[实用新型]一种高压过载的差压变送器

说明书

本实用新型公开了一种高压过载的差压变送器，主要内容为：包括差压芯体和压力调理单元，所述差压芯体与压力调理单元连接，差压芯体采用陶瓷芯体，压力调理单元由ADC模块、MCU模块、DAC模块、放大器和电源模块组成，ADC模块与MCU模块连接，MCU模块与DAC模块连接，DAC模块与放大器连接，电源模块分别与ADC模块、MCU模块和DAC模块连接，压力调理单元采用纳芯微NSA2860压力调理芯片。本实用新型具有过载压力大、抗腐蚀性强和介质兼容性好等优点，大幅减少了电路器件的数量，提高了其使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及变送器技术领域，具体地说，特别涉及一种高压过载的差压变送器。

背景技术

差压变送器主要是测量介质中的两个压力值，通过两个取压点的压力差值计算介质中压力、液位、体积、流量等。广泛用于能源、化工、电厂等工业控制领域。差压变送器长期在高温、低温、腐蚀、振动、冲击等恶劣环境中使用，因此对变送器的长期稳定性、可靠性等有很高的要求。由于我国工业基础现对较为落后，这种差压变送器被国外一些大公司垄断。目前，国产的差压变送器与发达国家相比，差距还是比较大，不管是使用场景受限、成本等都处于劣势。国内传统的差压变送器采用扩散硅压阻式压力敏感芯体，由于扩散硅芯体存在以下几个短板。因此，制约着国产差压变送器的大批量应用。

(1)负压端过载压力小。一般正向压力过载最大2倍满量程，而负向压力过载最大只有1倍的满量程；

(2)扩散硅压力芯体不能测强腐蚀性，有颗粒物介质，高粘稠介质等；

(3)成本高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，公开了一种高压过载的差压变送器，其具有过载压力大、抗腐蚀性强和介质兼容性好等优点，大幅减少了电路器件的数量，提高了其使用寿命。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种高压过载的差压变送器，包括差压芯体和压力调理单元，所述差压芯体与压力调理单元连接，所述差压芯体采用陶瓷芯体，所述压力调理单元由ADC模块、MCU模块、DAC模块、放大器和电源模块组成，所述ADC模块与MCU模块连接，所述MCU模块与DAC模块连接，所述DAC模块与放大器连接，所述电源模块分别与ADC模块、MCU模块和DAC模块连接，所述压力调理单元采用纳芯微NSA2860压力调理芯片。

作为本实用新型的一种优选实施方式，还包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电容C1、电容C2、电容C4、电容C5、电容C6、电容C8、电容C9、电容C10、三极管Q1和三极管Q2，所述NSA2860压力调理芯片引脚1和电阻R6左端都与三极管Q1的引脚1连接，所述三极管Q1的引脚3和NSA2860压力调理芯片引脚2都与电容C8上端连接，所述电容C8下端、差压芯体的引脚IN-、电容C5下端、电容C10下端、电容C4下端、NSA2860压力调理芯片引脚4、NSA2860压力调理芯片引脚9、NSA2860压力调理芯片引脚12、电容C1右端、电阻R5下端和电阻R8左端都接地，所述差压芯体的引脚IN+和电容C4上端都与NSA2860压力调理芯片引脚7连接，所述差压芯体的引脚OUT+与电阻R4左端连接，所述电阻R4右端、电容C9上端和电容C5上端都与NSA2860压力调理芯片引脚5连接，所述差压芯体的引脚OUT-与电阻R3左端连接，所述电阻R3、电容C9下端和电容C10上端都与NSA2860压力调理芯片引脚6连接，所述三极管Q1的引脚2和电阻R6右端都与三极管Q2的引脚2连接，所述电容C2左端与NSA2860压力调理芯片引脚15连接，所述电容C2右端接地，所述NSA2860压力调理芯片引脚13与电阻R2左端连接，所述电阻R2右端和电容C6上端都与三极管Q2的引脚1连接，所述NSA2860压力调理芯片引脚11与电容C1左端连接，所述电容C6下端和电阻R5上端都与三极管Q2的引脚3连接，所述电阻R8右端与NSA2860压力调理芯片引脚10连接。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述差压芯体采用ME800陶瓷芯体。