[其他]薄膜磁头滑块和制备薄膜磁头滑块材料的方法

权利要求书

1、一种薄膜磁头滑块，它包括一个在记录媒质上完成接触起停操作的一个滑块以及在滑块侧端上的一个薄膜磁头装置，至少是滑块的记录媒质接触部分由烧结材料制成，此烧结材料有着高的热绝缘，足以使得在记录媒质上滑动期间，记录媒质上的表层热分解和碳化，此烧结材料的平均晶粒大小不超过5微米。

2、一种根据权利要求1的薄膜磁头滑块，其中烧结材料有着不大于0.02卡/厘米·秒·度的导热率。

3、一种根据权利要求2的薄膜磁头滑块，其中，烧结材料至少包含立方晶系的Z_rO₂。

4、一种根据权利要求1或2的薄膜磁头滑块，其中，烧结材料包含作为主要成分的立方晶系Z_rO₂。

5、一种根据权利要求1或2的薄膜磁头滑块，其中，烧结材料是由立方晶系的ZrO₂制成的。

6、一种根据权利要求4的薄膜磁头滑块，其中，烧结材料至少包含碳。

7、一种根据权利要求6的薄膜磁头滑块，其中，至少一部分碳是作为ZrO₂被包含在内的。

8、一种根据权利要求6或7的薄膜磁头滑块，在烧结材料中，包含按重量比为0.01%到1%的碳。

9、一种根据权利要求6，7或8的薄膜磁头滑块，其中，通过在非氧化性气氛中焙烧有机材料和Z_rO₂粉末的混合物来实现烧结材料的制取。

10、一种根据权利要求9的薄膜磁头滑块，其中，有机材料是根据Z_rO₂粉末，重量比为0.02%到2%的酚醛清漆树脂。

11、一种制取薄膜磁头滑块材料的方法，此方法包括在1，100到1，800℃的烧结温度下焙烧由Z_rO₂粉末，足够数量的稳定剂（在室温下用来稳定立方晶系的Z_rO₂粉末），以及晶粒增长控制剂组成的混合物，同时热压此混合物，因而得到一种烧结材料，此材料包含了作为主要成分的立方晶系Z_rO₂，其平均晶粒的大小不超过5微米。

12、一种根据权利要求11的方法，其中，稳定剂是Y₂O₃，CaO，MgO，CeO₂，SrO或La₂O₃。

13、一种根据权利要求11的方法，其中，晶粒增长控制剂是碳粉或一种有机材料，这种有机材料在低于烧结温度的温度下进行分解，留下碳作为残留物。

14、一种根据权利要求13的方法，其中，有机材料是酚醛清漆树脂。

15、一种根据权利要求13的方法，其中，从烧结材料中含碳的意义出发，在混合物中包含重量比为0.01%到1%的晶粒增长控制剂。

16、一种根据权利要求11的方法，其中，混合物的平均颗粒大小不超过0.1微米。