[实用新型]一种SIC灭磁电阻离线测试装置有效

专利信息
申请号: 202320171622.5 申请日: 2023-01-12
公开(公告)号: CN219609093U 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 毛江;唐波;许其质;万兴;刘国华;魏伟;陆巍;朱宏超 申请(专利权)人: 中国三峡建工(集团)有限公司;国电南瑞科技股份有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R31/34
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 许婉静
地址: 610041 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic 磁电 离线 测试 装置
【权利要求书】:

1.一种SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于,包括:

升压整流单元:升压整流单元依次通过K1继电器、限流电阻RA与电容模组单元连接;

电容模组单元:电容模组单元的端口1通过可控硅单元连接至被测试的SIC灭磁电阻的一端;同时电容模组单元的端口2连接至数据采集显示单元,数据采集显示单元连接至被测试的SIC灭磁电阻另一端;电容模组单元的端口1分别连接K2继电器、放电电阻RB后连接至电容模组单元的端口2;

充放电控制单元:充放电控制单元分别与K1继电器、K2继电器连接;充放电控制单元同时与可控硅单元连接;

数据采集显示单元:数据采集显示单元分别与电容模组单元端口1、电容模组单元端口2连接。

2.根据权利要求1所述的SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于,

所述升压整流单元包括:升压变输出1端分别连接D1二极管模组和D2二极管模组,2端分别连接D3二极管模组和D4二极管模组,D1二极管模组和D3二极管模组在3端连接后串联Rp电阻接到直流电压输出正端,D2二极管模组和D4二极管模组在4端连接后接到直流电压输出负端,Cs阻容滤波模组两端并联在输出电压正负端。

3.根据权利要求1所述的SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于:所述电容模组单元由多级电容并联而成。

4.根据权利要求1所述的SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于:所述可控硅单元包括两只串联的可控硅。

5.根据权利要求1所述的SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于:所述放电电阻RB包括多个并联的电阻。

6.根据权利要求1所述的SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于:所述充放电控制单元包括充电控制单元和放电控制单元。

7.根据权利要求6所述的SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于:所述充电控制单元包括运放比较回路,运放比较回路连接主回路的分压单元,运放比较回路同时连接外部按键一和光耦一,外部按键一连接运放工作电源,光耦一连接光耦驱动回路一,所述光耦驱动回路一包括晶体管G1,晶体管G1的基极通过电阻R3连接至光耦一,晶体管G1的发射极接零电压,晶体管G1的集电极通过二极管接到电源,J01继电器分别连接电源和晶体管G1的集电极;K1继电器分别连接电源和零电压;电阻R4两端分别连接晶体管G1的基极和发射极。

8.根据权利要求7所述的SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于:所述运放比较回路包括运算放大器,运算放大器的VA脚连接RS可调电阻;算放大器的VB脚通过电阻R1连接至主回路的分压单元;运算放大器的V+脚连接外部按键一;运算放大器的Vout脚连接至光耦一。

9.根据权利要求6所述的SIC灭磁电阻离线测试装置,其特征在于:所述放电控制单元包括光耦二,光耦二一端连接外部按键二,另一端连接光耦驱动回路二,所述光耦驱动回路二包括晶体管G2,晶体管G2的基极通过电阻R5连接至光耦一,晶体管G2的发射极接零电压,晶体管G2的集电极通过一二极管接到电源,J02继电器分别连接电源和晶体管G2的集电极;K2继电器分别连接电源和零电压;电阻R6两端分别连接晶体管G2的基极和发射极。

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