[实用新型]一种分流盘及单晶炉

说明书

本实用新型提供一种分流盘及单晶炉，分流盘包括分流盘本体，分流盘本体上设有中心孔、进气口、第一流道和多个第一气孔，多个第一气孔沿第一流道的延伸方向间隔排布，第一气孔的上端连通第一流道，第一气孔的下端朝向中心孔的一侧朝向中心孔倾斜、背向中心孔的一侧背向中心孔向外倾斜。此结构的分流盘，用于单晶炉时，将其固定于炉室顶部封板的底部，氩气经进气口进入分流盘本体，再依次流通至第一流道和第一气孔，经第一气孔流出扩散至炉室内。由于第一气孔的下端朝向和背相中心孔的两侧背向相下倾斜，使氩气气流可沿炉室的径向均匀扩散，朝向中心孔倾斜的第一气孔可使氩气气流扩散至中心孔下方的炉室内，保证炉室内氩气气流均匀分布。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅生长炉技术领域，具体涉及一种分流盘及单晶炉。

背景技术

单晶炉在拉晶过程中需要持续的往炉室内部通入氩气等惰性气体，以维持拉晶时炉内压力的稳定，避免晶体被氧化，同时还能及时带走拉晶过程中产生的硅氧化物和杂质挥发物等。

现有技术通过在单晶炉炉室顶部封板的底部固定分流盘，分流盘上设置中心孔、气流流道和气孔，中心孔设于分流盘中部，气流流道从上至下布置于中心孔外侧，为将氩气在中心孔外围均匀导流，气孔设于中心通孔外侧并背向中心孔向下倾斜设置，导致炉内中心孔以外区域氩气气流大、中心孔区域气流小甚至无气流，炉内氩气气流不均。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的分流盘导致的气流不均的缺陷，从而提供一种分流盘及单晶炉。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种分流盘，包括：

分流盘本体，所述分流盘本体上设有中心孔、进气口、第一流道和多个第一气孔，所述进气口和所述第一流道均设于所述中心孔外侧，所述进气口连通所述第一流道；多个所述第一气孔沿所述第一流道的延伸方向间隔排布，所述第一气孔的上端连通所述第一流道，所述第一气孔的下端朝向所述中心孔的一侧朝向所述中心孔倾斜、背向所述中心孔的一侧背向所述中心孔向外倾斜。

可选地，上述的分流盘，所述第一气孔呈圆台形，所述第一气孔的底部直径大于其上部直径。

可选地，上述的分流盘，所述第一气孔竖直设于所述分流盘本体上，所述第一气孔的孔壁与与其相交的竖直面的夹角为6°-8°。

可选地，上述的分流盘，所述第一流道为环形流道，多个所述第一气孔沿所述第一流道的周向等间隔排布。

可选地，上述的分流盘，所述第一流道设于所述进气口外侧；分流盘还包括分流流道，所述进气口、所述第一流道和所述分流流道均由所述分流盘本体的顶面向下内凹成型，所述分流流道的两端分别连通所述进气口和所述第一流道。

可选地，上述的分流盘，所述进气口设有至少一个，每个所述进气口的两侧分别设置一个所述分流流道，每个所述进气口的两侧的所述分流流道关于所述进气口对称设置。

可选地，上述的分流盘，还包括第二流道、多个过渡流道和多个第二气孔，所述第二流道和所述过渡流道均由所述分流盘本体的顶面内下内凹成型；

所述第二流道设于所述分流流道与所述第一流道之间，所述第二流道一侧连通所述分流流道、另一侧通过所述过渡流道连通所述第一流道；多个所述第二气孔沿所述第二流道的延伸方向间隔排布，所述第二气孔的上端连通所述第二流道，所述第二气孔的下端朝向所述中心孔的一侧朝向所述中心孔倾斜。

可选地，上述的分流盘，所述第二气孔的纵截面呈直角三角形；和/或

所述第二流道为环形流道，多个所述第二气孔沿所述第二流道的周向等间隔排布；和/或

所述第二气孔上端的流通面积小于所述第一气孔上端的流通面积。