[实用新型]一种高压过载的差压变送器

权利要求书

1.一种高压过载的差压变送器，其特征在于：包括差压芯体和压力调理单元，所述差压芯体与压力调理单元连接，所述差压芯体采用陶瓷芯体，所述压力调理单元由ADC模块、MCU模块、DAC模块、放大器和电源模块组成，所述ADC模块与MCU模块连接，所述MCU模块与DAC模块连接，所述DAC模块与放大器连接，所述电源模块分别与ADC模块、MCU模块和DAC模块连接，所述压力调理单元采用纳芯微NSA2860压力调理芯片。

2.如权利要求1所述的一种高压过载的差压变送器，其特征在于：还包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电容C1、电容C2、电容C4、电容C5、电容C6、电容C8、电容C9、电容C10、三极管Q1和三极管Q2，所述NSA2860压力调理芯片引脚1和电阻R6左端都与三极管Q1的引脚1连接，所述三极管Q1的引脚3和NSA2860压力调理芯片引脚2都与电容C8上端连接，所述电容C8下端、差压芯体的引脚IN-、电容C5下端、电容C10下端、电容C4下端、NSA2860压力调理芯片引脚4、NSA2860压力调理芯片引脚9、NSA2860压力调理芯片引脚12、电容C1右端、电阻R5下端和电阻R8左端都接地，所述差压芯体的引脚IN+和电容C4上端都与NSA2860压力调理芯片引脚7连接，所述差压芯体的引脚OUT+与电阻R4左端连接，所述电阻R4右端、电容C9上端和电容C5上端都与NSA2860压力调理芯片引脚5连接，所述差压芯体的引脚OUT-与电阻R3左端连接，所述电阻R3、电容C9下端和电容C10上端都与NSA2860压力调理芯片引脚6连接，所述三极管Q1的引脚2和电阻R6右端都与三极管Q2的引脚2连接，所述电容C2左端与NSA2860压力调理芯片引脚15连接，所述电容C2右端接地，所述NSA2860压力调理芯片引脚13与电阻R2左端连接，所述电阻R2右端和电容C6上端都与三极管Q2的引脚1连接，所述NSA2860压力调理芯片引脚11与电容C1左端连接，所述电容C6下端和电阻R5上端都与三极管Q2的引脚3连接，所述电阻R8右端与NSA2860压力调理芯片引脚10连接。

3.如权利要求1所述的一种高压过载的差压变送器，其特征在于：所述差压芯体采用ME800陶瓷芯体。

4.如权利要求1所述的一种高压过载的差压变送器，其特征在于：所述压力调理单元内设有EEPROM存储器。