[实用新型]低温烘烤装置及低温烘烤系统

权利要求书

1.一种低温烘烤装置，其特征在于，所述低温烘烤装置包括：

充电触点，包括第一触点和第二触点，所述充电触点至少包括第一极性状态和第二极性状态；及

充电电路，所述充电电路与所述第一触点和所述第二触点连接，所述充电电路包括正极端、接地端、第一电路及第二电路，所述第一触点通过所述第一电路分别连通所述正极端和所述接地端，所述第二触点通过所述第二电路分别连通所述正极端和所述接地端，其中：

在所述充电触点在所述第一极性状态的情况下，所述第一电路与所述正极端的通路导通且所述第一电路与所述接地端的通路导通，所述第二电路与所述正极端的通路关断且所述第二电路与所述接地端的通路关断；

在所述充电触点在所述第二极性状态的情况下，所述第一电路与所述正极端的通路关断且所述第一电路与所述接地端的通路关断，所述第二电路与所述正极端的通路导通且所述第二电路与所述接地端的通路导通。

2.根据权利要求1所述的低温烘烤装置，其特征在于，所述充电电路包括设置于所述第一电路的第一开关组和设置于所述第二电路的第二开关组，所述第一开关组用于切换所述第一电路的导通或关断状态，所述第二开关组用于切换所述第二电路的导通或关断状态。

3.根据权利要求2所述的低温烘烤装置，其特征在于，所述第一开关组包括第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管；

所述第一PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的源极与所述正极端连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一触点连接；

所述第二NMOS管的栅极与所述第一触点连接，所述第二NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极连接；

所述第三NMOS管的栅极与所述第一触点连接，所述第三NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第二触点连接；

在所述充电触点在所述第一极性状态的情况下，所述第一PMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管均处于打开状态；在所述充电触点在所述第二极性状态的情况下，所述第一PMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管均处于关断状态。

4.根据权利要求2所述的低温烘烤装置，其特征在于，所述第二开关组包括第四PMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管；

所述第四PMOS管的栅极与所述第五NMOS管的漏极连接，所述第四PMOS管的源极与所述正极端连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第二触点连接；

所述第五NMOS管的栅极与所述第二触点连接，所述第五NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第五NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的栅极连接；

所述第六NMOS管的栅极与所述第二触点连接，所述第六NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第六NMOS管的漏极与所述第一触点连接；

在所述充电触点在所述第一极性状态的情况下，所述第四PMOS管、所述第五NMOS管及所述第六NMOS管均处于关断状态；在所述充电触点在所述第二极性状态的情况下，所述第四PMOS管、所述第五NMOS管及所述第六NMOS管均处于打开状态。

5.根据权利要求1所述的低温烘烤装置，其特征在于，所述充电电路包括电芯，所述电芯与所述正极端和接地端连接，所述充电触点还包括第三极性状态，在所述电芯为满电状态下，所述充电触点处于所述第三极性状态，所述第三极性状态是所述第一触点的对地电压和所述第二触点的对地电压均为零的状态，在所述充电触点在所述第三极性状态的情况下，所述第一电路和所述第二电路均关断。