[发明专利]滤波器及滤波器的形成方法

说明书

一种滤波器及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括沿第一方向排列的第一区和第二区；位于衬底第一区上的至少两个第一叉指换能器，沿第一方向排列；位于衬底第二区上的至少一个第二叉指换能器，位于衬底第一区一侧；位于衬底第一区上的第一总线层，与第一叉指换能器电连接；位于衬底第二区上的第二总线层，与第二叉指换能器电连接；第一总线层与第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧，第一总线层与第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧。所述滤波器简化了工艺流程。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种滤波器及滤波器的形成方法。

背景技术

随着通信技术的发展，滤波器已广泛应用于各种通信电子设备之中。

目前商用滤波器主要有声表面（Surface Acoustic Wave，简称SAW）滤波器、体声波（Bulk Acoustic Wave，简称BAW）滤波器、低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-firedCeramics，简称LTCC）滤波器等。声表面滤波器拥有良好的插入损耗及面积小等优点，因此广泛应用于手机等消费电子终端。

双模声表面波(Double Mode SAW，简称DMS)滤波器相对基于声表面谐振器形成的滤波器而言，版图面积更小。

然而，双模声表面波滤波器的形成工艺还有待改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种滤波器及滤波器的形成方法，以改善滤波器的形成工艺。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种滤波器，包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区沿平行于衬底表面的第一方向排列；位于衬底第一区上的至少两个第一叉指换能器，所述第一叉指换能器沿第一方向排列；位于衬底第二区上的至少一个第二叉指换能器，所述第二叉指换能器沿第一方向位于所述衬底第一区的一侧；位于衬底第一区上的第一总线层，所述第一总线层与所述第一叉指换能器电连接；位于衬底第二区上的第二总线层，所述第二总线层与所述第二叉指换能器电连接；所述第一总线层与所述第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧，所述第一总线层与所述第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧，其中，所述第二方向平行于衬底表面，且与所述第一方向垂直。

可选的，所述第一叉指换能器包括：第一汇流条，所述第一汇流条与所述第一总线层相连接；与所述第一汇流条相连接的若干第一叉指，若干所述第一叉指沿第一方向平行放置；第二汇流条，所述第二汇流条靠近所述第二总线层；与所述第二汇流条相连接的若干第二叉指，若干所述第二叉指沿第一方向平行放置；所述第一叉指与第二叉指沿第一方向交错放置。

可选的，所述第一总线层通过第一汇流条与第一叉指换能器电连接；还包括：位于第一汇流条上的第一导电层，所述第一导电层还位于部分第一叉指换能器上和部分第一总线层上。

可选的，所述第一导电层的厚度大于第一汇流条的厚度。

可选的，所述第一导电层的厚度范围为0.5微米~5微米。

可选的，还包括：位于第二汇流条上的第三导电层。

可选的，所述第二叉指换能器包括：第四汇流条，所述第四汇流条与所述第二总线层相连接；与所述第四汇流条相连接的若干第四叉指，若干所述第四叉指沿第一方向平行放置；第三汇流条，所述第三汇流条靠近所述第一总线层；与所述第三汇流条相连接的若干第三叉指，若干所述第三叉指沿第一方向平行放置；所述第三叉指与第四叉指沿第一方向交错放置。

可选的，所述第二总线层通过第四汇流条与第二叉指换能器电连接；还包括：位于第四汇流条上的第二导电层，所述第二导电层还位于部分第二叉指换能器上和部分第二总线层上。

可选的，所述第二导电层的厚度大于第四汇流条的厚度。

可选的，第二导电层的厚度范围为0.5微米~5微米。