[实用新型]一种太阳电池有效

专利信息
申请号: 202320172664.0 申请日: 2023-01-31
公开(公告)号: CN219419047U 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 张书界;黄智 申请(专利权)人: 通威太阳能(眉山)有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/06
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 邵琛
地址: 620000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳电池
【说明书】:

本申请提供了一种太阳电池,涉及光伏技术领域。太阳电池包括电池片、位于电池片厚度方向至少一表面上的主栅线和多条副栅线。电池片包括沿厚度方向堆叠的扩散层和钝化层;表面上具有多个沿厚度方向贯穿钝化层的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽。第一凹槽的延伸方向与副栅线平行并位于副栅区域;第二凹槽位于主栅线与副栅线相交处并位于第一凹槽相对两侧;第三凹槽位于主栅区域并连接位于相邻两个第一凹槽间的两个第二凹槽。副栅线至少部分容纳于第一凹槽和第二凹槽内并与扩散层欧姆接触;主栅线至少部分容纳于第二凹槽和第三凹槽内并与扩散层欧姆接触。本申请的太阳电池具有较佳的电流收集效果和光电转化效率。

技术领域

本申请涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种太阳电池。

背景技术

将PERC(Passivated Emitterand Rear Cell,发射极和背面钝化电池)结合选择性发射极技术(selectiveemitter,SE)的SE-PERC太阳电池是目前行业中的常用高效电池。

SE技术是晶硅太阳电池生产工艺中用于提高电池效率的方法之一,其是指在金属栅线电极与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂,而在金属栅线电极以外的硅片区域进行低浓度掺杂,可有效降低扩散层的复合,减少受光面金属栅线电极与硅片的接触电阻,改善电池的短路电流、开路电压和填充因子,从而提高光电转化效率。

目前的太阳电池是采用SE激光在电池片表面的用于形成副栅线电极的区域开槽,使得副栅线与扩散层欧姆接触。但是,现有的太阳电池中栅线结构与电池片的接触性不佳,无法满足行业内对更高电流收集效果和光电转化效率的要求。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种太阳电池,其旨在提升现有的太阳电池的电流收集效果和光电转化效率。

本申请提供一种太阳电池,包括:电池片、位于电池片的厚度方向的至少一表面上的主栅线和多条副栅线。电池片包括沿厚度方向堆叠的扩散层和钝化层。

其中,电池片的厚度方向的表面上具有多个沿厚度方向贯穿钝化层的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽。

第一凹槽的延伸方向与副栅线平行并位于副栅区域;第二凹槽位于主栅线与副栅线的相交处并位于第一凹槽的相对两侧;第三凹槽位于主栅区域,并连接位于相邻的两个第一凹槽间的两个第二凹槽。

副栅线至少部分容纳于第一凹槽和第二凹槽内并与扩散层欧姆接触;主栅线至少部分容纳于第二凹槽和第三凹槽内并与扩散层欧姆接触。

本申请通过在电池片厚度方向的表面设置沿厚度方向贯穿钝化层的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽;第一凹槽位于副栅线区域且其延伸方向与副栅线平行,设置副栅线至少部分容纳于第一凹槽内并与扩散层欧姆接触,可以有效降低副栅线与电池片的接触电阻;第三凹槽位于主栅区域,第二凹槽位于主栅线与副栅线的相交处并位于第一凹槽的相对两侧,相邻的两个第一凹槽间的两个第二凹槽通过第二凹槽连接,设置主栅线至少部分容纳于第二凹槽和第三凹槽并与扩散层欧姆接触,可以有效降低主栅线与电池片的接触电阻,还有利于提高主栅线与副栅线搭接处(即蜈蚣角处)的栅线结构与电池片的接触性,有利于提高主栅线和副栅线对载流子的收集效果。

因此,本申请通过第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽的设置,有效提高主栅线和副栅线的电流收集效果、改善电池的短路电流、开路电压和填充因子,从而提高太阳电池的光电转化效率。

本申请可选的实施方式中,第二凹槽的延伸方向与副栅线平行。

上述设置方式,有利于进一步降低副栅线与电池片的接触电阻。

本申请可选的实施方式中,第三凹槽的延伸方向与主栅线平行。

上述设置方式,有利于进一步降低主栅线与电池片的接触电阻。

本申请可选的实施方式中,第二凹槽以主栅线为轴呈对称设置。

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