上面，上述二氧化硅层是形成在一硅衬底上面，上述工艺包括在二氧化硅层上通过几个窗口再结晶上述多晶硅层，允许上述硅衬底的晶状结构扩散到上述的多晶硅层，形成上述的外延层，并在上述的外延层上形成各器件，在所述的衬底内，用于形成所述器件互联的改进其特征包括以下几个步骤：

在衬底上形成一掺杂区之后，在二氧化硅层上淀积所述的多晶硅层，

在上述的绝缘层上通过一窗口使淀积的上述多晶硅层联接上述的掺杂区，

通过上述窗口再结晶多晶硅层，

因此所述的掺杂区形成用于所述各器件的互联。